The improvement of GaN-based LED gr

The improvement of GaN-based LED grown on concave nano-pattern
sapphire substrate with SiO2 blocking layer

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปรับปรุงใช้กันไฟปลูกในรูปแบบนาโนการเว้าพื้นผิวแซฟไฟร์ ด้วย SiO2 บล็อกชั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปรับปรุงกาน LED
ที่ใช้ปลูกในรูปแบบนาโนเว้าพื้นผิวที่มีการปิดกั้นไพลินชั้นSiO2