Amorphous Si (a-Si) solar cell has

Amorphous Si (a-Si) solar cell has a band gap of ~1.6 eV and absorption length for the red and infrared solar photons exceed 1 µm and 100 µm, respectively [14] and [15]. The hole diffusion length for a-Si:H is 300–400 nm, which limits the solar cell absorber layer thickness to less than hole diffusion length [16]. As the thickness of absorber layer is limited to a few nanometres, it is difficult to use these photons for efficient carrier collection. This limits the efficiency of solar cell. Thus, enhancing the light absorption is essential for better result, which is done by different techniques including back reflector or light trapping configurations.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เซลล์แสงอาทิตย์ศรี (ที่สี่) ไปมีช่องว่างวงของ ~1.6 eV และดูดซึมยาวสำหรับสีแดง และอินฟราเรดโฟตอนแสงอาทิตย์เกิน 1 ไมครอนและ 100 ไมครอน ตามลำดับ [14] และ [15] ความยาวตัวหลุมสำหรับการ-Si:H เป็น 300-400 nm ซึ่งความหนาของชั้นดูดซับเซลล์แสงอาทิตย์น้อยกว่ารูแพร่ยาว [16] ความหนาของชั้นดูดซับจะจำกัด nanometres กี่ มันยากที่จะใช้โฟตอนเหล่านี้สำหรับผู้ให้บริการที่มีประสิทธิภาพ วิธีนี้ช่วยจำกัดประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์ ดังนั้น เพิ่มการดูดซึมแสงเป็นสิ่งจำเป็นสำหรับผลลัพธ์ที่ดีขึ้น ซึ่งจะทำ โดยเทคนิคที่แตกต่างรวมทั้งสะท้อนกลับหรือไฟดักจับการตั้งค่าคอนฟิก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Amorphous ศรี (a-Si) เซลล์แสงอาทิตย์มีช่องว่างของวง ~ 1.6 EV และระยะเวลาในการดูดซึมสำหรับสีแดงและอินฟาเรดโฟตอนพลังงานแสงอาทิตย์เกิน 1 ไมครอนและ 100 ไมโครเมตรตามลำดับ [14] และ [15] ความยาวหลุมแพร่ A-Si: H คือ 300-400 นาโนเมตรซึ่ง จำกัด ความหนาของชั้นเซลล์แสงอาทิตย์เพื่อดูดน้อยกว่าความยาวหลุมแพร่ [16] ในฐานะที่เป็นความหนาของชั้นโช้คจะถูก จำกัด ไม่กี่นาโนเมตรก็คือการใช้โฟตอนเหล่านี้สำหรับคอลเลกชันของผู้ให้บริการที่มีประสิทธิภาพยาก ซึ่งจะ จำกัด ประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์ ดังนั้นการเสริมสร้างการดูดซึมแสงเป็นสิ่งจำเป็นสำหรับผลที่ดีขึ้นซึ่งจะทำโดยใช้เทคนิคที่แตกต่างกันรวมทั้งสะท้อนกลับหรือการกำหนดค่าการวางกับดักแสงไฟ