MRAM is touted to be the next front

MRAM is touted to be the next frontier for computing memory, and will be a very big improvement over the current standard, which is DRAM (dynamic random access memory). Unlike the conventional DRAM or even Flash RAM chip technologies, data in MRAM is not stored as electric charge, but by magnetic storage elements. As such, this new technology will have a memory capacity 10 times that of DRAM and reduce its electricity draw to about two-thirds that of the existing standard. MRAM backers say that this will translate to real-world benefits including much faster computing times and lower power consumption, leading to longer-lasting batteries – especially for mobile devices.

Other participants in the research project are based at Tohoku University in Sendai, northern Japan, including Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics and Hitachi. Japan’s Toshiba and SK Hynix of South Korea are also jointly developing MRAM in a separate project while South Korea’s Samsung Electronics is doing its own research on the new chip. MRAM’s read-write speeds are drastically faster than DRAM even in its most ideal setup, and thousands of times faster than Flash RAM. This makes it the ideal next rung in the mass-produced memory chip ladder.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

MRAM เป็น touted จะเป็นแดนต่อไปสำหรับหน่วยความจำคอมพิวเตอร์และจะมีการปรับปรุงใหญ่มากเกินกว่ามาตรฐานในปัจจุบันซึ่งเป็นเหล้า (หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก) ซึ่งแตกต่างจากเหล้าทั่วไปหรือแม้กระทั่งเทคโนโลยีแฟลชชิปหน่วยความจำข้อมูลใน MRAM ไม่ได้เก็บไว้เป็นค่าใช้จ่ายไฟฟ้า แต่โดยองค์ประกอบการเก็บรักษาแม่เหล็ก เป็นเช่นนี้เทคโนโลยีใหม่นี้จะมีความจุหน่วยความจำ 10 เท่าของเหล้าและลดการดึงกระแสไฟฟ้าประมาณสองในสามของมาตรฐานที่มีอยู่ backers MRAM กล่าวว่านี้จะแปลไปสู่​​ผลประโยชน์ที่แท้จริงของโลกรวมทั้งได้เร็วขึ้นมากครั้งคอมพิวเตอร์และการใช้พลังงานที่ลดลงนำไปสู่​​การติดทนนานแบตเตอรี่ -. โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับอุปกรณ์มือถือ

อื่น ๆ เข้าร่วมในโครงการวิจัยเป็นไปตามที่มหาวิทยาลัยโตโฮกุในเซนได, ภาคเหนือของประเทศญี่ปุ่นรวมทั้งสารเคมี shin-etsu อิเล็กทรอนิกส์ Renesas และฮิตาชิ ญี่ปุ่นของโตชิบาและ sk Hynix ของเกาหลีใต้ยังได้ร่วมกันพัฒนา MRAM ในโครงการที่แยกต่างหากในขณะที่เกาหลีใต้ของซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์จะทำวิจัยของตัวเองบนชิปใหม่MRAM ของความเร็วในการอ่านเขียนเป็นอย่างมากเร็วกว่าเหล้าแม้ในการตั้งค่าที่เหมาะที่สุดของตนและหลายพันครั้งได้เร็วกว่าหน่วยความจำแฟลช นี้จะทำให้ขั้นต่อไปที่เหมาะในมวลผลิตชิปหน่วยความจำบันได

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

MRAM touted เป็น ชายแดนต่อไปสำหรับหน่วยความจำคอมพิวเตอร์ และจะปรับปรุงมากใหญ่กว่ามาตรฐานปัจจุบัน ซึ่งเป็น DRAM (dynamic หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม) ต่างจาก DRAM ธรรมดาหรือแม้แต่เทคโนโลยีชิป Flash RAM, MRAM ในไม่เก็บข้อมูลค่าไฟฟ้า แต่ โดยองค์ประกอบเก็บแม่เหล็ก เช่น เทคโนโลยีใหม่นี้จะมีความจุหน่วยความจำ 10 เท่าของ DRAM และลดออกของไฟฟ้าไปประมาณสองในสามของมาตรฐานที่มีอยู่ MRAM backers พูดว่า นี้จะแปลผลประโยชน์จริงมากเวลาใช้งานได้เร็วขึ้นและใช้พลังงานต่ำ นำแบตเตอรี่นาน – โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับอุปกรณ์โมบาย

