reported the composition of the films, this enhanced ptype
conductivity is most probably due to the presence of
excess (nonstoichiometric) oxygen within the film,
induced due to postannealing. Similarly, Wang and Gong
[27] observed a significant increase in the conductivity of
their copper aluminum oxide films after annealing in air.
This may be another experimental proof of the suspected
p-type conduction caused by excess oxygen. Following
this argument, we have performed the postdeposition
oxygen annealing of our films to induce excess oxygen
within the films for getting enhanced p-type conductivity.
We have observed that for the films postannealed for 30,
60 and 90 min, the percentages of excess oxygen were
around 0.5, 2.5 and 5 at.%, respectively, over stoichiometric
value. The Cu:Al stoichiometry remained close to
1:1 for all the samples. On the other hand, as shown in
Fig. 2, an increase in the conductivity with ta has been
observed. Although very little, but still, slight increase in
the oxygen content within the films leads to an increase
in the conductivity of the films, supporting the above
reasoning. But we have seen a decrease in the conductivity
when the annealing times were 120 min and
above (not shown here). Compositional analyses of the
films postannealed for 120 min and above show
percentage of excess oxygen within the films more than
10 at.% over stoichiometric value. This suggests that,
although the presence of excess oxygen within the films
(with ta=120 min and above) are evidenced, they are not
acting favorably to increase the hole conductivity within
the films. These excess oxygen atoms most probably lie
in the grain-boundary regions as trap states, which put
hindrance in the carrier conduction, and hence, a decrease
in the conductivity of these films is observed. On the
other hand, the films postannealed for 30, 60 and 90 min
show an increase in the conductivity along with an
increase in the excess oxygen content within the films as
mentioned earlier. Therefore, in these cases, the excess
oxygen atoms may be acting favorably to generate holes
within the films. But it must be admitted that the
maximum conductivity obtained for our films was not
as much as it would have been. Thus, we suppose that in
all cases, whether it is for the films with ta=90 min or
less (when an increase in r with ta was observed) or
those with ta=120 min or above (when a decrease in r
with ta was observed), adsorbed oxygen atoms as trapped
states in the grain-boundary regions are always present. In
our previous work [22], we have estimated the particle
size of our film as 26 nm from XRD data, supported by
SEM micrograph. As the particle size is in the nanometer
order, a large number of grain boundaries are present in
the films; thus, also considerable amounts of trapped
states in these grain-boundary regions are present, which
put hindrance in the carrier conduction. But for the films
with ta=90 min or less, greater proportion of excess
oxygen may be acting favorably towards the hole
generation and hence dominate the grain-boundary scat
รายงานองค์ประกอบของภาพยนตร์, ptype ที่เพิ่มขึ้นนี้
การนำเป็นส่วนใหญ่อาจเนื่องจากการมี
ส่วนเกิน (nonstoichiometric) ออกซิเจนภายในภาพยนตร์เรื่องนี้
เกิดจากการเหนี่ยวนำให้เกิด postannealing ในทำนองเดียวกันและวังฆ้อง
[27] สังเกตเห็นการเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญในการนำของ
ภาพยนตร์อลูมิเนียมทองแดงออกไซด์ของพวกเขาหลังจากการอบในอากาศ.
นี้อาจจะอีกหลักฐานการทดลองที่น่าสงสัยว่า
การนำชนิดพีที่เกิดจากออกซิเจนส่วนเกิน ต่อไปนี้
เรื่องนี้เราได้ดำเนินการ postdeposition
หลอมออกซิเจนของภาพยนตร์ของเราที่จะทำให้เกิดออกซิเจนส่วนเกิน
ที่อยู่ในภาพยนตร์สำหรับการเพิ่มการนำชนิดพี.
