The TMA + H2O treatment is a near-i

The TMA + H2O treatment is a near-ideal ALD process [5], of which the surface chemical process can be classified into the adsorption/desorption processes and the surface reactions. The adsorption/desorption processes of this ALD operation include the chemisorption of two precursors, gas-phase TMA and water vapor, which are generally reversible. After the adsorption of two precursors, the surface reactions would take place between the adsorbed species atheirintermediate products. To characterize these chemical processes, the instantaneous state of the chemical material balance and the status of substrate surface should be con- sidered during the ALD operation. Because the surface oxygen sites after first water vapor pulse are composed of the oxygen bridges (O) and surface hydroxyl groups (OH) [13], ideally, we can assume their total surface coverage has hO þhOH ¼1, where hi stands for the surface coverage of species i (i =O, OH) on the substrate sur- face. After the first water vapor pulse, the silicon wafer surface can be fully hydroxylated, which is prepared for the following TMA+ H2O cycling treatment. To reduce the modeling effort, a monolayer is assumed to be formed during the TMA +H2O pulses [3], and the chemisorption rates of TMA and H2O, ri can be formu- lated by ri ¼kad;ihavci [6], where the rate constant is described by the Arrhenius equation, kad;i ¼Ae Ei=RT [3]; hav is surface coverage of available sites; ci is the local concentration of gas-phase species i on the substrate surface. Accordingly, the number density of adsorbed species i (i = TMA, H2O) on the substrate surface, Ni can be given by dNi dt ¼kad;ihavNAci, where NA is the Avogadro’s number.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

TMA + H2O รักษาใกล้เหมาะ ALD กระบวนการ [5], ซึ่งกระบวนการทางเคมีพื้นผิวสามารถ classified กระบวนการดูด ซับ/desorption และปฏิกิริยาที่ผิว กระบวนการดูด ซับ/desorption การ ALD นี้รวม chemisorption ของสอง precursors, TMA เฟสก๊าซและไอน้ำ ซึ่งโดยทั่วไปแล้วย้อนกลับ หลังจากการดูดซับของ precursors สอง ปฏิกิริยาที่ผิวจะเกิดระหว่างชนิด adsorbed ผลิตภัณฑ์ atheirintermediate ลักษณะของกระบวนการทางเคมีเหล่านี้ รัฐกำลังดุลวัสดุเคมีและสถานะของพื้นผิวพื้นผิวควรเป็นคอน sidered ในระหว่างการดำเนินงาน ALD เนื่องจากเว็บไซต์ออกซิเจนผิวหลัง first ไอน้ำหมุนประกอบสะพานออกซิเจน (O) และพื้นผิวกลุ่มไฮดรอกซิล (OH) [13], ดาว เราสามารถสมมติคลุมผิวของพวกเขาทั้งหมดมีโฮ þhOH ¼1 สูง ถึงคลุมผิวพันธุ์ฉัน (ฉัน = O โอ้) บนพื้นผิวเซอหน้า หลังจากชีพจรไอน้ำ first พื้นผิวแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนสามารถจะเต็ม hydroxylated ซึ่งจะเตรียมไว้สำหรับการรักษาขี่ TMA + H2O ดังต่อไปนี้ เพื่อลดความพยายามสร้างโมเดล monolayer คาดว่าจะเกิดขึ้นในระหว่าง TMA + H2O กะพริบ [3], และราคา chemisorption TMA และ H2O, ri สามารถ formu-lated โดย ¼kad รี ihavci [6], ซึ่งค่าคงที่อัตราถูกอธิบาย โดยสมการของอาร์เรเนียส กาด ¼Ae Ei = RT [3]; hav มีความครอบคลุมพื้นผิวของไซต์ที่มี ci เป็นความเข้มข้นภายในเฟสก๊าซชนิดผมบนพื้นผิวพื้นผิว