and RII ) by adding a DRon effect [1

and RII ) by adding a DRon effect [10].C
• A parasitic impedance of inductive type, LPrst , from
the wires present in the real equipment.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

และ RII) โดยการเพิ่ม effect DRon [10] C•ต้านทานเสียงฟู่เหมือนกาฝากชนิดเหนี่ยว LPrst จาก สายที่อยู่ในอุปกรณ์จริง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

และ RII) โดยการเพิ่ม Dron จฉฉ ect [10] และ C
•ความต้านทานของพยาธิชนิดอุปนัย LPrst จาก
สายไฟที่มีอยู่ในอุปกรณ์จริง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คน ) และโดยการเพิ่มดรอน E ff ect [ 10 ] . C
- ความต้านทานของปรสิตของ lprst แบบอุปนัยจากสายไฟในอุปกรณ์ปัจจุบัน

จริง .