The zinc oxide films were deposited

The zinc oxide films were deposited in an RF
(13.56 MHz) diode sputtering unit (Alcatel, France).
The pumping system consists of a standard rotary
pump, diffusion pump and a liquid nitrogen trap. A
3-inch diameter stoichoimetric target of ZnO was
used. Sputtering was carried out in pure argon
atmosphere in ‘sputtered-up’ configuration. The Si
wafers of 2-inch diameter were clamped on to the
substrate holder. The sputtering process was performed
in the pressure range of 5–20 mTorr and the
RF power ranging from 100 to 300 W. Films were
deposited at various sputtering pressures and RF
power. The target to substrate distance was kept
constant at 45 mm for all the depositions. No
external substrate heating was done during the
deposition. However, during sputtering process the
temperature due to self-heating is expected to rise to
approximately 150 "C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ที่ถูกฝากไว้ใน RF
(13.56 MHz) หน่วยไดโอดสปัตเตอร์ (Alcatel, ฝรั่งเศส).
ระบบสูบน้ำประกอบด้วยหมุน
, ปั๊มแพร่มาตรฐานและกับดักไนโตรเจนเหลว
3 นิ้วเส้นผ่าศูนย์กลาง stoichoimetric เป้าหมายของ ZnO
ถูกใช้ สปัตเตอร์ได้รับการดำเนินการในอาร์กอนบริสุทธิ์
บรรยากาศในการกำหนดค่า 'พ่นขึ้น' si
เวเฟอร์ขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางขนาด 2 นิ้วถูกบีบเพื่อ
ผู้ถือสารตั้งต้น กระบวนการสปัตเตอร์ได้ดำเนินการในช่วง
ความดันของ 5-20 mtorr และ
พลังงาน RF ตั้งแต่ 100-300 วัตต์ ภาพยนตร์ที่ถูก
ฝากที่สปัตเตอร์แรงกดดันต่างๆและ RF
อำนาจ เป้าหมายในระยะทางที่พื้นผิวถูกเก็บไว้คงที่ที่
45 มม. เพื่อ depositions ทั้งหมด
ไม่มีเครื่องทำความร้อนพื้นผิวภายนอกได้รับการทำในช่วง
สะสม แต่ในระหว่างกระบวนการสปัตเตอร์
เนื่องจากอุณหภูมิความร้อนด้วยตนเองที่คาดว่าจะสูงขึ้นไปประมาณ 150
"C

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มออกไซด์ได้ฝากใน RF
(13.56 MHz) ไดโอด sputtering หน่วย (Alcatel ฝรั่งเศส) .
ประกอบด้วยระบบปั๊มโรตารี่มาตรฐาน
ปั๊ม ปั๊มแพร่ และจับไนโตรเจนเหลว A
3 นิ้วเส้นผ่าศูนย์กลาง stoichoimetric เป้าหมายของ ZnO ถูก
ใช้ พ่นทำออกในอาร์กอนบริสุทธิ์
บรรยากาศในการกำหนดค่า 'sputtered ขึ้น' ศรีการ
รับของเส้นผ่าศูนย์กลาง 2 นิ้วมี clamped เพื่อการ
ใส่พื้นผิว ทำการ sputtering
ในช่วงความดัน 5–20 mTorr และ
ตั้งแต่ 100 ฟิล์ม 300 ที่สามารถปริมาณพลังงาน RF ถูก
ฝากต่าง ๆ sputtering ดันและ RF
พลังงาน เป้าหมายที่จะห่างจากพื้นผิวถูกเก็บ
คงที่ที่ 45 มมสำหรับ depositions ทั้งหมด ไม่
ความร้อนพื้นผิวภายนอกในระหว่างทำการ
สะสม อย่างไรก็ตาม ในระหว่างกระบวนการพ่นการ
อุณหภูมิเนื่องจากความร้อนด้วยตนเองคาดว่าจะเพิ่มขึ้นเป็น
c ประมาณ 150 "

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพยนตร์ สังกะสีออกไซด์ที่ถูกเก็บรักษาไว้ในระบบ( 13.56 MHz )ไดโอดวัด อุณหภูมิ ละล่ำละลักชุด(อัลคาเทลฝรั่งเศส)..

ซึ่งจะช่วยสูบน้ำ RF ที่ประกอบด้วยมาตรฐานแบบหมุน
เครื่องปั๊มน้ำนมเครื่องปั๊มน้ำนมและกับดักไนโตรเจนเหลวที่ เป้าหมาย stoichoimetric เส้นผ่านศูนย์กลาง
3 - นิ้วของ zno เป็น
ซึ่งจะช่วยนำไปใช้ ละล่ำละลักก็ถูกหามออกจากในบริสุทธิ์ก๊าซอา - ก็อน
บรรยากาศใน'การตั้งค่าพ่นออกมาด้วย - up ' ขนมแผ่นศรี
ของเส้นผ่านศูนย์กลาง 2 นิ้วพันกันหรือไม่ก็ไปที่
ที่ใส่สาร. การละล่ำละลักที่ได้ดำเนินการ
ซึ่งจะช่วยในช่วงความดันของ mtorr 5-20 และการใช้พลังงาน RF
ซึ่งจะช่วยได้ตั้งแต่ 100 ถึง 300 W . ภาพยนตร์ เป็นคลื่นวิทยุ( RF )
ซึ่งจะช่วยมอบที่และแรงกดดันต่างๆละล่ำละลัก
ซึ่งจะช่วยประหยัดพลังงาน เป้าหมายในระยะไกลเป็นสารที่ได้รับการดูแลรักษาอย่างต่อเนื่อง
45 มม.สำหรับการจัดงานทั้งหมด
ภายนอก เท่านั้นไม่มีเครื่องทำความร้อนทำได้ในระหว่าง
ซึ่งจะช่วยวางที่ แต่ถึงอย่างไรก็ตามในระหว่างกระบวนการละล่ำละลักที่
ตามมาตรฐานอุณหภูมิ เนื่องจากตัวเอง - เครื่องทำความร้อนจะคาดว่าจะเพิ่มขึ้นเป็น
ประมาณ 150 ".