3.2. Theoretical model of the elect

3.2. Theoretical model of the electronic nose After separationviacentrifugation, the resultant porous In2O3 microtubes were dispersed homogeneously in ethanol, as shown in Fig. 2a, and 5μL of this dispersion was dropped onto the Al2O3 ceramic tube revolving on the axis (see SI, Fig. S1). After the complete evaporation of ethanol, the porous In2O3 microtubes were uniformly coated onto the ceramic tube surface, forming a porous In2O3microtubes layer. By repeating the above procedure, sensors with varying porous In2O3microtube layers (Fig. 2b) were fabricated. Different from some reported nanowires, the porous microtubes provided large gas penetration channels, leading to fast response and short recovery time (see SI, Fig. S3). The resistance of each produced porous In2O3microtube sensor could be modeled as a network of parallel and serial resistive elements extending between two measuring electrodes, as shown inFig. 2c. The total resistance could be represented as below =+++…………… …() () R RRR R RRRff,, , a1,a2, ,an b1,b2, bm c1,c2, ck, z1,z2, zi T1,T2, TjCE whereRa(1n), Rb(1m), Rc(1k), …Rz(1i) are parallel and serial resistive elements, respectively;RT(1j)
is the contact resistance of porous In2O3microtubes;RCis the contact resistance of layer with electrodes, andREis the resistance of two measuring electrodes. As the gas penetrates into the layers, its concentration gradually decreases, which varies as a function of porosity, temperature, catalytic activity, gas composition, as well as layer thickness. These
multiple variables thereby result in a distinct response of each resistive element (Ra(1…n) , Rb(1…m) , Rc(1…k) …, Rz(1…i)) to the target gas (Becker et al., 2001). Furthermore, since none of In2O3 microtubes are exactly identical, the contact resistances of porous In2O3microtubes (RT(1…j)) are different in each single layer. These evidences suggest that a simple increase in the sensing layer does not lead to a linear enhancement of the sensor response. Based on this theory, the resistance of each fabricated porous In2O3microtubes sensor is independent of one another. Consequently, these
SMO sensors, simply fabricated by solvent-casting porous In2O3 microtubes, may provide comprehensive information, and could be utilized for the array-based electronic nose. 3.3. Electronic nose fabricated by porous In2O3microtubes sensor array for ethanol sensing Despite heterogeneous layer of In2O3 microtubes may be generated by the sensor fabrication approach we used hereof, it can be directly considered as a new sensor. The thickness of layers apparently play more important role in the gas sensing due to the gas penetrating discrepancy. It is generally acknowledged that thin layer induces fast response but relatively poor stability while too thick layer combusts the gas in the upper layer.