Low temperature synthesis of thin s

Low temperature synthesis of thin silicon carbonitride
SiCxNy films with the lowest permittivity k= 3.0 was developed
by RPECVD using the mixture of hexamethyldisilazane with
helium

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การสังเคราะห์อุณหภูมิต่ำของซิลิคอนบาง carbonitrideSiCxNy ฟิล์มกับ k permittivity ต่ำสุด = 3.0 ได้รับการพัฒนาโดยใช้ส่วนผสมของ hexamethyldisilazane กับ RPECVDฮีเลียม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การสังเคราะห์อุณหภูมิต่ำของบางซิลิคอน carbonitride
ภาพยนตร์ SiCxNy กับ permittivity K = 3.0 ต่ำสุดได้รับการพัฒนา
โดย RPECVD โดยใช้ส่วนผสมของ hexamethyldisilazane กับ
ฮีเลียม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การสังเคราะห์ carbonitride บางซิลิคอนอุณหภูมิต่ำภาพยนตร์ sicxny กับต่ำสุดที่ป้อน K = 3.0 ถูกพัฒนาขึ้นโดย rpecvd โดยใช้ส่วนผสมของเฮกซาเมทิลไดซิลาเซนด้วยฮีเลียม