ReferencesC. Alton & R. Sundararaja

References
C. Alton & R. Sundararajan. (2004). Simple MOSFET-Based High-Voltage Nanosecond Pulse Circuit. IEEE Transactions on Plasma Science, Vol. 32, No. 5, Oct 2004.
E. S. Fulkerson & R. Box. Design of reliable high voltage avalanche transistor pulsers. Lawrence Livermore National
Laboratory.
E. S. Fulkerson, D. C. Norman & R. Booth. (1997). Driving Pockels Cell Using Avalanche Transistor Pulsers. 11th
IEEE International Pulse Power Conference, Baltimore, Maryland.
L. L. Molina, A. Mar, F. J. Zutavern, G. M. Loubriel & M. W. O’Malley. (2002). Sub-nanosecond avalanche transistor drivers for low impedance pulsed power applications. IEEE, pp 178-181
Lui Jinyuan, Shan Bing & Chang Zenghu. (1998). High Voltage fast ramp pulse generation using avalanche transistor.
Review of Scientific Instruments, Vol. 69, No. 8, 3066-3067
N. Chadderton. (1996). The ZTX 415 Avalanche Mode Transistor: An Introduction to Characteristics, Performance and
Application. Application Note, Issue 2
(1995). NPN Silicon planar avalanche transistor ZTX 415: Datasheet, Issue 4 – Nov 1995.
U. Jankee & C. P. Navathe. (2006). A fast high-voltage pulse generator with variable amplitude and duration. Design
Note, Meas. Sci. Technol., 17, N25-N28.
W. Koechner. (2006). Solid State Laser Engineering. 6th Edition, United State of America, Springer Science-Business
Media. pp 514-516.
W.G. Magnuson. (1962). Variable-width pulse generation using avalanche transistor. IEEE Transactions on
Instrumentation and Measurement, Sep, pp 56-64.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การอ้างอิงC. Alton & R. Sundararajan (2004) ง่ายโดยใช้มอสเฟตแรงสูง Nanosecond หมุนวงจร ธุรกรรม IEEE ในพลาสม่าวิทยาศาสตร์ ปี 32 หมายเลข 5, 2547 ตุลาคมE. S. Fulkerson และ R. กล่อง การออกแบบของ pulsers ทรานซิสเตอร์หิมะถล่มไฟฟ้าแรงสูงที่เชื่อถือได้ ลอว์เรนซ์ลิเวอร์มอร์แห่งชาติห้องปฏิบัติการE. S. Fulkerson, D. C. นอร์แมน และ R. บูธ (1997) ขับเซลล์ Pockels ใช้ Pulsers ทรานซิสเตอร์หิมะถล่ม 11IEEE ชีพจรประเทศกำลังประชุม บัลติมอร์ แมริแลนด์ด้วยL. L. Molina, Mar, A. F. J. Zutavern, G. M. Loubriel และ M. W. O'Malley (2002) ประยุกต์พลังงานสูงย่อย nanosecond หิมะถล่มทรานซิสเตอร์ไดรเวอร์สำหรับความต้านทานต่ำ IEEE, pp 178-181จินหยวน Lui ชาน Bing และช้าง Zenghu (1998) สร้างพัลส์ทางลาดได้อย่างรวดเร็วแรงดันสูงใช้ทรานซิสเตอร์หิมะถล่มตรวจสอบเครื่องมือวิทยาศาสตร์ ปี 69 เลข 8, 3066-3067N. Chadderton (1996) . ทรานซิสเตอร์โหมดหิมะถล่ม 415 ZTX: บทนำลักษณะ ประสิทธิภาพ และแอพลิเคชัน หมายเหตุโปรแกรมประยุกต์ ฉบับที่ 2(1995) ทรานซิสเตอร์ NPN ซิลิคอนหิมะถล่มระนาบ ZTX 415: แผ่นข้อมูล ปัญหา 4 – 1995 พฤศจิกายนประเทศ Jankee และ C. P. Navathe (2006) . เครื่องกำเนิดไฟฟ้าแรงสูงอย่างรวดเร็วชีพจรคลื่นผันแปรกับระยะเวลาการ การออกแบบหมายเหตุ วัด Sci. Technol., 17, N25-N28Koechner ตะวันตก (2006) . เลเซอร์ของแข็งรัฐวิศวกรรม รุ่น 6 สหรัฐอเมริกา Springer วิทยาศาสตร์ธุรกิจสื่อ pp ที่ 514-516W.G. Magnuson (1962) . ตัวแปรความกว้างพัลส์รุ่นใช้ทรานซิสเตอร์หิมะถล่ม ธุรกรรมของ IEEEเครื่องมือวัดและประเมิน ก.ย. pp 56-64

