When an acceptor is ionized a hole

When an acceptor is ionized a hole is freed, which requires an input
of energy. On the usual energy band diagram, an electron rises when it gains
energy, whereas a hole sinks in gaining energy.
Experimental ionization energies of acceptors in germanium and silicon
are given in Table 6. The Bohr model applies qualitatively for holes just as for
electrons, but the degeneracy at the top of the valence band complicates the
effective mass problem.
The tables show that donor and acceptor ionization energies in Si are comparable
with kBT at room temperature (26 meV), so that the thermal ionization
of donors and acceptors is important in the electrical conductivity of silicon at
room temperature. If donor atoms are present in considerably greater numbers
than acceptors, the thermal ionization of donors will release electrons
into the conduction band. The conductivity of the specimen then will be controlled
by electrons (negative charges), and the material is said to be n type.
If acceptors are dominant, holes will be released into the valence band
and the conductivity will be controlled by holes (positive charges): the material
is p type. The sign of the Hall voltage (6.53) is a rough test for n or p type.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อมีการแตกตัวเป็นไอออนให้เป็นผู้รับการ รูคือว่าง เป็นอินพุตพลังงาน บนไดอะแกรมวงพลังงานปกติ อิเล็กตรอนเพิ่มขึ้นเมื่อได้รับพลังงาน ในขณะที่รูซิงก์ได้รับพลังงานพลังงานไอออไนซ์ทดลองของ acceptors ในซิลิคอนและเจอร์เมเนียมมีกำหนดในตารางที่ 6 แบบจำลองของบอร์กับคุณภาพสำหรับหลุมเป็นสำหรับอิเล็กตรอน แต่ภาวะลดรูปของแถบวาเลนซ์ complicates การปัญหาโดยรวมมีประสิทธิภาพตารางแสดงผู้บริจาคและให้เป็นผู้รับพลังงานไอออไนซ์ในซีเทียบเคียงมี kBT ที่อุณหภูมิห้อง (26 meV), เพื่อให้ไอออไนซ์ความร้อนผู้บริจาคและ acceptors เป็นสิ่งสำคัญในการนำไฟฟ้าของซิลิโคนที่อุณหภูมิห้อง ถ้าอะตอมผู้บริจาคอยู่ในตัวเลขยิ่งมากกว่า acceptors ไอออไนซ์ความร้อนของผู้บริจาคจะปล่อยอิเล็กตรอนในวงการนำ นำของชิ้นงานแล้วจะถูกควบคุมโดยอิเล็กตรอน (ค่าลบ), และวัสดุกล่าวได้ว่า เป็น ชนิด nถ้า acceptors โดดเด่น หลุมจะออกในวงวาเลนซ์และการนำไฟฟ้าจะถูกควบคุม โดยหลุม (บวกค่าธรรมเนียม): วัสดุเป็นชนิด p สัญญาณของแรงดันไฟฟ้าที่หอ (6.53) คือ การทดสอบคร่าว ๆ สำหรับชนิด n หรือ p

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อมีการแตกตัวเป็นไอออนใบเสร็จเป็นหลุมเป็นอิสระซึ่งจะต้องมีการป้อนข้อมูล
ของพลังงาน ในแผนภาพปกติวงพลังงานอิเล็กตรอนเพิ่มขึ้นเมื่อได้รับ
พลังงานในขณะที่อ่างล้างมือหลุมในการดึงดูดพลังงาน.
พลังงานไอออไนซ์การทดลองของผู้รับบริการในเจอร์เมเนียมและซิลิกอน
จะได้รับในตารางที่ 6 รุ่น Bohr นำไปใช้ในเชิงคุณภาพสำหรับหลุมเช่นเดียวสำหรับ
อิเล็กตรอน แต่ความเสื่อมที่ด้านบนของวง Valence ที่ซับซ้อน
ปัญหามวลที่มีประสิทธิภาพ.
ตารางแสดงให้เห็นว่าผู้ให้และผู้รับไอออนไนซ์พลังงานใน SI มีการเทียบเคียง
กับ KBT ที่อุณหภูมิห้อง (26 MeV) เพื่อให้ไอออไนซ์ความร้อน
ของผู้บริจาคและผู้รับบริการเป็นสิ่งสำคัญ ในการนำไฟฟ้าของซิลิกอนที่
อุณหภูมิห้อง หากอะตอมผู้บริจาคที่มีอยู่ในจำนวนมากมากขึ้น
กว่าผู้รับการไอออไนซ์ความร้อนของผู้บริจาคจะปล่อยอิเล็กตรอน
เข้าไปในการนำวงดนตรี การนำของชิ้นนั้นจะถูกควบคุม
โดยอิเล็กตรอน (ประจุลบ) และวัสดุที่จะบอกว่าจะพิมพ์ n.
ถ้าผู้รับเป็นที่โดดเด่นหลุมจะถูกปล่อยออกสู่วงจุ
และการนำไฟฟ้าจะถูกควบคุมโดยหลุม (ประจุบวก ): วัสดุที่
เป็นชนิด P สัญลักษณ์ของแรงดันไฟฟ้าที่ฮอลล์ (6.53) คือการทดสอบคร่าวๆเพื่อ N หรือ P ประเภท

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อพระนาสิกเป็นประจุเป็นหลุมเป็นอิสระ ซึ่งต้องมีการป้อนข้อมูลของพลังงาน ในแผนภาพแถบพลังงานปกติอิเล็กตรอนเพิ่มขึ้น เมื่อกำไรพลังงาน ในขณะที่หลุมจมในการดึงดูดพลังงานพลังงานไอออไนเซชันของทดลองเปรียบเทียบในเจอร์มาเนียมและซิลิกอนยกให้เป็นตารางที่ 6 รูปแบบโบร์ใช้คุณภาพสำหรับหลุมเพียงสำหรับอิเล็กตรอน แต่ความเสื่อมที่ด้านบนของวาเลนซ์แบนด์มีความซับซ้อนปัญหามวลชนที่มีประสิทธิภาพตารางแสดงที่ผู้บริจาคและพระนาสิกพลังงานไอออไนเซชันในจังหวัด เปรียบเทียบกับกับ kbt ที่อุณหภูมิห้อง ( 16 MeV ) เพื่อให้ไอความร้อนของผู้บริจาคและเปรียบเทียบเป็นสิ่งสำคัญในการนำไฟฟ้าของซิลิคอนที่อุณหภูมิของห้อง ถ้าผู้บริจาคอะตอมที่มีอยู่ในตัวเลขมากมากขึ้นกว่าเปรียบเทียบ , ไอความร้อนของผู้บริจาคจะปล่อยอิเล็กตรอนในการนำวงดนตรี ค่าการนำไฟฟ้าของชิ้นงานก็จะถูกควบคุมโดยอิเล็กตรอน ( ประจุลบ ) และวัสดุที่กล่าวว่าเป็น N ชนิดถ้าเปรียบเทียบเป็นเด่น หลุมจะถูกปล่อยลงในแถบวาเลนซ์และค่าการนำไฟฟ้าจะถูกควบคุมโดยหลุม ( ประจุบวก ) : วัสดุเป็นประเภท P . สัญลักษณ์ของหอแรงดัน ( 6.53 ) คือการทดสอบที่ยากลำบากสำหรับ N หรือ P ประเภท