Design a self-bias network using a

Design a self-bias network using a JFET transistor with IDDD = 8 mA and VP Z = -6 V to havia a
Q-point at IDD Q = 4 mA using a supply of 14 V. Assume that RD = 3RRR and use standard values.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ออกแบบเครือข่ายตนเอง bias ที่ด้วยทรานซิสเตอร์ JFET IDDD = mA และ VP Z 8 =-6 V ถึง havia ตัวQ-จุดที่สายตรง Q = 4 mA ใช้อุปทานของ 14 V. Assume ว่าถนน = 3RRR และใช้ค่ามาตรฐาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ออกแบบเครือข่ายตัวเองอคติใช้ทรานซิสเตอร์ JFET กับ IDDD = 8 mA และรองประธานฝ่าย Z = -6 V เพื่อ havia
Q-จุดทางไกลต่างประเทศ Q = 4 mA ใช้อุปทานของโวลต์ 14 สมมติว่า RD = 3RRR และใช้ค่ามาตรฐาน .

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การออกแบบโครงข่ายที่ใช้ทรานซิสเตอร์ jfet ตนเองอคติกับ iddd = 8 มาและ VP Z = - 6 V ที่จะเกิดขึ้นเป็น
q-point ที่สายตรง q = 4 มาใช้จ่าย 14 โวลต์ สมมติว่า 1 = 3rrr และใช้มาตรฐานค่า