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.2. รุ่นทฤษฎีของจมูกอิเล็กทรอนิกส์หลังจาก separationviacentrifugation, microtubes In2O3 porous ผลแก่ได้กระจาย homogeneously ในเอทานอล ดังที่แสดงใน Fig. 2a และ 5μL กระจายตัวนี้ถูกปล่อยลงบนท่อเซรามิก Al2O3 หมุนบนแกน (ดูซี ฟิก S1) หลังจากระเหยของเอทานอลที่สมบูรณ์ porous In2O3 microtubes ถูกสม่ำเสมอเมื่อเทียบเคียงสามารถเคลือบบนพื้นผิวท่อเซรามิก ขึ้นรูปชั้น In2O3microtubes porous เซนเซอร์ต่าง ๆ porous ชั้น In2O3microtube (Fig. 2b) ด้วยถูกหลังสร้าง โดยทำซ้ำขั้นตอนข้างต้น แตกต่างจากบางรายงาน nanowires, porous microtubes ให้ก๊าซขนาดใหญ่เจาะช่อง นำไปสู่การตอบสนองรวดเร็วและสั้นเวลา (ดูซี ฟิก S3) ความต้านทานของแต่ละผลิต porous In2O3microtube เซ็นเซอร์สามารถถูกจำลองแบบขนาน และอนุกรมหน้าองค์ประกอบขยายระหว่างสองวัดหุงต เป็น inFig แสดงเป็น ค. 2 ที่สามารถแสดงความต้านทานรวมด้านล่าง = +++......()() R RRR R RRRff,,, a1, a2,, เป็น b1, b2, bm c1, c2, ck, z1, z2 ซิ T1, T2, TjCE whereRa(1 n) (1 เมตร) Rb, Rc (1 k), ...Rz(1 i) เป็นแบบขนาน และอนุกรมหน้าองค์ประกอบ ตามลำดับRT(1 j)มีความต้านทานการติดต่อของ porous In2O3microtubesRCis ต้านทานติดต่อของชั้นกับหุงต andREis ต่อต้านหุงตวัดสอง ขณะที่ก๊าซแทรกซึมเข้าไปในชั้น ความเข้มข้นของค่อย ๆ ลดลง ซึ่งแตกต่างกันไปตามฟังก์ชั่นของ porosity อุณหภูมิ กิจกรรมตัวเร่งปฏิกิริยา องค์ประกอบของก๊าซ ตลอดจนความหนาของชั้น เหล่านี้หลายตัวแปรเพื่อผลในการตอบสนองความแตกต่างขององค์ประกอบแต่ละหน้า (Ra(1...n), Rb(1...m), Rc(1...k)... Rz(1...i)) กับก๊าซเป้าหมาย (Becker et al., 2001) นอกจากนี้ เนื่องจากไม่มี In2O3 microtubes เป็นเหมือนกันทุกประการ ต้านทานการติดต่อของ porous In2O3microtubes (RT(1...j)) แตกต่างกันในแต่ละชั้นเดียว หลักฐานเหล่านี้แนะนำว่า เพิ่มเรื่องในชั้น sensing ไม่นำไปสู่การเพิ่มประสิทธิภาพการตอบสนองของเซ็นเซอร์เชิง ตามทฤษฎีนี้ ความต้านทานของเซ็นเซอร์ In2O3microtubes ละ porous ประกอบเป็นอิสระกัน ดังนั้น เหล่านี้SMO เซ็นเซอร์ เพียงหลังสร้าง โดยตัวทำละลายหล่อ porous In2O3 microtubes อาจให้ข้อมูลที่ครอบคลุม และสามารถใช้สำหรับอาร์เรย์โดยใช้จมูกอิเล็กทรอนิกส์ 3.3. อิเล็กทรอนิกส์จมูกหลังสร้าง โดย porous In2O3microtubes เซนเซอร์เรย์สำหรับตรวจเอทานอลแม้มีชั้นแตกต่างกันของ In2O3 microtubes อาจสร้างขึ้น โดยวิธีการผลิตเซนเซอร์ที่เราใช้ hereof มันสามารถโดยตรงถือว่าเป็นเซนเซอร์ใหม่ ความหนาของชั้นเล่นบทบาทสำคัญในการตรวจวัดก๊าซเนื่องจากความขัดแย้งผิวหนังน้ำมันเห็นได้ชัด โดยทั่วไปยอมรับบางชั้นที่ก่อให้เกิดการตอบสนองที่รวดเร็วแต่มั่นคงค่อนข้างยากจนในขณะที่ชั้นหนาเกินไป combusts ก๊าซในชั้นบน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.2 แบบจำลองทางทฤษฎีของจมูกอิเล็กทรอนิกส์หลังจาก separationviacentrifugation, Microtubes In2O3 รูพรุนผลก็แยกย้ายกันเป็นเนื้อเดียวกันในเอทานอลดังแสดงในรูป 2a และ5μLของการกระจายนี้ถูกทิ้งลงบน Al2O3 หลอดเซรามิกบนแกนหมุน (ดู SI, รูป. S1) หลังจากระเหยที่สมบูรณ์ของเอทานอล Microtubes In2O3 รูพรุนเคลือบสม่ำเสมอบนพื้นผิวหลอดเซรามิกรูปชั้น In2O3microtubes มีรูพรุน โดยการทำซ้ำขั้นตอนข้างต้น, เซ็นเซอร์ที่แตกต่างกับชั้นที่มีรูพรุน In2O3microtube (รูปที่ 2b.) ได้รับการประดิษฐ์ แตกต่างจาก nanowires รายงานบาง Microtubes รูพรุนให้มีช่องเจาะก๊าซขนาดใหญ่ที่นำไปสู่การตอบสนองที่รวดเร็วและเวลาการกู้คืนสั้น (ดู SI, รูป. S3) ความต้านทานของเซ็นเซอร์ In2O3microtube รูพรุนแต่ละผลิตอาจจะมีการจำลองเป็นเครือข่ายขององค์ประกอบตัวต้านทานแบบขนานและอนุกรมขยายระหว่างสองขั้วไฟฟ้าวัดที่แสดง inFig 2c ต้านทานทั้งหมดอาจจะแสดงดังต่อไปนี้ = ............... ... +++ () () R RRR R RRRff ,,, A1, A2, B1, B2, BM c1, c2, CK, z1, z2, (1 เมตร) (1) การ ZI T1, T2, TjCE whereRa (1 n) Rb, Rc (1 k) ... Rz เป็นองค์ประกอบทานขนานและอนุกรมตามลำดับ; RT (1 J?)
