The most common SRAM cell consists

The most common SRAM cell consists of four NMOS transistors plus two poly-load resistors
(Figure 8-6). This design is called the 4T cell SRAM. Two NMOS transistors are pass-transistors.
These transistors have their gates tied to the word line and connect the cell to the columns. The
two other NMOS transistors are the pull-downs of the flip-flop inverters. The loads of the invert-
ers consist of a very high polysilicon resistor.
This design is the most popular because of its size compared to a 6T cell. The cell needs room only
for the four NMOS transistors. The poly loads are stacked above these transistors. Although the
4T SRAM cell may be smaller than the 6T cell, it is still about four times as large as the cell of a
comparable generation DRAM cell.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พาร์เซลล์ทั่วไปประกอบด้วยทรานซิสเตอร์ NMOS สี่บวกสองตัวต้านทานโหลดโพลี(รูป 8-6) การออกแบบนี้เรียกว่าเซลล์ 4 ทีพาร์ ผ่านทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์ NMOS สองได้ทรานซิสเตอร์นี้มีประตูเชื่อมโยงกับบรรทัด word และเชื่อมต่อเซลล์คอลัมน์ การทรานซิสเตอร์ NMOS อื่น ๆ สองคือ ดาวน์ ดึงของอินเวอร์เตอร์แบบ flip-flop โหลดของกลับ-ers ประกอบด้วยตัวต้านทาน polysilicon สูงมาก ออกแบบนี้เป็นนิยม เพราะขนาดของมันเมื่อเทียบกับเซลล์ 6T เซลล์ต้องการห้องเท่านั้นสำหรับทรานซิสเตอร์ NMOS 4 โหลดโพลีซ้อนกันเหนือทรานซิสเตอร์เหล่านี้ แม้ว่าการ4 ทีพาร์เซลล์อาจมีขนาดเล็กกว่าเซลล์ 6T มันยังคงประมาณสี่ครั้งขนาดใหญ่เซลล์ของการเทียบรุ่น DRAM เซลล์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เซลล์ SRAM ที่พบมากที่สุดประกอบด้วยสี่ทรานซิสเตอร์ NMOS บวกสองตัวต้านทานโพลีโหลด
(รูปที่ 8-6) การออกแบบนี้จะเรียกว่าเซลล์ SRAM 4T สองทรานซิสเตอร์ NMOS จะผ่านทรานซิสเตอร์.
ทรานซิสเตอร์เหล่านี้ได้ประตูของพวกเขาผูกติดอยู่กับสายคำและเชื่อมต่อมือถือให้คอลัมน์
สองทรานซิสเตอร์ NMOS อื่น ๆ ที่มีการดึงดาวน์ของอินเวอร์เตอร์ปัดพลิก โหลดของ invert-
ERS ประกอบด้วยตัวต้านทานโพลีซิลิคอนสูงมาก.
การออกแบบนี้เป็นที่นิยมมากที่สุดเพราะขนาดของมันเมื่อเทียบกับเซลล์ 6T ห้องมือถือตอบสนองความต้องการเฉพาะ
สำหรับสี่ NMOS ทรานซิสเตอร์ โหลดโพลีซ้อนกันข้างต้นทรานซิสเตอร์เหล่านี้ แม้ว่า
เซลล์ 4T SRAM อาจมีขนาดเล็กกว่าเซลล์ 6T ก็ยังคงเป็นประมาณสี่ครั้งมีขนาดใหญ่เป็นเซลล์ที่
เซลล์ DRAM รุ่นเทียบเคียง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เซลล์ทั่วไป SRAM ประกอบด้วยสี่ nmos ทรานซิสเตอร์สองตัว โหลด โพลีพลัสตัวเลข ( 8-6 ) การออกแบบนี้เรียกว่า 4T เซลล์ SRAM . สองตัว nmos ผ่านทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์เหล่านี้มีประตูของพวกเขาเชื่อมโยงกับคำว่าสาย และเชื่อมต่อเซลล์ในคอลัมน์ ที่อีกสอง nmos ทรานซิสเตอร์จะดึงลงเครื่องแปลงฟลิปฟล็อป . โหลดของผกผัน -ERS ประกอบด้วยตัวต้านทาน Polysilicon สูงมากการออกแบบนี้เป็นที่นิยมมากที่สุดเพราะขนาดของมันเทียบกับ 6T เซลล์ เซลล์ต้องการห้องเท่านั้นสำหรับ 4 nmos ทรานซิสเตอร์ พอลิโหลดซ้อนกันข้างบนทรานซิสเตอร์เหล่านี้ แม้ว่า4T SRAM เซลล์อาจจะเล็กกว่า 6T เซลล์ ยังคงเป็น 4 เท่าขนาดใหญ่เป็นเซลล์ของเซลล์ของรุ่นที่ใกล้เคียงกัน