เราได้ตั้งข้อสังเกตว่าสำหรับภาพยนตร์ postannealed 30,
60 และ 90 นาทีร้อยละออกซิเจนส่วนเกิน เป็น
รอบ 0.5, 2.5 และ 5 ที่.% ตามลำดับในช่วง stoichiometric
ค่า Cu: อัปริมาณสัมพันธ์ยังคงอยู่ใกล้กับ
1: 1 สำหรับทุกตัวอย่าง ในทางตรงกันข้ามดังแสดงใน
รูปที่ 2, การเพิ่มขึ้นของการนำที่มีตาที่ได้รับการ
ตั้งข้อสังเกต แม้ว่าจะน้อยมาก แต่ยังคงเพิ่มขึ้นเล็กน้อยใน
ปริมาณออกซิเจนที่อยู่ในภาพยนตร์ที่นำไปสู่การเพิ่มขึ้น
ในการนำของภาพยนตร์ที่สนับสนุนด้านบน
เหตุผล แต่เราได้เห็นการลดลงของการนำ
เมื่อครั้งหลอมเป็น 120 นาทีและ
ด้านบน (ไม่แสดงที่นี่) การวิเคราะห์ compositional ของ
ภาพยนตร์ postannealed สำหรับ 120 นาทีและด้านบนแสดง
ร้อยละของออกซิเจนส่วนเกินที่อยู่ในภาพยนตร์มากกว่า
10%. สูงกว่ามูลค่าทางทฤษฎี นี้แสดงให้เห็นว่า
แม้ว่าการปรากฏตัวของออกซิเจนส่วนเกินภายในภาพยนตร์
(กับตา = 120 นาทีขึ้นไป) จะเห็นพวกเขาจะไม่
ทำหน้าที่ในเกณฑ์ดีที่จะเพิ่มการนำหลุมภายใน
ภาพยนตร์ อะตอมออกซิเจนส่วนเกินเหล่านี้ส่วนใหญ่อาจจะอยู่
ในภูมิภาคข้าวเขตแดนเป็นรัฐกับดักที่วาง
อุปสรรคในการนำผู้ให้บริการและด้วยเหตุนี้ลดลง
ในการนำของภาพยนตร์เหล่านี้เป็นที่สังเกต บน
มืออื่น ๆ ที่ภาพยนตร์ postannealed สำหรับ 30, 60 และ 90 นาที
แสดงให้เห็นการเพิ่มขึ้นของการนำความพร้อมกับ
การเพิ่มขึ้นของปริมาณออกซิเจนส่วนเกินที่อยู่ในภาพยนตร์ที่เป็น
ที่กล่าวถึงก่อนหน้านี้ ดังนั้นในกรณีนี้เกินกว่า
อะตอมออกซิเจนอาจจะทำหน้าที่ในเกณฑ์ดีในการสร้างหลุม
ภายในภาพยนตร์ แต่ก็ต้องยอมรับว่า
การนำสูงสุดที่ได้รับสำหรับภาพยนตร์ของเราก็ไม่ได้
มากที่สุดเท่าที่มันจะได้รับ ดังนั้นเราจึงคิดว่าใน
ทุกกรณีไม่ว่าจะเป็นภาพยนตร์ที่มีตา = 90 นาทีหรือ
น้อยกว่า (เมื่อมีการเพิ่มขึ้นในการวิจัยที่มีตาเป็นที่สังเกต) หรือ
ผู้ที่มีตา = 120 นาทีหรือสูงกว่า (เมื่อลดลงในการวิจัย
กับตา เป็นที่สังเกต), อะตอมออกซิเจนดูดซับเป็นติดอยู่
รัฐในภูมิภาคข้าวเขตแดนปัจจุบันอยู่เสมอ ใน
การทำงานของเราก่อนหน้านี้ [22] เราได้มีการประมาณการอนุภาค
ขนาดของฟิล์มของเราเป็น 26 นาโนเมตรจากข้อมูล XRD การสนับสนุนจาก
SEM Micrograph ในฐานะที่เป็นอนุภาคขนาดนาโนเมตรที่อยู่ใน
การสั่งซื้อจำนวนมากของข้าวเขตแดนที่มีอยู่ใน
ภาพยนตร์; จึงยังจำนวนมากของการติดกับดัก
รัฐในภูมิภาคเหล่านี้ขอบเขตของเมล็ดข้าวที่มีอยู่ซึ่ง
วางอุปสรรคในการนำผู้ให้บริการ แต่สำหรับภาพยนตร์
ที่มีตา = 90 นาทีหรือน้อยกว่าสัดส่วนที่มากขึ้นของส่วนเกิน
ออกซิเจนอาจจะทำหน้าที่ในเกณฑ์ดีต่อหลุม
รุ่นและด้วยเหตุนี้ครองซิข้าวเขตแดน
การแปล กรุณารอสักครู่..

รายงานองค์ประกอบของภาพยนตร์ นี้ปรับปรุง ptype
ซึ่งจะส่วนใหญ่อาจเนื่องจากการแสดงตนของ
ส่วนเกิน ( nonstoichiometric ) ออกซิเจนในฟิล์ม ,
) เนื่องจาก postannealing . ในทำนองเดียวกัน วัง กง
[ 27 ] สังเกตผลการเพิ่มค่าการนำไฟฟ้าของฟิล์มอลูมิเนียมออกไซด์ของทองแดง
เมื่ออบอ่อนในอากาศ นี้อาจเป็นอีกหลักฐานการทดลองของสงสัย
พีการนำความร้อนเกิดจากออกซิเจนส่วนเกิน ต่อไปนี้
อาร์กิวเมนต์นี้ เราได้ทำการ postdeposition
ออกซิเจนอบฟิล์มของเราชวน
ออกซิเจนส่วนเกินภายในภาพยนตร์สำหรับการเพิ่มค่าพี .
