We can see that the difference betw

We can see that the difference between ƒs, the crystals fundamental frequency and ƒp is small at about 18kHz (10.005MHz – 9.987MHz). However during this frequency range, the Q-factor (Quality Factor) of the crystal is extremely high because the inductance of the crystal is much higher than its capacitive or resistive values. The Q-factor of our crystal at the series resonance frequency is given as:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราจะเห็นว่าความแตกต่างระหว่าง ƒs ผลึกความถี่พื้นฐาน และ ƒp เล็ก ๆ ที่เกี่ยวกับ 18kHz (10.005 MHz-9.987 MHz) อย่างไรก็ตาม ระหว่างช่วงนี้ความถี่ Q-ตัวคูณ (ตัวคูณคุณภาพ) ของผลึกได้สูงมากเนื่องจาก inductance ของผลึกจะสูงกว่าค่าของหน้า หรือควบคุม Q-ปัจจัยของคริสตัลที่ความถี่สั่นพ้องชุดถูกกำหนดเป็น:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราจะเห็นว่าความแตกต่างระหว่างƒs, คริสตัลความถี่พื้นฐานและƒpมีขนาดเล็กประมาณ 18kHz (10.005MHz - 9.987MHz) อย่างไรก็ตามในระหว่างช่วงความถี่นี้ Q-ปัจจัย (ปัจจัยคุณภาพ) ของผลึกที่สูงมากเพราะการเหนี่ยวนำของผลึกจะสูงกว่าค่า capacitive หรือทานของมัน Q-ปัจจัยของผลึกของเราได้ที่ความถี่เรโซแนนซีรีส์จะได้รับเป็น:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราสามารถเห็นความแตกต่างระหว่างƒ S , ผลึกความถี่มูลฐาน และƒ P มีขนาดเล็กประมาณ 18khz ( 10.005mhz – 9.987mhz ) อย่างไรก็ตาม ระหว่างนี้ ช่วงความถี่ , q-factor ( ปัจจัยคุณภาพของผลึกสูงมากเนื่องจากการเหนี่ยวนำของคริสตัลจะสูงกว่าค่าตัวเก็บประจุหรือความต้านทานของการ q-factor ของคริสตัลที่ชุดเรโซแนนซ์ความถี่ให้ :