1. Introduction The interest in ult

1. Introduction
The interest in ultraviolet (UV) light sensors have been stimulated in the fields of ozone layer and ultraviolet radiation monitoring, satellite communications and UV astronomy. UV sensors based on metalsemiconductor-metal phototransistor, photoconducting layers [1, 2] and Schottky Barrier [3] have been successfully demonstrated. The sensing mechanism for these kinds of PN junction device is to monitor the variations between dark current and photocurrents that produced by the illumination of UV light. Besides, surface acoustic wave (SAW) devices were also introduced for UV sensing application because they were well-known as a good candidate for the field of various sensing applications [4-11]. Most of the acoustic waves propagate in the vicinity of the thin film surface within a depth of one wavelength, so SAW devices are very sensitive to any slight changes in the physical characteristics of the surface. In this study, thin film bulk acoustic wave (TFBAW) devices were employed due to the fact that TFBAW devices have advantages of low insertion loss, high power handling capability, small size, and high operating frequency, compared with SAW devices. TFBAW devices operated with a short wavelength and therefore more sensitive to the changes in material properties of films so they were expected to create a UV sensor with a considerably high sensitivity and better performance. Zinc oxide (ZnO) thin film has attracted much interest because of its excellent piezoelectric, optical, and semiconducting properties. The film has several applications, such as in SAW devices, thin-film bulk acoustic wave resonators, optoelectronic devices and sensors. ZnO is an attractive material candidate for acoustic wave device and ultraviolet optoelectronics, since it has a high coupling coefficient and a direct energy band gap of approximately 3.2 eV at room temperature. Therefore, ZnO film in this study was adopted simultaneously as the UV sensing layer and the piezoelectric layer.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

1. บทนำ
ความสนใจในรังสีอัลตราไวโอเลต (UV) เซ็นเซอร์แสงที่ได้รับการกระตุ้นในด้านของชั้นโอโซนและการตรวจสอบรังสีอัลตราไวโอเลต, การสื่อสารผ่านดาวเทียมและดาราศาสตร์รังสียูวี เซ็นเซอร์ UV ขึ้นอยู่กับ Phototransistor metalsemiconductor โลหะชั้น photoconducting [1, 2] และกี Barrier [3] ได้รับการแสดงให้เห็นถึงการประสบความสำเร็จ กลไกการตรวจวัดเหล่านี้ชนิดของอุปกรณ์ PN ชุมทางคือการตรวจสอบรูปแบบระหว่างความมืดในปัจจุบันและ photocurrents ที่ผลิตโดยการส่องสว่างของแสงยูวี นอกจากนี้พื้นผิวคลื่นอะคูสติก (SAW) อุปกรณ์ก็ยังแนะนำสำหรับการประยุกต์ใช้การตรวจจับรังสียูวีเพราะพวกเขาเป็นที่รู้จักกันดีในฐานะผู้สมัครที่ดีสำหรับการใช้งานด้านการตรวจวัดต่างๆ [4-11] ส่วนใหญ่ของคลื่นคูสติกเผยแพร่ในบริเวณใกล้เคียงของพื้นผิวฟิล์มบาง ๆ ภายในความลึกของหนึ่งความยาวคลื่นดังนั้นอุปกรณ์เลื่อยมีความไวต่อการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยใด ๆ ในลักษณะทางกายภาพของพื้นผิว ในการศึกษานี้ฟิล์มบางกลุ่มคลื่นอะคูสติก (TFBAW) อุปกรณ์ที่ถูกว่าจ้างเนื่องจากความจริงที่ว่าอุปกรณ์ TFBAW มีข้อได้เปรียบของการสูญเสียต่ำแทรกความสามารถในการจัดการพลังงานที่สูงขนาดเล็กและความถี่ในการดำเนินงานสูงเมื่อเทียบกับอุปกรณ์ SAW อุปกรณ์ TFBAW ดำเนินการกับความยาวคลื่นสั้นและดังนั้นจึงมีความไวต่อการเปลี่ยนแปลงในคุณสมบัติของวัสดุของภาพยนตร์เพื่อให้พวกเขาได้รับการคาดว่าจะสร้างเซ็นเซอร์รังสียูวีที่มีความไวสูงมากและประสิทธิภาพที่ดีขึ้น สังกะสีออกไซด์ (ZnO) ฟิล์มบางได้ดึงดูดความสนใจมากเพราะ piezoelectric, คุณสมบัติทางแสงและสารกึ่งตัวนำที่ดีเยี่ยม ภาพยนตร์เรื่องนี้มีการใช้งานหลายอย่างเช่นในอุปกรณ์ SAW ฟิล์มบางกลุ่ม resonators คลื่นอะคูสติก, อุปกรณ์ optoelectronic และเซ็นเซอร์ ซิงค์ออกไซด์เป็นผู้สมัครที่น่าสนใจสำหรับวัสดุอุปกรณ์คลื่นเสียงและใยแก้วนำแสงอัลตราไวโอเลตเพราะมันมีค่าสัมประสิทธิ์การมีเพศสัมพันธ์สูงและช่องว่างวงพลังงานโดยตรงประมาณ 3.2 eV ที่อุณหภูมิห้อง ดังนั้นฟิล์มซิงค์ออกไซด์ในการศึกษานี้ถูกนำมาใช้พร้อมกันเป็นชั้นการตรวจวัดรังสียูวีและชั้น piezoelectric

