length of 30 m and film thickness o

length of 30 m and film thickness of 0.25 µm. (b) The
initial temperature of the oven was 70°C for 3 min, which
was then increased to 300°C, at a rate of 10 °C/min, and
maintained at 300°C for 20 min. The analytical period for
each cycle was 46 min. (c) The temperatures of the injection
port, ion source, and interface were set at 280°C, 230°C and
290°C, respectively. (d) The carrier gas flow rate was 1.0
mL/min, corresponding to a linear velocity of 36.7 cm/sec.
(e) The injection mode was splitless, with an injection
volume of 1.0 μL. Analysis was conducted in selective ion
monitoring (SIM) modes. The process of the quantification
ion and confirmation ion for the SIM mode were based on
that of Orecchio (2011)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความยาวความหนา 30 เมตรและฟิล์มของ 0.25 ไมโครเมตร (b) การเริ่มต้นอุณหภูมิของเตาอบเป็น 70° C เป็นเวลา 3 นาที ที่จากนั้นเพิ่มเป็น 300° C, 10 ° C/นาที อัตรา และเก็บรักษาไว้ที่ 300° C 20 นาที รอบระยะเวลาวิเคราะห์แต่ละรอบคือ อุณหภูมิ (c) ๔๖ นาทีของการฉีดตั้งพอร์ต แหล่งไอออน และอินเทอร์เฟซที่ 280° C, 230° C และ290° C ตามลำดับ (ง)อัตราการไหลของก๊าซผู้ขนส่งคือ 1.0มล.(นาที), ที่สอดคล้องกับความเร็วเชิงเส้นของ 36.7 ซม./วินาที(จ)โหมดฉีดคือ splitless กับฉีดปริมาณของ 1.0 μL วิเคราะห์ในเลือกไอออนตรวจสอบโหมด (SIM) กระบวนการของเศรษฐไอออนและไอออนยืนยันสำหรับโหมด SIM ตามของ Orecchio (2011)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความยาวของ 30 เมตรและความหนาของฟิล์ม 0.25 ไมโครเมตร (ข)
อุณหภูมิเริ่มต้นจากเตาอบ 70 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 3 นาทีซึ่ง
เพิ่มขึ้นแล้วถึง 300 องศาเซลเซียสในอัตรา 10 ° C / นาทีและ
เก็บรักษาไว้ที่ 300 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 20 นาที ระยะเวลาการวิเคราะห์
แต่ละรอบ 46 นาที (ค) อุณหภูมิของการฉีด
พอร์ตแหล่งกำเนิดไอออนและอินเตอร์เฟซที่ถูกตั้งไว้ที่ 280 ° C, 230 ° C และ
290 ° C ตามลำดับ (ง) อัตราการไหลของก๊าซให้บริการเป็น 1.0
มิลลิลิตร / นาทีซึ่งสอดคล้องกับความเร็วเชิงเส้นของ 36.7 ซม. / วินาที.
(E) โหมดการฉีด Splitless กับการฉีด
ปริมาณ 1.0 ไมโครลิตร วิเคราะห์ได้ดำเนินการในไอออนเลือก
โหมดการตรวจสอบ (SIM) กระบวนการของปริมาณ
ไอออนและไอออนยืนยันโหมดซิมอยู่บนพื้นฐาน
ของ Orecchio (2011)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความยาว 30 เมตร และความหนาของฟิล์มµ 0.25 เมตร ( B )อุณหภูมิเริ่มต้นของเตาอบ คือ 70 องศา C เป็นเวลา 3 นาที ซึ่งจากนั้นเพิ่มขึ้นถึง 300 ° C ในอัตรา 10 ° C / นาที และรักษาที่อุณหภูมิ 300 องศา C เป็นเวลา 20 นาที ช่วง สำหรับวิเคราะห์แต่ละรอบ 46 นาที ( C ) อุณหภูมิของการฉีดพอร์ต , แหล่งกำเนิดไอออน และอินเทอร์เฟซที่ถูกตั้งที่ 280 องศา C และ C 230 เมตร290 ° C ตามลำดับ ( D ) ใช้อัตราการไหลของแก๊สเท่ากับ 1.0มิลลิลิตรต่อนาทีที่ความเร็วเชิงเส้นของ 36.7 ซม / วินาที( E ) โหมดการฉีดคือ splitless กับฉีดปริมาณ 1.0 μ . การวิเคราะห์วัตถุประสงค์เลือกไอออนการตรวจสอบ ( SIM ) โหมด กระบวนการของปริมาณไอออนและไอออนสำหรับโหมดการยืนยันจากซิมที่ orecchio ( 2011 )