eE cell is built around an MOs te=r

eE cell is built around an MOs te=ransistor with a floating gate which is externally charged or discharged by a small programming current.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แบบเซลล์รอบ ๆ มี MOs te = ransistor มีประตูลอยซึ่งภายนอกได้เรียกเก็บ หรือปล่อยออกมา โดยปัจจุบันการเขียนโปรแกรมขนาดเล็ก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เซลล์เเถูกสร้างขึ้นรอบมอเต = ransistor กับประตูลอยซึ่งเป็นค่าใช้จ่ายภายนอกหรือปล่อยออกมาโดยการเขียนโปรแกรมขนาดเล็กในปัจจุบัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อีเซลล์ที่ถูกสร้างขึ้นรอบมอเตอ = ransistor กับประตูลอยซึ่งเป็นภายนอก ค่าบริการ หรือโรงพยาบาลเล็กๆการเขียนโปรแกรมปัจจุบัน