A photoresistor is made of a high r

A photoresistor is made of a high resistance semiconductor. In the dark, a photoresistor can have a resistance as high as several megohms (MΩ), while in the light, a photoresistor can have a resistance as low as a few hundred ohms. If incident light on a photoresistor exceeds a certain frequency, photons absorbed by the semiconductor give bound electrons enough energy to jump into the conduction band. The resulting free electrons (and their hole partners) conduct electricity, thereby lowering resistance. The resistance range and sensitivity of a photoresistor can substantially differ among dissimilar devices. Moreover, unique photoresistors may react substantially differently to photons within certain wavelength bands.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Photoresistor ที่ทำจากสารกึ่งตัวนำมีความต้านทานสูง ในมืด photoresistor สามารถมีความต้านทานสูงถึงหลาย megohms (MΩ), ในขณะที่มีแสง photoresistor สามารถมีความต้านทานต่ำกี่ร้อยโอห์ม ถ้าแสงที่ตกกระทบบน photoresistor เกินความถี่บาง โฟตอนที่ถูกดูดซึม โดยการดักให้ผูกอิเล็กตรอนพลังงานมากพอเข้าสู่วงการนำ อิเล็กตรอนได้ฟรี (และพันธมิตรของพวกเขาหลุม) ไฟฟ้า จึงช่วยลดความต้านทาน วัดความต้านทานและความไวของ photoresistor สามารถแตกต่างระหว่างอุปกรณ์ที่แตกต่างกันอย่างมีนัยสำคัญ นอกจากนี้ photoresistors ไม่ซ้ำกันอาจตอบสนองแตกต่างกันอย่างมีนัยสำคัญต่อโฟตอนภายในวงความยาวคลื่นบางอย่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

photoresistor ทำจากสารกึ่งตัวนำความต้านทานสูง ในความมืดเป็น photoresistor สามารถมีความต้านทานสูงถึงหลาย megohms (MΩ) ในขณะที่แสงเป็น photoresistor สามารถมีความต้านทานที่ต่ำเป็นไม่กี่ร้อยโอห์ม ถ้าแสงท​​ี่ตกกระทบบน photoresistor เกินความถี่บางโฟตอนดูดซึมโดยเซมิคอนดักเตอร์ให้อิเล็กตรอนที่ถูกผูกไว้พลังงานพอที่จะกระโดดลงไปในการนำวงดนตรี ที่เกิดอิเล็กตรอนอิสระ (หลุมและคู่ค้าของพวกเขา) เป็นตัวนำไฟฟ้าความต้านทานดังนั้นการลด ช่วงความต้านทานและความไวของ photoresistor อย่างมีนัยสำคัญสามารถแตกต่างกันระหว่างอุปกรณ์ที่แตกต่างกัน นอกจากนี้ photoresistors ที่ไม่ซ้ำกันอย่างมีนัยสำคัญอาจมีปฏิกิริยาแตกต่างกันไปโฟตอนที่อยู่ในวงดนตรีที่ความยาวคลื่นบางอย่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นโฟโตริซิสเตอร์ทำจากสารกึ่งตัวนำต้านทานสูง ในที่มืด , โฟโตริซิสเตอร์สามารถมีความต้านทานสูงเป็นหลาย megohms ( M Ω ) ในขณะที่แสง , โฟโตริซิสเตอร์สามารถมีความต้านทานต่ำไม่กี่ร้อยโอห์ม ถ้าเรื่องแสงในโฟโตริซิสเตอร์เกินกว่าความถี่บาง photons ดูดซึมโดยสารกึ่งตัวนำให้ผูกอิเล็กตรอนพลังงานเพียงพอที่จะกระโดดลงนำวงดนตรี . ทำให้อิเล็กตรอนอิสระ ( และคู่ของหลุม ) เนินไฟฟ้า จึงช่วยลดการต่อต้าน ความต้านทานระยะและความไวของโฟโตริซิสเตอร์อย่างมากสามารถแตกต่างระหว่างอุปกรณ์ที่แตกต่างกัน . นอกจากนี้ photoresistors เฉพาะอาจตอบสนองแตกต่างกันไปอย่างมากในแถบโฟตอนแสงบางอย่าง