The TiCxOy films were deposited by

The TiCxOy films were deposited by reactive dc magnetron sputtering, from a Ti target (200 × 100 mm2) with 12 cylindrical C pieces (10 mm diameter) embedded in its erosion zone. Films were deposited onto single-crystal silicon wafers with (100) orientation and glass substrates, previously ultrasonically cleaned and sputter etched for 15 min in an Ar atmosphere (pressure of 0.15 Pa). The depositions were carried out in a laboratory-size deposition system. A gas atmosphere composed of Ar + O2 was used. The Ar flow was kept constant at 60 sccm and the oxygen gas flow varied from 0 to 6 sccm (corresponding to a partial pressure variation between 0 and 5.1 × 10− 2 Pa). The working pressure was approximately constant at 0.4 Pa and the substrates were grounded.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์ม TiCxOy ที่ฝาก โดย dc ปฏิกิริยา magnetron พ่น จากตี้เป้าหมาย (200 × 100 มม 2 ได้ภาย) มี 12 ทรงกระบอกชิ้น C (เส้นผ่าศูนย์กลาง 10 มม.) ฝังตัวอยู่ในโซนพังทลาย ฟิล์มถูกฝากไปรับซิลิคอนผลึกเดี่ยวกับแนวกระจกพื้นผิวและ ก่อนหน้านี้ ultrasonically ทำความสะอาดและแกะสลักสำหรับ 15 นาทีในบรรยากาศ Ar sputter (100) (แรงดัน 0.15 ป่า) Depositions ที่ได้ดำเนินการออกในระบบปฏิบัติการขนาดสะสม บรรยากาศก๊าซประกอบด้วย Ar + ใช้ O2 กระแส Ar ถูกเก็บค่าคงที่ที่ 60 sccm และการไหลก๊าซออกซิเจนแตกต่างกันจาก 0 6 sccm (ที่สอดคล้องกับการเปลี่ยนแปลงความดันบางส่วนระหว่าง 0 และ 5.1 × 10− 2 ป่า) ความดันทำงานได้คงประมาณที่ 0.4 สูตรป่าและพื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพยนตร์ TiCxOy ถูกฝากโดยสปัตเตอร์ปฏิกิริยา dc แมกจากเป้าหมาย Ti (200 × 100 mm2) กับ 12 ชิ้นทรงกระบอก C (10 มิลลิเมตรเส้นผ่าศูนย์กลาง) ที่ฝังอยู่ในโซนของการกัดเซาะ ภาพยนตร์ที่ถูกนำไปฝากไว้บนซิลิคอนผลึกเดี่ยวกับช็อคโกแลต (100) การปฐมนิเทศและพื้นผิวแก้วก่อนหน้านี้การทำความสะอาดและพ่น ultrasonically ฝังนาน 15 นาทีในบรรยากาศ Ar (ความดัน 0.15 ป่า) depositions ได้ดำเนินการในระบบการสะสมห้องปฏิบัติการขนาด บรรยากาศก๊าซประกอบด้วย Ar + O2 ถูกนำมาใช้ ไหล Ar คงที่ที่ 60 SCCM และการไหลของก๊าซออกซิเจนที่แตกต่างกัน 0-6 SCCM (สอดคล้องกับการเปลี่ยนแปลงความดันบางส่วนระหว่าง 0 และ 5.1 × 10 2 ป่า) ความดันทำงานอยู่ที่ประมาณคงที่ที่ 0.4 ป่าและพื้นผิวที่ไ​​ด้รับการต่อสายดิน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ ticxoy ฟิล์มฝากโดยปฏิกิริยาดีซีตรอนสปัตเตอริง จาก TI เป้าหมาย ( 200 × 100 แน่น ) 12 ชิ้น ( 10 มม. เส้นผ่าศูนย์กลางกระบอก C ) ที่ฝังตัวอยู่ในโซนการกัดเซาะของ ภาพยนตร์ที่ถูกฝากไว้บนเวเฟอร์ซิลิกอนผลึกเดี่ยว ( 100 ) การปฐมนิเทศและแก้วพื้นผิว ก่อนหน้านี้ ultrasonically ทำความสะอาดและละล่ำละลักสลัก 15 นาทีในบรรยากาศที่มีความดัน ( 0.15 ( PA )โดย Depositions ทดลองในห้องปฏิบัติการขนาดของระบบ ก๊าซในบรรยากาศประกอบด้วย AR O2 ถูกใช้ การไหลของ AR คงที่ที่ 60 sccm และอัตราการไหลของแก๊สออกซิเจนที่แตกต่างกันตั้งแต่ 0 ถึง 6 sccm ( เกี่ยวข้องกับความดันย่อยของความแตกต่างระหว่าง 0 และ 1 × 10 − 2 PA ) ความดันการทำงานคงที่ที่ประมาณ 0.4 PA และพื้นผิวที่ถูกกักบริเวณ