four-core power results are shown i

four-core power results are shown in Figure 10b with
the power breakdown in detail. Since Half-DRAM-1Row has
almost the same runtime as the baseline, its power is given
so that we can concentrate on the power reduction from activation.
As shown in the figure, the power efficiency varies
among the benchmarks. For instance, test1 and test6 have
significant power reduction, which is up to 9.1% and 10%,
respectively. In contrast, the power reduction from test3 and
test9 is relatively small (5.8% and 7%). The effect of fine-grain
activation in Half-DRAM is mainly determined by the intensity
of activations at runtime. From Figure 10b, it is obvious
that the activation power in test1 is big enough to reflect the
power efficiency of Half-DRAM. On the other hand, the power
gain is limited because the high buffer hit rate can effectively
amortize the activation power, like what happens in test3. In
general, Half-DRAM-1Row can achieve 8.4% improvement
on power efficiency over the baseline.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พลังงาน 4 หลักผลลัพธ์จะแสดงในรูปที่ 10 ขด้วยการแบ่งอำนาจในรายละเอียด เนื่องจากมีครึ่ง-DRAM-1Rowเกือบจะเหมือนรันไทม์เป็นพื้นฐาน กำลังจะได้รับเพื่อให้เราสามารถเน้นการลดพลังงานจากการเปิดใช้งานดังแสดงในรูป ประสิทธิภาพการใช้พลังงานไปจนในเกณฑ์มาตรฐาน เช่น test1 และ test6 มีลดใช้พลังงานอย่างมีนัยสำคัญ ซึ่งเป็นถึง 9.1% และ 10%ตามลำดับ ในความคมชัด การลดพลังงานจาก test3 และtest9 มีขนาดค่อนข้างเล็ก (5.8% และ 7%) ผลของเมล็ดข้าวปรับการเปิดใช้งานครึ่ง DRAM ส่วนใหญ่ถูกกำหนด โดยความเข้มของการเปิดใช้งานในขณะทำ จากรูปที่ 10 ข เป็นที่ชัดเจนว่ากำลังเปิดใช้งานใน test1 ขนาดใหญ่พอที่จะสะท้อนให้เห็นถึงการประสิทธิภาพพลังงานของ DRAM ครึ่ง ในทางกลับกัน อำนาจกำไรไม่จำกัดเนื่องจากบัฟเฟอร์สูงตีอัตราสามารถได้อย่างมีประสิทธิภาพตัดจำหน่ายพลังงานเปิดใช้งาน เช่นสิ่งที่เกิดขึ้นใน test3 ในทั่วไป 1Row ครึ่ง DRAM สามารถบรรลุ 8.4% ปรุงประสิทธิภาพพลังงานมากกว่าหลักการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลการพลังสี่หลักจะแสดงในรูปที่ 10b กับ
การสลายพลังงานในรายละเอียด ตั้งแต่ครึ่ง DRAM-1ROW มี
เกือบรันไทม์เดียวกันเป็นพื้นฐานอำนาจของตนจะได้รับ
เพื่อให้เราสามารถมีสมาธิในการลดการใช้พลังงานจากการเปิดใช้
ดังแสดงในรูปที่มีประสิทธิภาพพลังงานที่แตกต่างกันไป
ในหมู่มาตรฐาน ยกตัวอย่างเช่น test1 และ TEST6 มี
การลดการใช้พลังงานอย่างมีนัยสำคัญซึ่งจะขึ้นอยู่กับ 9.1% และ 10%
ตามลำดับ ในทางตรงกันข้ามการลดไฟจาก test3 และ
test9 มีขนาดค่อนข้างเล็ก (5.8% และภาษีมูลค่าเพิ่ม 7%) ผลของการปรับเม็ด
ยืนยันการใช้งานในครึ่ง DRAM จะถูกกำหนดโดยส่วนใหญ่ความเข้ม
ของการเปิดใช้งานที่รันไทม์ จากรูปที่ 10b จะเห็นได้ชัด
ว่าอำนาจการเปิดใช้งานใน test1 มีขนาดใหญ่พอที่จะสะท้อนให้เห็นถึง
ประสิทธิภาพการใช้พลังงานของ Half-DRAM ในขณะที่พลังงาน
ที่ได้รับจะถูก จำกัด เนื่องจากบัฟเฟอร์สูงตีอัตราการได้อย่างมีประสิทธิภาพสามารถ
หักกลบลบล้างอำนาจการเปิดใช้งานเช่นเดียวกับสิ่งที่เกิดขึ้นใน test3 ใน
ทั่วไปครึ่ง DRAM-1ROW สามารถบรรลุการปรับปรุง 8.4%
ที่มีต่อประสิทธิภาพการใช้พลังงานมากกว่าปกติ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สี่หลักพลังผลลัพธ์จะแสดงในรูป 10b กับ
พลังสลายในรายละเอียด ตั้งแต่ half-dram-1row ได้
เกือบเดียวกัน Runtime เป็นพื้นฐาน พลังของมันให้
เพื่อให้เราสามารถมุ่งเน้นพลังงานลดลงจากการเปิดใช้งาน .
ดังแสดงในรูปพลังงานประสิทธิภาพแตกต่างกัน
ระหว่างวัด ตัวอย่าง และมีการ test1 test6
พลังสำคัญ ซึ่งมีถึง 91 % และ 10 %
ตามลำดับ ในทางตรงกันข้าม พลังลดจาก test2 และ
test9 ค่อนข้างเล็ก ( 5.8 % และ 5 % ) ผลของการกระตุ้นเม็ด
ดีครึ่ง DRAM จะถูกกําหนดโดยส่วนใหญ่ความเข้ม
ของกิจกรรมที่รันไทม์ จากรูปที่ 10b เห็นได้ชัดว่า การใช้พลังงานใน test1

มีขนาดใหญ่พอที่จะสะท้อนให้เห็นถึงพลังประสิทธิภาพของครึ่งหนึ่งของ . บนมืออื่น ๆ , พลังงาน
ได้รับถูก จำกัด เพราะบัฟเฟอร์สูง ตี อัตราการใช้พลังงานได้อย่างมีประสิทธิภาพสามารถ
กลับกลอก เหมือนสิ่งที่เกิดขึ้นใน test2 . ใน
ทั่วไป half-dram-1row สามารถบรรลุ 8.4% การปรับปรุง
ประสิทธิภาพพลังพื้นฐาน