คือ ต้านทานติดต่อของ In2O3microtubes พรุน RCis ต้านทานการติดต่อของชั้นที่มีขั้วไฟฟ้า, Andreis ความต้านทานของสองขั้วไฟฟ้าวัด ในฐานะที่เป็นก๊าซแทรกซึมเข้าสู่ชั้นเข้มข้นค่อยๆลดลงซึ่งแตกต่างกันไปเป็นหน้าที่ของความพรุนอุณหภูมิเร่งปฏิกิริยาองค์ประกอบก๊าซเช่นเดียวกับความหนาของชั้น เหล่านี้
หลายตัวแปรจึงส่งผลให้เกิดการตอบสนองที่แตกต่างของแต่ละองค์ประกอบทาน (Ra (1 ... n) Rb (1 ... m) Rc (1 ... k) ... , Rz (1 ... i)) เป็นก๊าซเป้าหมาย (เบกเกอร์และ al., 2001) นอกจากนี้เนื่องจากไม่มี Microtubes In2O3 เหมือนกันว่าความต้านทานการติดต่อของ In2O3microtubes รูพรุน (RT (1 ... ญ)) มีความแตกต่างกันในแต่ละชั้นเดียว หลักฐานเหล่านี้ชี้ให้เห็นว่าการเพิ่มขึ้นง่ายในชั้นการตรวจวัดไม่นำไปสู่การเพิ่มประสิทธิภาพเชิงเส้นของการตอบสนองเซ็นเซอร์ ตามทฤษฎีนี้ความต้านทานของแต่ละประดิษฐ์เซ็นเซอร์ In2O3microtubes มีรูพรุนเป็นอิสระจากอีกคนหนึ่ง ดังนั้นเหล่านี้
เซ็นเซอร์ SMO ประดิษฐ์ได้ง่ายๆโดยการใช้ตัวทำละลายหล่อ Microtubes In2O3 รูพรุนอาจให้ข้อมูลที่ครอบคลุมและสามารถนำไปใช้ประโยชน์สำหรับอาร์เรย์ตามจมูกอิเล็กทรอนิกส์ 3.3 จมูกอิเล็กทรอนิกส์ประดิษฐ์โดยอาร์เรย์มีรูพรุนเซ็นเซอร์สำหรับตรวจจับ In2O3microtubes เอทานอลแม้จะมีชั้นที่แตกต่างกันของ Microtubes In2O3 อาจถูกสร้างขึ้นโดยวิธีการผลิตเซ็นเซอร์ที่เราใช้ข้อตกลงฉบับนี้จะสามารถได้รับการพิจารณาโดยตรงเป็นเซ็นเซอร์ใหม่ ความหนาของชั้นเห็นได้ชัดว่ามีบทบาทสำคัญมากขึ้นในการตรวจวัดก๊าซเนื่องจากก๊าซเจาะคลาดเคลื่อน เป็นที่ยอมรับกันโดยทั่วไปว่าชั้นบาง ๆ ก่อให้เกิดการตอบสนองที่รวดเร็ว แต่ค่อนข้างมีเสถียรภาพที่ไม่ดีในขณะที่ชั้นหนาเกินไป combusts ก๊าซในชั้นบน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.2 . แบบจำลองทางทฤษฎีของจมูกอิเล็กทรอนิกส์ หลังจาก separationviacentrifugation , ผลพรุน In2O3 microtubes ถูกกระจายเป็นเนื้อเดียวกันในเอทานอล ดังแสดงในรูปที่ 2A และ 5 μ L กระจายนี้หล่นลงบน Al2O3 เซรามิคหลอดหมุนบนแกน ( ดูซื่อ มะเดื่อ S1 ) หลังจากการระเหยที่สมบูรณ์ของเอทานอลการ microtubes In2O3 เป็นเคลือบลงบนพื้นผิวที่มีรูพรุนขึ้นหลอดเซรามิก การขึ้นชั้น in2o3microtubes ที่มีรูพรุน โดยการทำซ้ำขั้นตอนข้างต้น เซ็นเซอร์ ที่ชั้น in2o3microtube พรุน ( รูปที่ 2B ) ถูกประดิษฐ์ . แตกต่างจากรายงานนาโน , microtubes พรุนให้ช่องเจาะก๊าซขนาดใหญ่ ที่นำไปสู่การตอบสนองได้อย่างรวดเร็วและการกู้คืนเวลาสั้น ( รูปที่เห็นครับS3 ) ความต้านทานของแต่ละผลิต in2o3microtube เซ็นเซอร์อาจจะพรุนแบบขนาน และอนุกรมความต้านทานองค์ประกอบเครือข่ายขยายระหว่างสองขั้ววัด ดังแสดง infig . 