For a direct band gap semiconductor

For a direct band gap semiconductor, the absorption coefficient can be evaluated by relation a A(hv-Eg) Ihy, where Eg is the optical energy gap.The band gap of the RTA-CZTse film is determined from the x-intercept as shown in Fig. 6.It is apparent that the band gap of the RTA-CzTse film is 0.98 ev, which is than that of CzTs(about 1.5 e) materials. The optical absorption coeffcient is in the order of 104 cm in the visible region.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับการวงตรงช่องว่างของสารกึ่งตัวนำ สัมประสิทธิ์การดูดซับที่สามารถถูกประเมิน โดยความสัมพันธ์ของ Ihy ใน A(hv-Eg) ที่เป็นช่องว่างพลังงานแสงเช่น ช่องว่างวงของฟิล์ม RTA CZTse จะกำหนดจากจุดตัดแกน x ดังแสดงในรูป 6.เห็นได้ชัดเจนว่าช่องว่างวงของฟิล์ม RTA CzTse ev 0.98 ซึ่งเป็นที่ CzTs(about 1.5 e) วัสดุ Coeffcient ดูดซึมแสงลำดับ 104 ซม.ในพื้นที่มองเห็นได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับเซมิคอนดักเตอร์วงช่องว่างตรงค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมสามารถประเมินได้โดยความสัมพันธ์ A (HV-เช่น) Ihy ที่เป็นเช่นพลังงาน gap.The ช่องว่างแถบแสงของฟิล์ม RTA-CZTse จะถูกกำหนดจาก X-ตัดตามที่ปรากฏ ในรูป 6.It เห็นได้ชัดว่าช่องว่างวงดนตรีของภาพยนตร์ RTA-CzTse คือ 0.98 EV ซึ่งเป็นกว่า CzTs (ประมาณ 1.5 E) วัสดุ coeffcient การดูดซึมแสงอยู่ในลำดับที่ 104 ซม. ในภูมิภาคท​​ี่มองเห็นได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับวงตรงช่องว่างเซมิคอนดักเตอร์ , การดูดซึมโดยสามารถประเมินได้โดยความสัมพันธ์ ( เช่น ihy HV ) ซึ่งเป็นพลังงานแสง เช่น ช่องว่าง ช่องว่างแถบของ RTA cztse ภาพยนตร์จะถูกกำหนดจาก x-intercept ดังแสดงในรูปที่ 6 มันเป็นที่เห็นได้ชัดว่าช่องว่างแถบของ RTA cztse ภาพยนตร์คือ 0.98 รถไฟฟ้า ซึ่งกว่าที่ czts ( ประมาณ 1.5 E ) วัสดุ การดูดกลืนแสง coeffcient อยู่ในคำสั่งของ 104 ซม. ในพื้นที่ที่มองเห็นได้