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

1 . แนะนำความสนใจในรังสีอัลตราไวโอเลต ( UV ) เซ็นเซอร์แสงได้รับการกระตุ้นในด้านของชั้นโอโซนและติดตามการสื่อสารผ่านดาวเทียมและดาราศาสตร์รังสีอัลตราไวโอเลต UV เซ็นเซอร์ยูวีโดยใช้โฟโต้ทรานซิสเตอร์โลหะ metalsemiconductor photoconducting , ชั้น [ 1 , 2 ] และอุปสรรคท์ [ 3 ] ได้รับเรียบร้อยแล้วอีกด้วย ตรวจจับการเหล่านี้ชนิดของอุปกรณ์รอยต่อ PN คือการตรวจสอบการเปลี่ยนแปลงระหว่าง photocurrents ในปัจจุบันและมืดที่ผลิตโดยการส่องสว่างของแสงยูวี นอกจากนี้ ไม่มีคลื่นพื้นผิว ( เห็น ) อุปกรณ์ยังแนะนำสำหรับโปรแกรมตรวจจับยูวีเพราะพวกเขาเป็นที่รู้จักในฐานะที่เป็นผู้สมัครที่ดีสำหรับเขตข้อมูลต่าง ๆจากการใช้งาน [ 4-11 ] ส่วนใหญ่ของคลื่นอะคูสติกแพร่พันธุ์ในบริเวณพื้นผิวของฟิล์มบางในระดับความลึกของหนึ่งคลื่น ดังนั้น เห็นอุปกรณ์ที่อ่อนไหวกับการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยในลักษณะทางกายภาพของพื้นผิว การศึกษาฟิล์มบางกลุ่มคลื่นอะคูสติก ( tfbaw ) อุปกรณ์ได้แก่ เนื่องจากอุปกรณ์ tfbaw มีข้อดีของการสูญเสียการแทรกต่ำพลังงานสูงการจัดการความสามารถ ขนาด เล็ก และความถี่สูง เทียบกับ เห็น อุปกรณ์ tfbaw อุปกรณ์ผ่าตัดด้วยความยาวคลื่นสั้นและดังนั้นจึงมีความไวต่อการเปลี่ยนแปลงในคุณสมบัติของวัสดุของฟิล์ม ดังนั้นพวกเขาจึงคาดหวังที่จะสร้างเซ็นเซอร์ UV ด้วยความไวสูงมาก และประสิทธิภาพที่ดีขึ้น ซิงค์ออกไซด์ฟิล์มได้ดึงดูดความสนใจมากเพราะมี piezoelectric , แสง , และคุณสมบัติกึ่งตัวนำ . ภาพยนตร์เรื่องนี้มีโปรแกรมต่างๆ เช่น เห็นอุปกรณ์ ฟิล์มบางกลุ่มคลื่นอะคูสติก resonators อุปกรณ์ optoelectronic และเซ็นเซอร์ ซิงค์ออกไซด์เป็นวัสดุที่น่าสนใจสำหรับผู้สมัครคลื่นอะคูสติกและรังสีอัลตราไวโอเลตอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ เนื่องจากมันมีสัมประสิทธิ์การเชื่อมต่อสูงและตรงช่องว่างแถบพลังงานประมาณ 3.2 EV ที่อุณหภูมิห้อง ดังนั้น , ซิงค์ออกไซด์ฟิล์มในการศึกษานี้ถูกประกาศใช้พร้อมกันเป็น UV ข้อมูลชั้นและชั้น piezoelectric .