High-resolution transmission electr

High-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) was performed to analyze the atomic structure of SiC. Fig. 7a shows an aggregate of particles of the nanometer order size. Fig. 7b shows an HRTEM image where it can be appreciated that the sample displays a high degree of crystallinity. Lattice spacing of 2.36 A˚ and 2.56 A˚ are observed, corresponding to the (101) and (111) planes with 2h = 38.2 and 2h = 35.6 of a-SiC and b-SiC phases respectively, (JCPDS 29-1126 and JCPDS 29-1129). The results of XRD are consistent with the electron diffraction pattern generated by the fast Fourier transform from HRTEM, FFT, spot diagram in Fig. 7c. The diffraction spots coincide with (400), (220) and (200) planes distances of 1.16 A˚ , 1.56 A˚ , and 2.07 A˚ , respectively, corresponding to the b-SiC pattern, and (103) plane distance of 1.46 A˚ , corresponding to a-SiC. This pattern also displays a distance close to 4 A˚ , corresponding to the interplanar spacing of silica for the (101) plane, equivalent to 2h = 22 (JCPDS 39-1425).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความละเอียดสูงส่งอิเล็กตรอน microscopy (HRTEM) ทำการวิเคราะห์โครงสร้างอะตอมของ SiC Fig. 7a แสดงโดยรวมของอนุภาคขนาดสั่ง nanometer Fig. 7b แสดงภาพ HRTEM ที่มันสามารถจะชื่นชมให้ตัวอย่างแสดงระดับสูงของ crystallinity ระยะห่างโครงตาข่ายประกอบ 2.36 A˚ และ 2.56 A˚ พบ ที่สอดคล้องกับ (101) และ (111) เครื่องบิน 2 h = 38.2 และ 2 h = 35.6 ของ a-SiC และซิลิก้อนบีเฟส (JCPDS 29-1126 และ JCPDS 29-1129) ตามลำดับ การ ผล XRD สอดคล้องกับรูปแบบการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนที่สร้างขึ้น โดยการแปลงฟูรีเยได้อย่างรวดเร็วจาก HRTEM, FFT ไดอะแกรมจุดใน Fig. 7 c จุดการเลี้ยวเบนสอดคล้องกับ (400), (220) และระยะทางการบิน (200) ของ 1.16 A˚, 1.56 A˚ และ 2.07 A˚ ตามลำดับ ที่สอดคล้องกับรูปแบบ b-SiC และ 1.46 A˚ ระยะทางบิน (103) ที่สอดคล้องกับที่ซิลิก้อน รูปแบบนี้ยังแสดงระยะไกลใกล้กับ A˚ 4 ที่สอดคล้องกับระยะห่างของซิลิกาสำหรับบิน (101) เท่ากับ 2 h = 22 (JCPDS 39-1425) interplanar

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การส่งผ่านความละเอียดสูงกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (HRTEM) ได้ดำเนินการในการวิเคราะห์โครงสร้างอะตอมของ SiC รูป 7a แสดงให้เห็นถึงการรวมตัวของอนุภาคขนาดนาโนเมตรเพื่อที่ รูป 7b แสดงภาพ HRTEM ที่จะสามารถได้รับการชื่นชมว่ากลุ่มตัวอย่างจะแสดงระดับสูงของผลึก ระยะห่างตาข่าย 2.36 และ 2.56 จะสังเกตเห็นสอดคล้องกับ (101) และ (111) เครื่องบินกับ 2h = 38.2 และ 2h = 35.6 ของ-SiC และขั้นตอน B-SiC ตามลำดับ (JCPDS 29-1126 และ JCPDS 29-1129) ผลที่ได้จาก XRD มีความสอดคล้องกับรูปแบบการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนที่สร้างขึ้นโดยฟูริเยร์ได้อย่างรวดเร็วเปลี่ยนจาก HRTEM, FFT แผนภาพจุดในรูป 7c จุดตรงกับเลนส์ (400) (220) และ (200) เครื่องบินระยะทาง 1.16 เป็น 1.56 และ 2.07 ตามลำดับซึ่งสอดคล้องกับรูปแบบ B-SiC และ (103) ระยะทางเครื่องบิน 1.46 ที่สอดคล้องกับ-SiC รูปแบบนี้ยังมีการแสดงระยะทางที่ใกล้กับ 4 สอดคล้องกับระยะห่าง interplanar ซิลิกาสำหรับ (101) เครื่องบินเทียบเท่ากับ 2h = 22 (JCPDS 39-1425)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การใช้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนการส่งความละเอียดสูง ( hrtem ) ได้วิเคราะห์โครงสร้างอะตอมของ SiC ภาพประกอบ 7a แสดงรวมอนุภาคของนาโนขนาดการสั่งซื้อ รูปที่ 7b แสดง hrtem ภาพที่สามารถได้รับการชื่นชมว่าตัวอย่างแสดงระดับสูงของผลึก . ขัดแตะ ระยะห่างของแบบ˚ 2.36 ต่อเป็น˚จะสังเกตที่ ( 1 ) และ ( 111 ) เครื่องบินกับ 2h = = 35.6 ของฟิล์มบางอะมอร์ฟัสและจำนวนที่เพิ่มขึ้น และ b-sic ขั้นตอนตามลำดับ ( jcpds 29-1126 และ jcpds 29-1129 ) ผลตรวจจะสอดคล้องกับรูปแบบการเลี้ยวเบนอิเล็กตรอนที่สร้างขึ้นโดยเปลี่ยนจาก hrtem FFT ฟูเรียร์อย่างรวดเร็ว , จุด , แผนภาพในรูปที่ 5 แล้ว โดยจุดที่บรรจบกับ ( 400 ) , ( 220 ) และ ( 200 ) เครื่องบินระยะทาง 1.16 เป็น˚ 156 เป็น˚และ 2.07 เป็น˚ตามลำดับ สอดคล้องกับรูปแบบ b-sic และ ( 103 ) เครื่องบินระยะทาง 1.46 เป็น˚สอดคล้องกับฟิล์มบางอะมอร์ฟัส . รูปแบบนี้ยังแสดงระยะทางใกล้จะ 4 ˚สอดคล้องกับ interplanar ระยะห่างของซิลิกา ( 101 ) เครื่องบิน เทียบเท่ากับ 2h = 22 ( jcpds 39-1425 )