[17]. As thesematerial reach their

[17]. As these
material reach their physical limit, devices cannot keep up with their performance. The Si02 reliability degrades as it
becomes thinner and result in breakdown [4]. Although Cu is less sensitive to electromigration than AI , the material is
more susceptible to open defect when used as interconnect
wires. Low-k materials utilized for back end process (e.g.
insulator between adjacent interconnect wires to minimize
cross talk) suffer from the high mechanical and thermal stress
during packaging phase.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

[17] เป็นเหล่านี้
วัสดุถึงขีดจำกัดทางกายภาพของพวกเขา อุปกรณ์ไม่ทันกับการปฏิบัติงาน ความน่าเชื่อถือ Si02 เสื่อมเหมือน
กลายเป็นน้ำมันทินเนอร์ และผลเสีย [4] แม้ว่า Cu เป็นน้อยไป electromigration กว่า AI วัสดุเป็น
อ่อนแอมากขึ้นเมื่อต้องการเปิดข้อบกพร่องเมื่อใช้เป็นเชื่อม
สาย K ต่ำวัสดุที่ใช้ในกระบวนการสิ้นสุดหลัง (e.g.
ฉนวนระหว่างสาย interconnect ติดลด
คุยข้ามกัน) ต้องทนทุกข์ทรมานจากความเครียดจากความร้อน และเครื่องจักรกลที่สูง
ระหว่างขั้นตอนการบรรจุภัณฑ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

[17] เป็นเหล่านี้
วัสดุที่ถึงขีด จำกัด ทางกายภาพของพวกเขาอุปกรณ์ที่ไม่สามารถให้ทันกับประสิทธิภาพการทำงานของพวกเขา ความน่าเชื่อถือ Si02 ลดมัน
จะกลายเป็นทินเนอร์และผลในการสลาย [4] แม้ว่า Cu น้อยไวต่อการ electromigration กว่า AI, วัสดุที่
อ่อนแอมากขึ้นเพื่อเปิดข้อบกพร่องเมื่อใช้เป็นเชื่อมต่อระหว่าง
สาย วัสดุที่ต่ำ k ใช้สำหรับกระบวนการด้านหลัง (เช่น
ฉนวนกันความร้อนระหว่างสายไฟเชื่อมต่อระหว่างกันที่อยู่ติดกันเพื่อลดการ
คุยข้าม) ประสบจากความเครียดทางกลและความร้อนสูง
ในระหว่างขั้นตอนการบรรจุภัณฑ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

[ 17 ] เป็นเหล่านี้
วัสดุ ถึงขีดจํากัดของพวกเขาทางกายภาพ อุปกรณ์ไม่สามารถให้ทันกับการแสดงของพวกเขา การ si02 ความน่าเชื่อถือนี้เป็น
กลายเป็นทินเนอร์และผลในรายละเอียด [ 4 ] แม้ว่าทองแดงน้อยไวต่อ electromigration กว่าไอ , วัสดุ
อ่อนแอมากขึ้นเพื่อเปิดข้อบกพร่องเมื่อใช้เป็นกราฟ
สายไฟ วัสดุที่ใช้สำหรับกระบวนการ low-k ด้านหลัง ( เช่น
ฉนวนระหว่างติดกันเชื่อมสายไฟเพื่อลด
ครอสพูด ) ประสบสูงเครื่องจักรกล
ความเครียดความร้อนในระหว่างขั้นตอนการบรรจุภัณฑ์