The IR2110/IR2113 are high voltage,

The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 500 or 600 volts.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

IR2110/IR2113 มีแรงดันสูง ความเร็วสูงเพาเวอร์มอสเฟต และโปรแกรมควบคุม IGBT มีช่องเอาท์พุทอิสระสูง และต่ำสุดด้านการอ้างอิง กรรมสิทธิ์ HVIC สลักภูมิคุ้มกัน CMOS เทคโนโลยีและเปิดใช้งานการก่อสร้างเสาหิน ruggedized อินพุตตรรกะกัน CMOS หรือ LSTTL ผลผลิตมาตรฐาน ลง 3.3 v ตรรกะ โปรแกรมควบคุมการแสดงผลลักษณะชีพจรสูงปัจจุบันบัฟเฟอร์ขั้นต่ำควบคุมข้ามนำมา ความล่าช้าในการเผยแพร่ตรงกับการใช้ในความถี่สูงใช้งานง่าย สามารถใช้ช่องสัญญาณลอยขับ N ช่องเพามอสเฟตหรือ IGBT ในการกำหนดค่าด้านสูงซึ่งทำงานได้ถึง 500 หรือ 600 โวลต์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

IR2110 / IR2113 มีแรงดันสูง, MOSFET พลังงานความเร็วสูงและคนขับ IGBT ที่มีด้านสูงและต่ำอิสระอ้างอิงช่องสัญญาณ HVIC สลักที่เป็นกรรมสิทธิ์และเทคโนโลยี CMOS ช่วยให้ภูมิคุ้มกันก่อสร้างเสาหินทนทาน ปัจจัยการผลิตลอจิกเข้ากันได้กับมาตรฐาน CMOS หรือออก LSTTL ลงกับตรรกะ 3.3V ไดรเวอร์การส่งออกมีขั้นตอนบัฟเฟอร์ปัจจุบันชีพจรสูงที่ออกแบบมาสำหรับโปรแกรมควบคุมขั้นต่ำข้ามการนำ ความล่าช้าในการขยายพันธุ์จะถูกจับคู่เพื่อให้ง่ายต่อการใช้งานในการใช้งานความถี่สูง ช่องทางที่ลอยสามารถใช้ในการขับรถพลังงาน MOSFET N-ช่องทางหรือ IGBT ในการกำหนดค่าด้านสูงซึ่งดำเนินการได้ถึง 500 โวลต์หรือ 600

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ ir2110 / ir2113 มีแรงดันสูง ความเร็วสูง และขับด้วยเพาเวอร์มอสเฟต IGBT อิสระสูงและด้านต่ำอ้างอิงช่องเอาท์พุท ด้วยที่เป็นกรรมสิทธิ์และสลักภูมิคุ้มกันเทคโนโลยี ruggedized CMOS ให้สร้างเสาหิน กระผมตรรกะเข้ากันได้กับมาตรฐานหรือ lsttl CMOS ออกลงมา 3.3v ตรรกะส่งออกไดรเวอร์คุณลักษณะชีพจรสูงที่ออกแบบมาสำหรับการบัฟเฟอร์ปัจจุบันเวทีขับข้ามขั้นต่ํา การขยายพันธุ์ล่าช้าจะจับคู่เพื่อง่ายใช้ในงานความถี่สูง ลอยสถานีสามารถใช้ขับรถนแชนแนลเพาเวอร์มอสเฟตหรือการสูญเสียในด้านสูง ซึ่งสามารถปรับแต่งได้ถึง 500 หรือ 600 โวลต์