เราได้สังเกตว่า สำหรับภาพยนตร์ postannealed
30 , 60 และ 90 นาที เปอร์เซ็นต์ของออกซิเจนส่วนเกินถูก
0.5 , 2.5 และ 5 % ที่ ตามลำดับ อัตราส่วนมากกว่าค่า
จุฬาฯ : ปริมาณสารสัมพันธ์ 1 : 1 อัลยังคงปิด
ตัวอย่างทั้งหมด บนมืออื่น ๆ , ดังแสดงในรูปที่ 2
, เพิ่มขึ้นในการนำด้วยตาได้
) แม้ว่าจะน้อยมาก แต่ยังคงเพิ่มขึ้นเล็กน้อยใน
ปริมาณออกซิเจนภายในภาพยนตร์ที่นำไปสู่การเพิ่มขึ้น
ในนำภาพยนตร์ที่สนับสนุนเหตุผลข้างต้น
แต่เราได้เห็นการลดลงในการนำ
เมื่ออบอ่อนเวลา 120 นาทีและ
ข้างบน ( ไม่แสดงที่นี่ ) เรียงความการวิเคราะห์
ภาพยนตร์ postannealed 120 นาทีและร้อยละแสดง
ข้างบนของออกซิเจนส่วนเกินภายในภาพยนตร์มากกว่า
ที่ 10 % มากกว่าค่าอัตราส่วน . นี้ชี้ให้เห็นว่า
แม้ต่อหน้าออกซิเจนส่วนเกินภายในภาพยนตร์
( TA = 120 นาทีขึ้นไป ) จะเห็นพวกเขาจะไม่
ทำโดยเพิ่มหลุมไฟฟ้าภายใน
ภาพยนตร์ เหล่านี้ส่วนเกินออกซิเจนอะตอมส่วนใหญ่อาจโกหก
ในขอบเกรนภูมิภาคเป็นกับดักรัฐ ซึ่งเป็นอุปสรรคในการใส่
พาหะ แล้วจึง ลดลง
ในการนำภาพยนตร์เหล่านี้เป็นที่สังเกต บน
มืออื่น ๆ , ภาพยนตร์ postannealed 30 , 60 และ 90 นาที
แสดงเพิ่มขึ้นในการนำพร้อมกับ
เพิ่มออกซิเจนส่วนเกินเนื้อหาภายในภาพยนตร์ที่
ที่กล่าวถึงก่อนหน้านี้ ดังนั้น ในกรณีนี้ อะตอมออกซิเจนส่วนเกิน
อาจจะทำโดยการสร้างหลุม
ภายในภาพยนตร์ แต่ก็ต้องยอมรับว่าสูงสุดได้สำหรับภาพยนตร์ของเราค่า
ได้ไม่เท่าที่จะได้รับ ดังนั้น เราคิดว่าใน
ทุกกรณี ไม่ว่าจะเป็นภาพยนตร์ด้วยตาหรือ
= 90 นาทีน้อยลงเมื่อเพิ่มใน R ด้วยตาก็สังเกต ) หรือ
เหล่านั้นด้วยตา = 120 นาทีขึ้นไป ( เมื่อลด R
ด้วยตาก็สังเกต ) ดูดซับอะตอมออกซิเจนเป็นติด
รัฐในภูมิภาคเดียวอยู่เสมอ ในงาน [ 22 ]
ก่อนหน้านี้ของเรา เราได้ประมาณการขนาดของอนุภาค
ฟิล์มของเราเป็น 25 nm จากข้อมูลวิเคราะห์ สนับสนุนโดย
SEM สามารถ . เป็นอนุภาคขนาดนาโนเมตร
ในการสั่งซื้อเป็นจำนวนมากของขอบเขตของปัจจุบันใน
ภาพยนตร์ ดังนั้น ยัง มาก ปริมาณของสหรัฐอเมริกาในภูมิภาคเดียวติด
ใส่เหล่านี้เป็นปัจจุบัน ซึ่งเป็นอุปสรรคในการใช้ . แต่สำหรับภาพยนตร์
ด้วยตา = 90 นาทีหรือน้อยกว่า , มากกว่าสัดส่วนของออกซิเจนส่วนเกิน
อาจจะแสดงในเกณฑ์ดีต่อหลุม
รุ่นจึงครองขอบเกรนซิ
การแปล กรุณารอสักครู่..
