In the next section, we present the

In the next section, we present the IDDQ test technique that
serves to test analog ICs, and distinguish a fault-free from a
faulty circuit with respect to short (bridging) defects. This
technique is based on analysing the leakage current (IDDQ) of
the circuit under test using a Built-In Current Sensor. In our
investigation, we show that at the nanometer range (the 65 nm
node) IDDQ testing can be used to detect multiple bridging
defects which create a resistive path between VDD supply and
the ground.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในส่วนถัดไป เรานำเสนอเทคนิคการทดสอบ IDDQ ที่ให้บริการ การทดสอบไอซีแอนะล็อก แยกเป็นบกพร่องฟรีจากการวงจรผิดพลาดเกี่ยวกับระยะสั้น (ระหว่างกาล) ข้อบกพร่อง นี้เทคนิคขึ้นอยู่กับการวิเคราะห์การรั่วไหลของกระแส (IDDQ) ของวงจรภายใต้การทดสอบโดยใช้เซนเซอร์ในตัวปัจจุบัน ในของเราตรวจสอบ เราแสดงว่าในช่วง nanometer (65 nmสามารถใช้โหน) IDDQ ทดสอบการตรวจหาการเชื่อมโยงหลายข้อบกพร่องซึ่งสร้างเส้นหน้าระหว่าง VDD อุปทาน และพื้นดิน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในส่วนถัดไปเรานำเสนอเทคนิคการทดสอบ IDDQ
ที่ทำหน้าที่ในการทดสอบอนาล็อกและแยกแยะความผิดฟรีจากวงจรผิดพลาดเกี่ยวกับการสั้น
(แก้) ข้อบกพร่อง ซึ่งเทคนิคที่อยู่บนพื้นฐานของการวิเคราะห์การรั่วไหลของปัจจุบัน (IDDQ) ของวงจรที่ทดสอบใช้ในตัวเซนเซอร์จับกระแส ของเราในการตรวจสอบเราแสดงให้เห็นว่าในช่วงนาโนเมตร (นาโนเมตร 65 โหนด) การทดสอบ IDDQ สามารถนำมาใช้ในการตรวจสอบการเชื่อมโยงหลายข้อบกพร่องซึ่งสร้างเส้นทางทานระหว่างอุปสงค์VDD และพื้นดิน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในตอนต่อไปเราจะนำเสนอเทคนิคการทดสอบที่ iddq
บริการทดสอบอนาล็อกไอซี และแยกแยะความผิดฟรีจาก
วงจรผิดพลาดด้วยความเคารพสั้น ( กาล ) บกพร่อง เทคนิคนี้
ขึ้นอยู่กับการวิเคราะห์กระแสรั่วไหล ( iddq )
วงจรภายใต้การทดสอบโดยใช้ตัวเซ็นเซอร์ในปัจจุบัน ในการสอบสวนของเรา
, เราพบว่า ที่ระดับนาโนเมตร ( 65 nm
โหนด ) การทดสอบ iddq สามารถใช้ตรวจสอบหลายกาล
ข้อบกพร่องซึ่งสร้างเส้นทางความต้านทานระหว่าง VDD และจัดหา
พื้นดิน