as MOSFET, IGBT etc, a capacitor an

as MOSFET, IGBT etc, a capacitor and two fly-wheel
diodes (D1 and D2), which form the H semi-bridge structure.
R and L are resistance and inductance of coil respectively.
The operation states of the three-level semi-bridge
PWM switching power amplifier are divided into four
states: i.e., charge state, discharge state and two persistence
states, which are shown in Fig. 2, respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มอสเฟต IGBT เป็นต้น เป็นตัวเก็บประจุ และบินสองล้อไดโอดได้ (ง 1 และ D2), ซึ่งรูปแบบโครงสร้างสะพานกึ่ง HR และ L มีความต้านทานและ inductance ของขดลวดตามลำดับสถานะการดำเนินงานของสะพานสามระดับกึ่งPWM สลับเพาเวอร์แอมป์จะแบ่งออกเป็น 4อเมริกา: เช่น ค่าสถานะ ปลดสถานะและมีอยู่สองอเมริกา ซึ่งแสดงอยู่ใน Fig. 2 ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็น MOSFET, IGBT ฯลฯ ตัวเก็บประจุและสองล้อบิน
(ไดโอด D1 และ D2) ซึ่งรูปแบบ H โครงสร้างกึ่งสะพาน.
R และ L มีความต้านทานและเหนี่ยวนำของขดลวดตามลำดับ.
การดำเนินงานรัฐของสามระดับกึ่ง สะพาน
PWM เปลี่ยนเครื่องขยายสัญญาณเสียงจะถูกแบ่งออกเป็นสี่
รัฐ: เช่นค่าใช้จ่ายของรัฐรัฐปล่อยและสองวิริยะ
รัฐซึ่งจะแสดงในรูป 2 ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นมอสเฟต , IGBT เป็นต้น และไดโอดตัวเก็บประจุสองล้อ
บิน ( D1 และ D2 ) ซึ่งรูปแบบกึ่งโครงสร้างสะพาน H .
R และ L มีความต้านทานและการเหนี่ยวนำของขดลวดตามลำดับ
การผ่าตัดของสหรัฐอเมริกาสามระดับกึ่งสะพาน
PWM เปลี่ยนเครื่องขยายเสียงจะแบ่งออกเป็นสี่
สถานะ : เช่น ประจุ รัฐ , รัฐและสองการติดตา
สหรัฐอเมริกา ซึ่งแสดงในรูปที่ 2 ตามลำดับ