The metal gate of the MOSFET of fig

The metal gate of the MOSFET of figure 2(a) is replaced by the metal of a reference
electrode, whilst the liquid in which this electrode is present makes contact with the
bare gate insulator (figure 2(b)). Both devices have the same electrical equivalent
circuit, which is symbolised in figure 2(c). Mounting of the chips is of course
different: a MOSFET can be completely encapsulated, whereas for an ISFET source
and drain leads as well as chip edges have to be encapsulated carefully, meanwhile
leaving the gate area open for contact with the liquid.
For both devices the following equation is valid for the non-saturated region (below
pinch-off):

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ประตูโลหะของ MOSFET ของ 2(a) รูปถูกแทนที่ ด้วยโลหะของการอ้างอิงไฟฟ้า ในขณะที่ทำให้ของเหลวที่อิเล็กโทรดนี้อยู่ติดต่อกับฉนวนกันความร้อนประตูเปลือย (รูป 2(b)) อุปกรณ์ทั้งสองมีเทียบเท่ากับไฟฟ้าเดียวกันวงจร ซึ่งระหว่างในรูป 2(c) ติดตั้งชิเป็นหลักสูตรแตกต่างกัน: MOSFET สมบูรณ์สรุปแบ่งเป็น ในขณะที่สำหรับแหล่ง ISFETและนำไปสู่ท่อระบายน้ำเป็นเกล็ดขอบต้องเป็นนึ้อย่างระมัดระวัง ในขณะเดียวกันออกจากบริเวณประตูเปิดติดต่อกับของเหลวสำหรับอุปกรณ์ทั้งสอง สมการต่อไปนี้ถูกต้องสำหรับภูมิภาคไม่อิ่มตัว (ด้านล่างหยิกออก):

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ประตูโลหะของ MOSFET ของรูปที่ 2 (ก) จะถูกแทนที่ด้วยโลหะของอ้างอิง
ไฟฟ้าในขณะที่สภาพคล่องในการที่ขั้วไฟฟ้านี้มีอยู่ทำให้การติดต่อกับ
ประตูฉนวนกันความร้อนเปลือย (รูปที่ 2 (ข)) อุปกรณ์ทั้งสองมีเทียบเท่าเดียวกันไฟฟ้า
วงจรซึ่งเป็นสัญลักษณ์ในรูปที่ 2 (c) การติดตั้งของชิปเป็นหลักสูตร
ที่แตกต่างกัน: การ MOSFET สามารถห่อหุ้มอย่างสมบูรณ์ในขณะที่สำหรับเป็นแหล่ง ISFET
และท่อระบายน้ำนำเช่นเดียวกับขอบชิปจะต้องมีการห่อหุ้มอย่างระมัดระวังขณะที่
ออกจากบริเวณประตูเปิดให้บริการสำหรับการติดต่อกับของเหลว.
สำหรับอุปกรณ์ทั้งสอง สมการต่อไปนี้เป็นที่ถูกต้องสำหรับภูมิภาคที่ไม่อิ่มตัว (ด้านล่าง
หยิกออก):

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โลหะประตูของมอสเฟตของรูปที่ 2 ( ก ) จะถูกแทนที่ด้วยโลหะ ของการอ้างอิงขั้วไฟฟ้าในขณะที่ของเหลวที่ขั้วนี้อยู่ให้ติดต่อกับฉนวนประตูเปลือย ( รูปที่ 2 ( ข ) ) อุปกรณ์ทั้งสองได้เทียบเท่าไฟฟ้าเหมือนกันวงจร , ซึ่งจะกลายเป็นสัญลักษณ์ในรูปที่ 2 ( C ) ติดตั้งชิปเป็นแน่นอนแตกต่าง : MOSFET จะสมบูรณ์ขึ้น ขณะที่การ isfet แหล่งและท่อระบายนำ รวมทั้งขอบชิปต้องห่อหุ้มอย่างระมัดระวัง ขณะออกจากพื้นที่ประตูเปิดสำหรับการติดต่อกับของเหลวทั้งอุปกรณ์สมการดังต่อไปนี้ถูกต้องไม่อิ่มตัว ( ภาคล่างหยิกออก )