2 . ความต้านทานรวมอาจจะแสดงด้านล่าง = เอ๊ย . . . . . . . ( ) ( ) R R rrrff เพือน , , , A1 , A2 , B1 , B2 , BM C1 , C2 , CK , Z1 กขึ้นจื่อ T1 , T2 , , , wherera tjce ( 1  n ) , RB ( 1  M ) RC ( 1  K ). . . . . . . คร้าบ ( 1  ) คู่ขนานและองค์ประกอบ , ตัวต้านทานแบบอนุกรมตามลำดับ ; RT ( 1  J )
เป็นติดต่อความต้านทานของวัสดุ in2o3microtubes ; rcis ติดต่อต้านทานของชั้นกับขั้วไฟฟ้า andreis สองวัดความต้านทานของขั้วไฟฟ้า เป็นก๊าซที่แทรกซึมเข้าสู่ชั้น ความเข้มข้นของมันค่อยๆลดลง ซึ่งจะเป็นฟังก์ชันของความพรุน , อุณหภูมิ , ฤทธิ์ ,องค์ประกอบของก๊าซ รวมทั้งความหนาของชั้น เหล่านี้หลายตัว
จึงส่งผลในการตอบสนองที่แตกต่างของแต่ละองค์ประกอบ ( Resistive รา ( 1 . . . . . . . ) , RB ( 1 . . . . . . . M ) , RC ( 1 . . . . . . . k ) . . . . . ที่สุด ( 1 . . . . . . . ผม ) กับก๊าซเป้าหมาย ( Becker et al . , 2001 ) นอกจากนี้ เนื่องจากไม่มี microtubes In2O3 เป็นเหมือนกัน ติดต่อความต้านทานของวัสดุ in2o3microtubes ( RT ( 1 . . . . . . . J ) จะแตกต่างกันในแต่ละชั้นเดียวหลักฐานนี้ชี้ให้เห็นว่าเพิ่มขึ้นง่ายในสัมผัสชั้นไม่ได้นำไปสู่การเพิ่มประสิทธิภาพเชิงเส้นของเซ็นเซอร์วัดการตอบสนอง ตามทฤษฎีนี้ ความต้านทานของแต่ละ in2o3microtubes ประดิษฐ์รูเซนเซอร์อิสระของอีกคนหนึ่ง จากนั้น เซ็นเซอร์เหล่านี้ SMO
เพียงแค่ประดิษฐ์โดยตัวทำละลายหล่อพรุน In2O3 microtubes อาจให้ข้อมูลที่ครอบคลุมและสามารถใช้สำหรับอาร์เรย์จมูกอิเล็กทรอนิกส์ตาม 3.3 . จมูกอิเล็กทรอนิกส์ประดิษฐ์โดยพรุน in2o3microtubes เซนเซอร์เอทานอลสัมผัสแม้ชั้นต่างกันของ In2O3 microtubes อาจถูกสร้างขึ้นโดยการผลิตเซ็นเซอร์เข้าหาเราใช้ฉบับนี้ ได้โดยตรง ถือว่าเป็นเซ็นเซอร์ใหม่ความหนาของชั้น เห็นได้ชัดว่ามีบทบาทสำคัญในการตรวจวัดก๊าซ เนื่องจากก๊าซทะลวง ความแตกต่าง มันเป็นโดยทั่วไปยอมรับว่าบางๆ ก่อให้เกิดการตอบสนองที่รวดเร็ว แต่ค่อนข้างยากจนเสถียรภาพขณะหนาด้วยชั้น combusts ก๊าซในชั้นบน .