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อ้างอิง
ซี ตันและอาร์ Sundararajan (2004) MOSFET-Based ง่ายแรงสูง nanosecond วงจรพัลส์ ธุรกรรมอีอีอีพลาสม่าวิทยาศาสตร์ฉบับ 32, ฉบับที่ 5 ต.ค. 2004
ES Fulkerson และอาร์กล่อง การออกแบบทรานซิสเตอร์ pulsers ถล่มไฟฟ้าแรงสูงที่เชื่อถือได้ Lawrence Livermore National
ห้องปฏิบัติการ.
ES Fulkerson ซีนอร์แมนและอาร์บูธ (1997) ขับรถมือ Pockels ใช้ถล่มทรานซิสเตอร์ Pulsers 11
การประชุมนานาชาติ IEEE พัลส์พาวเวอร์, บัลติมอร์.
LL โมลินาเอลมาร์, FJ Zutavern จีเอ็ม Loubriel เมกะวัตต์และโอมอลลี (2002) nanosecond อนุกรรมการไดรเวอร์ทรานซิสเตอร์ถล่มต้านทานต่ำสำหรับการใช้งานพลังงานชีพจร อีอีอีพี 178-181
ลุย Jinyuan ฉาน Bing และช้าง Zenghu (1998) แรงดันสูงได้อย่างรวดเร็วทางลาดรุ่นพัลส์โดยใช้ทรานซิสเตอร์ถล่ม.
ความคิดเห็นของเครื่องมือทางวิทยาศาสตร์ฉบับ 69, ฉบับที่ 8, 3066-3067
เอ็น Chadderton (1996) ZTX 415 โหมดถล่มทรานซิสเตอร์: รู้เบื้องต้นเกี่ยวกับลักษณะการปฏิบัติงานและ
การประยุกต์ใช้ หมายเหตุแอพลิเคชัน, ฉบับที่ 2
(1995) ซิลิกอนทรานซิสเตอร์ NPN ถล่มระนาบ ZTX 415: แผ่นข้อมูล, ฉบับที่ 4 - พฤศจิกายน 1995
U. Jankee และ CP Navathe (2006) เครื่องกำเนิดไฟฟ้าชีพจรแรงดันสูงได้อย่างรวดเร็วด้วยความกว้างของตัวแปรและระยะเวลา ออกแบบ
หมายเหตุ Meas วิทย์ เทคโนโลยี., 17, N25-N28.
ดับบลิว Koechner (2006) โซลิดสเตวิศวกรรมเลเซอร์ 6 ฉบับของสหรัฐอเมริกาสปริงวิทยาศาสตร์ธุรกิจ
สื่อ หน้า 514-516.
WG Magnuson (1962) รุ่นชีพจรตัวแปรความกว้างโดยใช้ทรานซิสเตอร์หิมะถล่ม ธุรกรรมอีอีอี
เครื่องมือวัดและการวัด, กันยายน, หน้า 56-64

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อ้างอิง
C . แอลอาร์& sundararajan . ( 2004 ) มอสเฟตอย่างง่าย ใช้วงจรสูงนาโนวินาทีแรงดันชีพจร อีอีอีธุรกรรมในพลาสมาวิทยาศาสตร์ , ปีที่ 32 , ฉบับที่ 5 , 2547 .
E . S . Fulkerson & R . กล่อง การออกแบบที่เชื่อถือได้สูงแรงดันทรานซิสเตอร์ pulsers หิมะถล่ม . ห้องปฏิบัติการ Lawrence Livermore แห่งชาติ
.
E . S . Fulkerson ดี. ซี นอร์แมน &อาร์ บูธ ( 1997 )ขับรถ pockels เซลล์โดยใช้ทรานซิสเตอร์ pulsers หิมะถล่ม . 11
สากลโดยชีพจรพลังงานประชุม , Baltimore , Maryland .
L . L . โมลินา อ. Mar , F . J . zutavern G ม. loubriel &เอ็มดับบลิว โอมาลลี่ ( 2002 ) ย่อยนาโนวินาทีหิมะถล่มทรานซิสเตอร์อิมพีแดนซ์ต่ำไดรเวอร์สำหรับการใช้พลังงาน IEEE , PP 178-181
ลุย Jinyuan , Shan Bing &ช้าง zenghu . ( 1998 )แรงดันสูงรุ่นทางลาดอย่างรวดเร็วชีพจรใช้ทรานซิสเตอร์หิมะถล่ม .
ทบทวนเครื่องมือวิทยาศาสตร์ ฉบับที่ 69 , หมายเลข 8 3066-3067
. chadderton . ( 1996 ) โดย ztx 415 หิมะถล่มโหมดทรานซิสเตอร์ : ความรู้เบื้องต้นเกี่ยวกับลักษณะการทำงานและ
ใบสมัคร โปรแกรมบันทึกฉบับที่ 2
( 1995 ) ทรานซิสเตอร์ NPN ซิลิกอนระนาบหิมะถล่ม ztx 415 : แผ่น , ฉบับที่ 4 ( พฤศจิกายน 1995
U jankee &ซี. พี. navathe .( 2006 ) แรงดันของเครื่องกำเนิดไฟฟ้าได้อย่างรวดเร็วชีพจรกับตัวแปรและระยะเวลา ออกแบบ
หมายเหตุ เมียส . สภาวะโลกร้อน เทคโนโลยี , 17 , n25-n28 .
อะ คอชเนอร์ . ( 2006 ) วิศวกรรมเลเซอร์สถานะของแข็ง รุ่นที่ 6 , ประเทศสหรัฐอเมริกา , Springer วิทยาศาสตร์ธุรกิจสื่อ

PP 514-516 .
w.g. แมคนูสัน . ( 1962 ) รุ่นชีพจรความกว้างตัวแปรโดยใช้ทรานซิสเตอร์หิมะถล่ม บน
ธุรกรรมอีอีอีเครื่องมือวัดและการวัด , ก.ย. , PP
56-64 .