ตาม ความหนาแน่นหมายเลขชนิด adsorbed ฉัน (ฉัน = TMA, H2O) บนพื้นผิวพื้นผิว Ni จะ โดย dNi dt ¼kad; ihavNAci หมายเลขของ Avogadro นาได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การรักษา TMA + H2O เป็นกระบวนการ ALD ใกล้เหมาะ [5] ซึ่งกระบวนการทางเคมีพื้นผิวสามารถจัดประเภทเข้าไปในการดูดซับ / กระบวนการดูดซับและปฏิกิริยาของพื้นผิว กระบวนการดูดซับ / การคายของการดำเนิน ALD นี้ ได้แก่ เคมีของทั้งสองยุ่งก๊าซเฟส TMA และไอน้ำซึ่งจะย้อนกลับได้โดยทั่วไป หลังจากการดูดซับของสารตั้งต้นที่สองปฏิกิริยาพื้นผิวที่จะเกิดขึ้นระหว่างสายพันธุ์ที่ดูดซับ atheirintermediate ผลิตภัณฑ์ ลักษณะกระบวนการทางเคมีเหล่านี้รัฐทันทีของยอดวัสดุสารเคมีและสถานะของพื้นผิวที่ควรจะถือว่างในระหว่างการดำเนินมรกต เพราะเว็บไซต์ออกซิเจนพื้นผิวหลังจากชีพจรไอน้ำสายแรกจะประกอบด้วยสะพานออกซิเจน (O) และกลุ่มไฮดรอกซิพื้นผิว (OH) [13] นึกคิดเราสามารถสมมติครอบคลุมพื้นผิวของพวกเขาทั้งหมดมี hO þhOH¼1ที่ไฮย่อมาจากพื้นผิว การรายงานข่าวของสปีชีส์ (i = O, OH) บนใบหน้าของพื้นผิวประหลาด หลังจากที่สายแรกชีพจรไอน้ำผิวซิลิคอนเวเฟอร์สามารถ hydroxylated อย่างเต็มที่ซึ่งจะเตรียมไว้สำหรับการรักษาต่อไปนี้การขี่จักรยาน TMA + H2O เพื่อลดความพยายามในการสร้างแบบจำลอง, monolayer จะถือว่าเกิดขึ้นในช่วงคลื่น TMA + H2O [3] และอัตราเคมีของ TMA และ H2O, Ri สามารถ lated formu- โดย¼kad Ri; ihavci [6] ที่อัตรา คงอธิบายโดยสมการ Arrhenius กาดผม¼Ae Ei = RT [3]; ต้าจะครอบคลุมพื้นผิวของเว็บไซต์ที่มี; CI เป็นความเข้มข้นในท้องถิ่นของก๊าซชนิดฉันบนพื้นผิว ดังนั้นความหนาแน่นของจำนวนสปีชีส์ที่ถูกดูดซับ (i = TMA, H2O) บนพื้นผิวพื้นผิว, Ni สามารถได้รับโดย¼kad dt DNI; ihavNAci ที่นาเป็นจำนวนอาโวกาโดร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ก็ H2O รักษาเป็นใกล้ ald เหมาะกระบวนการ [ 5 ] ซึ่งพื้นผิวของกระบวนการทางเคมีที่สามารถ classi จึงเอ็ดในกระบวนการการดูดซับและปลดปล่อยและผิวปฏิกิริยา โดยการดูดซับและปลดปล่อย กระบวนการนี้รวมถึงการดูดซับทางเคมีของทั้งสองงาน ald ตั้งต้น , TMA แก๊สและไอน้ำ ซึ่งโดยทั่วไปจะพลิกกลับได้ หลังจากการดูดซับสาร 2 ,พื้นผิวปฏิกิริยาจะเกิดขึ้นระหว่าง atheirintermediate ดูดซับชนิดผลิตภัณฑ์ เพื่ออธิบายกระบวนการทางเคมีนี้ รัฐได้ทันทีของความสมดุลของสารเคมีและสภาพพื้นผิวพื้นผิวควรคอน - sidered ในระหว่าง ald การดําเนินงานเพราะผิวหน้าออกซิเจนจึงตัดสินใจเดินทางเว็บไซต์หลังจากไอน้ำชีพจรประกอบด้วย ออกซิเจน ( O ) และสะพานกลุ่มไฮดรอกซิลบนพื้นผิว ( OH ) [ 13 ] ซึ่งเราสามารถสันนิษฐานได้ว่าครอบคลุมพื้นผิวทั้งหมดของพวกเขามีþโฮะโฮ¼ 1 ที่ครับย่อมาจากพื้นผิวครอบคลุมชนิดของฉัน ( ฉัน = O , OH ) บนพื้นผิว Sur - ใบหน้า หลังจากนั้นจึงตัดสินใจเดินทางไอน้ำชีพจร , พื้นผิวเวเฟอร์ซิลิคอนสามารถ hydroxylated อย่างเต็มที่ ,ที่เตรียมไว้สำหรับลูกค้า H2O จักรยานการรักษาต่อไปนี้ เพื่อลดการความพยายาม , อย่างสันนิษฐานได้ว่าเป็นรูปแบบใน TMA H2O กะพริบ [ 3 ] และทางเคมีอัตราของ TMA และ H2O , รีสามารถ formu - สายโดยริ¼กาด ; ihavci [ 6 ] ที่คงที่อัตราคือการอธิบายโดยสมการของอาร์เรเนียสกาด ผม¼แอแป = RT [ 3 ] ; hav ครอบคลุมพื้นผิวของเว็บไซต์พร้อมใช้งานCI เป็นสมาธิท้องถิ่นของแก๊สชนิดผมบนพื้นผิวพื้นผิว ตาม จำนวนความหนาแน่นของดูดซับชนิดฉัน ( ฉัน = TMA , H2O ) บนพื้นผิว พื้นผิว ที่ ฉันสามารถให้วัน DT ¼กาด ; ihavnaci ที่ na คือเลขอาโวกาโดร .