The ionized gas from the plasma jet

The ionized gas from the plasma jet exits through a nozzle,
where it is directed onto a substrate a few millimeters down-stream. Under typical operating conditions, the gas velocity
is about 12 m/s with the effluent temperature near 150 C.
So far, this source has been used to etch polyimide, tungsten,
tantalum, and silicon dioxide [7], as well as to deposit silicon
dioxide films by plasma-assisted chemical vapor deposition
(CVD) [59].

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ก๊าซบริสุทธิ์จากเจ็ทพลาสม่าออกผ่านหัวฉีด,
ซึ่งจะมีการกำกับลงบนพื้นผิวไม่กี่มิลลิเมตรลงกระแส ภายใต้สภาพการใช้งานปกติความเร็วก๊าซประมาณ 12 เมตร / วินาทีกับอุณหภูมิของน้ำทิ้งที่อยู่ใกล้ 150 องศาเซลเซียสเพื่อให้ห่างไกลแหล่งที่มานี้ได้รับการใช้ในการกัดธ เธเธฃทังสเตนแทนทาลัมและซิลิกอนไดออกไซด์[7] เช่นเดียวกับการฝากเงิน ซิลิกอนภาพยนตร์ก๊าซโดยไอสารเคมีสะสมพลาสม่าช่วย(CVD) [59]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วนแก๊สบริสุทธิ์จากพลาสมาออกผ่านหัวฉีด ,
มันอยู่ไหนกำกับลงบนพื้นผิวไม่กี่มิลลิเมตรลงกระแส ภายใต้สภาวะปกติ , ความเร็วแก๊ส
ประมาณ 12 m / s กับน้ำที่อุณหภูมิใกล้ 150 C .
ดังนั้นไกลแหล่งที่มานี้มีการใช้ etch polyimide , ทังสเตน ,
แทนทาลัมและซิลิคอนไดออกไซด์ [ 7 ] เช่นเดียวกับการฝากซิลิคอน
ฟิล์มไดด้วยพลาสมาช่วย chemical vapor deposition ( CVD )
[ 59 ]