In this paper, we interpret and, fo

In this paper, we interpret and, for the first time, model a frequency dependent high-power microwave (HPM) upset susceptibility. We constructed the analytical models of the total amount of injected charges N inj, the excess carrier density distribution in P-Substrate, and the frequency dependent HPM upset susceptibility level. The models are validated by simulated results and experimental data, respectively. Results reveal that N inj is proportional to f α while the exponent a should be adjusted to −0.525. The excess carrier density distribution behaves the frequency dependence as well; the dependence is attributable to the fact that the AC field within the CMOS inverter varies too rapidly for the carriers to follow at high frequency. Meanwhile, the HPM upset susceptibility level is a decreasing function of f. The f dependent HPM upset susceptibility model is verified to be reliable and able to quickly estimate the susceptibility level of CMOS inverter considering IC technology, layout parameters, pulse properties, and operating environment simultaneously. Besides, the empirical formula P = A · f α is proposed to provide instant estimation to the HPM upset power threshold. In conclusion, by aid of the analytical model, we acquired the influence of the layout parameter L B on the HPM susceptibility and demonstrated that the CMOS inverter with minor L B is more susceptible to HPM.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในเอกสารนี้ เราตี ก ครั้งแรก รุ่นความถี่ขึ้นอยู่กับกำลังแรงสูงไมโครเวฟ (HPM) อารมณ์เสียภูมิไวรับ เราสร้างแบบจำลองวิเคราะห์จำนวน inj ฉีดค่า N การกระจายความหนาแน่นผู้ขนส่วนเกินใน P-พื้นผิว และความถี่ขึ้น HPM ภูมิไวรับปวดระดับ รูปแบบที่ตรวจสอบ โดยผลการจำลองและข้อมูลทดลอง ตามลำดับ ผลลัพธ์แสดงว่า N inj เป็นสัดส่วนกับ f ด้วยกองทัพในขณะยกควรปรับปรุงให้ −0.525 การกระจายความหนาแน่นเกินผู้ขนส่งปฏิบัติการพึ่งพาความถี่เช่น การอาศัยอยู่รวมในความเป็นจริงที่ฟิลด์ AC ภายในอินเวอร์เตอร์ CMOS แตกต่างกันไปอย่างรวดเร็วเกินไปสำหรับสายการบินตามที่ความถี่สูง ในขณะเดียวกัน ระดับภูมิไวรับเสีย HPM เป็นฟังก์ชันลดของ f F ขึ้น HPM ภูมิไวรับทุกข์ร้อนแบบผ่านการตรวจสอบความน่าเชื่อถือ และสามารถประเมินระดับภูมิไวรับของอินเวอร์เตอร์ CMOS พิจารณาเทคโนโลยี IC พารามิเตอร์เค้า ชีพจรคุณสมบัติ และใช้งานสิ่งแวดล้อมพร้อมกันอย่างรวดเร็ว นอกจากนี้ empirical สูตร P =ทรัพยากร มีเสนอให้ประเมินทันทีเพื่อจำกัดอำนาจเสีย HPM f ด้วยกองทัพ เบียดเบียน โดยความช่วยเหลือของแบบจำลองวิเคราะห์ เราได้รับอิทธิพลของพารามิเตอร์รูปแบบ L B บนไก่ HPM กแสดงว่าอินเวอร์เตอร์ CMOS กับ B L รองให้ HPM ลดู

