Regenerative diode is a novel power

Regenerative diode is a novel power diode with an operation that is completely different from the "normal" diodes such as P-N diodes, Schottky diodes and JBS rectifiers. Normal diodes "open", meaning they start conducting at their forward voltages [1] which are 0.6V and 0.3V for P-N diodes and Schottky diodes respectively. Regenerative diode "closes", meaning it starts blocking at particular reverse currents/voltages whose values depend on the construction ofthe device. For instance, in silicon based device it may lie between -0.5V to -IV. Regenerative diode can be developed from a series combination of two complementary ON-type JFETs, which may have additional MOS gates. It can be operated even without additional MOS gates but the conductivity of the device increases with the presence of the MOS gates. The schematic structure of a regenerative diode looks similar to that of the Dual Thyristor's. Fig. 1 illustrates the schematic structures of a simple Dual Thyristor [2], Dual Thyristor acting as a regenerative diode (without MOS gates) and a regenerative diode.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไดโอดสำหรับนวนิยายพลังงานไดโอด มีการดำเนินการที่แตกต่างจากไดโอดได้ "ปกติ" เช่นไดโอดได้ P-N ไดโอดได้ Schottky JBS rectifiers อย่างสมบูรณ์ ได้ ไดโอดได้ปกติ "เปิด" หมายความว่า พวกเขาเริ่มดำเนินการในการส่งต่อแรงดัน [1] ที่มี 0.6V และ 0.3V สำหรับไดโอดได้ P-N และ Schottky ไดโอดได้ตามลำดับ ไดโอดสำหรับ "ปิด" ก็หมายความว่า เริ่มต้นบล็อกที่เฉพาะย้อนกระแส/แรงดันมีค่าขึ้นอยู่กับการก่อสร้างอุปกรณ์ ตัวอย่าง ในซิลิคอนตามอุปกรณ์นั้นอาจอยู่ระหว่าง - 0.5 v ให้ -IV ไดโอดสำหรับสินค้าทั้งหมดสามารถพัฒนาได้จากการรวมกันของชุดของสองเสริม ON ชนิด JFETs ซึ่งอาจเพิ่มเติม MOS ประตู มันสามารถดำเนินการได้โดยไม่ต้องเพิ่มเติม MOS ประตู แต่นำอุปกรณ์เพิ่ม มีประตู MOS โครงสร้างของไดโอดสำหรับมันมีลักษณะคล้ายกับที่ของ Thyristor คู่ Fig. 1 แสดงโครงสร้างแผนผังตัวอย่างของตัวอย่างสอง Thyristor [2], Thyristor คู่ทำหน้าที่เป็นไดโอดสำหรับสินค้าทั้งหมด (ไม่ มี MOS ประตู) และไดโอดสำหรับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไดโอดปฏิรูปเป็นไดโอดอำนาจนวนิยายกับการดำเนินงานที่มีความแตกต่างจาก "ปกติ" ไดโอดเช่นไดโอด PN, Schottky ไดโอดและ rectifiers JBS ไดโอดปกติ "เปิด" หมายถึงพวกเขาเริ่มต้นการดำเนินการที่แรงดันไปข้างหน้าของพวกเขา [1] ซึ่งเป็น 0.6V และ 0.3V สำหรับไดโอด PN และไดโอด Schottky ตามลำดับ ไดโอดปฏิรูป "ปิด" ความหมายก็จะเริ่มปิดกั้นกระแสที่กลับโดยเฉพาะอย่างยิ่ง / แรงดันไฟฟ้าที่มีค่าขึ้นอยู่กับการก่อสร้าง ofthe อุปกรณ์ ยกตัวอย่างเช่นในอุปกรณ์ที่ใช้ซิลิกอนมันอาจอยู่ระหว่างการ -0.5V -IV ไดโอดปฏิรูปสามารถที่จะพัฒนาจากการรวมกันของทั้งสองชุด JFETs เสริม ON-ชนิดที่อาจมีประตู MOS เพิ่มเติม จะสามารถดำเนินการได้โดยไม่ต้องประตู MOS เพิ่มเติม แต่การนำของอุปกรณ์ที่เพิ่มขึ้นกับการปรากฏตัวของประตู MOS โครงสร้างแผนผังของไดโอดที่เกิดใหม่มีลักษณะคล้ายกับที่ของคู่ Thyristor ของ มะเดื่อ 1 แสดงแผนผังของโครงสร้างที่เรียบง่ายแบบ Dual Thyristor [2], คู่ Thyristor ทำหน้าที่เป็นไดโอดปฏิรูป (ไม่มีประตู MOS) และไดโอดที่เกิดใหม่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สินค้าทั้งหมดไดโอดไดโอดพลังใหม่กับการดำเนินงานที่แตกต่างจาก " ไดโอด " ปกติ เช่น p-n ไดโอดไดโอดชอทท์กี้ และ JBS rectifiers . ไดโอด " ปกติเปิด " หมายถึงพวกเขาเริ่มต้นการดำเนินการของพวกเขาไปข้างหน้าแรงดันไฟฟ้า [ 1 ] ซึ่งเป็น 0.6v 0.3v สำหรับไดโอดและ p-n และไดโอดชอทท์กี้ ตามลำดับ สินค้าทั้งหมดไดโอด " ปิด "ความหมายมันเริ่มบล็อกที่เฉพาะเจาะจงกลับกระแส / แรงดันไฟฟ้าที่มีค่าขึ้นอยู่กับการสร้างอุปกรณ์ ตัวอย่างเช่นในซิลิคอนที่ใช้อุปกรณ์มันอาจอยู่ระหว่าง -0.5v - IV Regenerative ไดโอดสามารถพัฒนาจากชุดรวม 2 คู่ บน jfets ชนิด ซึ่งอาจจะมีเพิ่มเติมไปประตูมันสามารถทำงานได้แม้ไม่มีประตูเพิ่มเติม ไป แต่ค่าอุปกรณ์เพิ่มกับการปรากฏตัวของมอส เกทส์ โครงสร้างแผนผังของไดโอดใหม่ซึ่งมีลักษณะคล้ายกับที่ของคู่หลัก . . . รูปที่ 1 แสดงโครงสร้างแผนผังของผู้บริหารแบบง่ายๆ [ 2 ] สองหลักทำหน้าที่เป็น ไดโอดตลาด ( โดยไม่ต้องไปประตู ) และ ไดโอดตลาด .