ผู้เข้าร่วมในโครงการวิจัยอยู่ที่มหาวิทยาลัยโทโฮคุเซนได ญี่ปุ่นเหนือ Shin Etsu เคมี งานอิเล็กทรอนิกส์ และฮิตาชิ ญี่ปุ่น Toshiba และ SK Hynix ของเกาหลีใต้จะยังร่วมพัฒนา MRAM ในโครงการที่แยกต่างหากในขณะที่เกาหลีใต้ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ได้ทำการวิจัยของตนเองบนชิปใหม่ ความเร็วในการอ่านเขียนของ MRAM อย่างรวดเร็วเร็วกว่า DRAM ในเซ็ตอัพเหมาะ และเร็วกว่า Flash RAM เท่ากัน ซึ่งทำให้มันเหมาะรุ่งถัดไป ในหน่วยความจำมวลผลิตชิปบันได

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

mram เป็นส่วนหนึ่งในการเป็นชายแดนถัดไปสำหรับหน่วยความจำการประมวลผลและจะมีการปรับปรุงขนาดใหญ่เป็นอย่างมากเหนือมาตรฐานในปัจจุบันซึ่งเป็น DRAM (การเข้าถึงหน่วยความจำแบบไดนามิกแบบสุ่ม) ซึ่งแตกต่างจากทั่วไป DRAM หรือแม้แต่ Flash RAM เทคโนโลยีชิปข้อมูลใน mram ไม่ได้จัดเก็บไว้เป็นค่าไฟฟ้าแต่โดยองค์ประกอบของแม่เหล็กของการจัดเก็บ เมื่อเป็นเช่นนี้เทคโนโลยีใหม่นี้จะมีความจุของหน่วยความจำที่ 10 เท่าของ DRAM และลดการใช้ไฟฟ้าที่จะประมาณสองในสามของมาตรฐานที่มีอยู่ ผู้นำ mram กล่าวว่านี้จะแปลเพื่อประโยชน์ที่ได้รับจริง - โลกรวมถึงเวลาการใช้งานคอมพิวเตอร์ได้อย่างรวดเร็วและลดการใช้พลังงานชั้นนำในการใช้งานได้ยาวนาน - โดยเฉพาะสำหรับอุปกรณ์มือถือ.

ผู้ร่วมประชุมคนอื่นๆในโครงการการวิจัยซึ่งตั้งอยู่ที่มหาวิทยาลัยใน Sendai Tohoku Japan ทางตอนเหนือรวมถึงใช้ Shin - Etsu เคมี renesas อิเล็กทรอนิกส์และบริษัทฮิตาชิ Toshiba ของประเทศญี่ปุ่น Information Technology , Hynix และของประเทศเกาหลีใต้จะร่วมกันเพื่อพัฒนา mram ในโครงการแบบแยกพื้นที่ในขณะที่ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ของเกาหลีใต้คือการทำวิจัยของตัวเองที่ชิปใหม่นี้ยังมีความเร็วอ่าน - เขียนของ mram เป็นอย่างมากได้เร็วกว่า DRAM ได้มากที่สุดในการตั้งค่าอย่างดีเยี่ยมและแสนครั้งต่อได้เร็วกว่า Flash RAM โรงแรมแห่งนี้ทำให้เป็นโรงแรมที่ดีเยี่ยมสำหรับนักเดินทางถัดไปที่เวียงเชียงรุ้งในบันไดชิปหน่วยความจำแบบที่ผลิต