Infinite-layer LaNiO2 thin films we

Infinite-layer LaNiO2 thin films were synthesized by metal organic decomposition and subsequent topotactic
reduction in hydrogen, and their transport properties were investigated. LaNiO2 is isostructural to
SrCuO2, the parent compound of high-Tc Sr0.9La0.1CuO2 with Tc = 44 K, and has 3d9 configuration, which is
very rare in oxides but common to high-Tc copper oxides. The bulk synthesis of LaNiO2 is not easy, but we
demonstrate in this article that the thin-film synthesis of LaNiO2 is rather easy, thanks to a large-surfaceto-
volume ratio, which makes oxygen diffusion prompt. Our refined synthesis conditions produced
highly conducting films of LaNiO2. The resistivity of the best film is as low as 640 lX cm at 295 K and
decreases with temperature down to 230 K but it shows a gradual upturn at lower temperatures.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อนันต์ชั้นฟิล์มบาง LaNiO2 ถูกสังเคราะห์ โดยการแยกส่วนประกอบอินทรีย์โลหะและ topotactic ต่อมาลดไฮโดรเจน และคุณสมบัติการขนส่งถูกตรวจสอบ LaNiO2 เป็น isostructural เพื่อSrCuO2 หลักผสมสูง-Tc Sr0.9La0.1CuO2 กับ Tc = 44 K และมีการกำหนดค่า 3d 9 ซึ่งเป็นหายากมากในออกไซด์แต่ไปออกไซด์ทองแดง Tc สูงขึ้น สังเคราะห์จำนวนมากของ LaNiO2 ไม่ใช่เรื่องง่าย แต่เราแสดงให้เห็นในบทความนี้ว่า การสังเคราะห์ฟิล์มบางของ LaNiO2 จะค่อนข้างง่าย ขอบคุณ ขนาดใหญ่-surfaceto -อัตราปริมาตร ซึ่งทำให้ออกซิเจนแพร่รวดเร็ว เงื่อนไขของการสังเคราะห์กลั่นผลิตสูงทำฟิล์ม LaNiO2 ความต้านทานของฟิล์มสุดจะต่ำสุด 640 cm lX ที่ 295 K และลดลง ด้วยอุณหภูมิลง 230 K ก็แสดง upturn สมดุลที่อุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Infinite ชั้น LaNiO2 ฟิล์มบางถูกสังเคราะห์โดยการย่อยสลายอินทรีย์โลหะและ topotactic ภายหลัง
การลดลงของไฮโดรเจนและคุณสมบัติการขนส่งของพวกเขาได้รับการตรวจสอบ LaNiO2 เป็น isostructural เพื่อ
SrCuO2 สารประกอบแม่ของสูง Tc Sr0.9La0.1CuO2 กับ Tc = 44 K และมีการกำหนดค่า 3d9 ซึ่งเป็น
ที่หายากมากในออกไซด์ แต่เรื่องธรรมดาที่จะสูง Tc ออกไซด์ทองแดง การสังเคราะห์กลุ่มของ LaNiO2 ไม่ง่าย แต่เรา
แสดงให้เห็นในบทความนี้ว่าการสังเคราะห์ฟิล์มบางของ LaNiO2 เป็นเรื่องง่ายที่ค่อนข้างขอบคุณขนาดใหญ่ surfaceto-
อัตราส่วนซึ่งจะทำให้การแพร่กระจายพร้อมรับคำออกซิเจน เงื่อนไขการสังเคราะห์การกลั่นของเราผลิต
สูงการทำหนังของ LaNiO2 ความต้านทานของภาพยนตร์ที่ดีที่สุดคือต่ำเป็น 640 ซม. ที่ LX 295 K และ
อุณหภูมิจะลดลงตามลงไปที่ 230 K แต่มันก็แสดงให้เห็นถึงการฟื้นตัวอย่างค่อยเป็นค่อยไปที่อุณหภูมิต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

lanio2 อนันต์ชั้นฟิล์มบางโลหะอินทรีย์สังเคราะห์โดยการย่อยสลาย และลด topotactic
ตามมาในไฮโดรเจนและคุณสมบัติการขนส่งของพวกเขา คือ lanio2 เป็น isostructural

srcuo2 แม่ผสม sr0.9la0.1cuo2 TC สูง กับ TC = 44 K , และมีการตั้งค่า 3d9 ซึ่ง
หายากมากในออกไซด์ แต่ทั่วไป TC สูงทองแดงออกไซด์การสังเคราะห์ของ lanio2 ไม่ใช่เรื่องง่าย แต่เราแสดงให้เห็นในบทความนี้
lanio2 การสังเคราะห์ฟิล์มบางค่อนข้างง่าย ขอบคุณใหญ่ surfaceto -
อัตราส่วนปริมาตร ซึ่งทำให้การกระจายของออกซิเจน เงื่อนไขการสังเคราะห์บริสุทธิ์ของเราผลิต
ขอดำเนินการภาพยนตร์ของ lanio2 . สภาพต้านทานไฟฟ้าของฟิล์มที่ดีที่สุดคือเป็นต่ำเป็น 640 LX เซนติเมตรที่ 295 K
ลดอุณหภูมิลงถึง 230 เค แต่มันแสดงถึงความค่อยเป็นค่อยไปที่อุณหภูมิต่ำกว่า