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในบทความนี้เราตีความและเป็นครั้งแรกในรูปแบบขึ้นอยู่กับความถี่ไมโครเวฟกำลังสูง (HPM) ไวต่ออารมณ์เสีย เราสร้างแบบจำลองการวิเคราะห์ของจำนวนเงินทั้งหมดของค่าใช้จ่ายฉีดไม่มี inj การกระจายความหนาแน่นของผู้ให้บริการส่วนเกินใน P-พื้นผิวและความถี่ขึ้นอยู่กับระดับความไวต่อ HPM อารมณ์เสีย รุ่นที่ได้รับการตรวจสอบโดยผลการจำลองและข้อมูลการทดลองตามลำดับ ผลการศึกษาพบว่ายังไม่มี inj เป็นสัดส่วนกับฉαในขณะที่ตัวแทนที่ควรได้รับการปรับให้ -0.525 การกระจายความหนาแน่นของผู้ให้บริการส่วนเกินพฤติกรรมการพึ่งพาความถี่เช่นกัน; การพึ่งพาอาศัยกันเป็นส่วนที่เป็นความจริงที่ว่าสนาม AC ภายในอินเวอร์เตอร์ที่แตกต่างกันไปอย่างรวดเร็ว CMOS เกินไปสำหรับผู้ให้บริการที่จะปฏิบัติตามที่ความถี่สูง ในขณะที่ระดับความไวต่อ HPM อารมณ์เสียเป็นฟังก์ชั่นที่ลดลงของฉ ฉขึ้นอยู่กับรูปแบบ HPM อ่อนแอไม่พอใจที่มีการยืนยันที่จะเป็นที่น่าเชื่อถือและสามารถได้อย่างรวดเร็วประเมินระดับความไวของอินเวอร์เตอร์แบบ CMOS พิจารณาเทคโนโลยี IC พารามิเตอร์รูปแบบการเต้นของชีพจรคุณสมบัติและสภาพแวดล้อมการทำงานพร้อมกัน นอกจากนี้ P = สูตรเชิงประจักษ์เป็น·ฉαมีการเสนอที่จะให้การประมาณค่าได้ทันทีเพื่อเกณฑ์อำนาจ HPM อารมณ์เสีย สรุปได้ว่าโดยความช่วยเหลือของรูปแบบการวิเคราะห์เราได้รับอิทธิพลของรูปแบบพารามิเตอร์ LB บนความอ่อนแอ HPM และแสดงให้เห็นว่าอินเวอร์เตอร์แบบ CMOS กับผู้เยาว์ LB เป็นอ่อนแอมากขึ้นเพื่อ HPM

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในกระดาษนี้เราตีความและ , ครั้งแรก , รูปแบบความถี่ขึ้นอยู่กับไมโครเวฟแรงสูง ( hpm ) อารมณ์เสียความรู้สึกไว เราสร้างแบบจำลองเชิงวิเคราะห์ของยอดรวมของค่าใช้จ่าย N ฉีด inj , การกระจายความหนาแน่นพาหะส่วนเกินใน p-substrate และความถี่ขึ้นอยู่กับ hpm โกรธระดับความรู้สึกไว รุ่นที่ถูกตรวจสอบ โดยจำลองผลและข้อมูลการทดลองตามลำดับ ผลการศึกษาพบว่าเป็นสัดส่วนโดยตรงกับ F α inj เมื่อเลขชี้กำลังเป็นควรปรับให้− 0.525 . the ALT excess density distribution นกกระทุงและ frequency dependence as ใหม่ ; the dependence is attributable to the fact that the ac field within the inverter cmos มีเดียดาวน์โหลด / สุขภาพอนามัย the carriers to เมืองจะคุณไม่ได้บอดเป็น high . ในขณะเดียวกันการ hpm อารมณ์เสียเป็นฟังก์ชันลดระดับความไวของ F . F ( hpm อารมณ์เสียมากกว่าแบบถูกต้องมีความน่าเชื่อถือและสามารถประมาณการได้อย่างรวดเร็วมากกว่าระดับของอินเวอร์เตอร์พิจารณาเทคโนโลยี CMOS IC พารามิเตอร์รูปแบบพัลส์ คุณสมบัติ และปฏิบัติการสิ่งแวดล้อมไปพร้อมกัน นอกจากนี้สูตรสมการ P = F αด้วยเสนอให้ประเมินได้ทันทีเพื่อ hpm อารมณ์เสียพลังงานเกณฑ์ ลัก , by aid ของ the model analytical , we acquired the influence ของ the layout parameter l b on the ( demonstrated that the เป็นแบบคุณ , cmos inverter with minor l b is more susceptible to แบบคุณ , .