and the liquid and the reference el

and the liquid and the reference electrode at the other side. The latter term is in fact the reference electrode potential relative to vacuum Eref , which includes ΦM. The interface potential at the gate oxide-electrolyte interface is determined by the surface dipole potential of the solution χsol, which is a constant, and the surface potential ψo, which results from a chemical reaction, usually governed by the dissociation of oxide surface groups. The resulting equation for the flatband voltage of an ISFET is thus given by:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

และของเหลวและอิเล็กโทรดอ้างอิงในด้านอื่น ๆ ระยะหลังเป็นจริงอิเล็กโทรดอ้างอิงอาจเกิดสัมพันธ์กับสูญญากา Eref ซึ่งรวมถึง ΦM กำหนดอินเทอร์เฟซอาจเกิดขึ้นที่อินเทอร์เฟซของอิเล็กโทรไลต์ออกไซด์ประตู โดยศักยภาพไดโพลที่พื้นผิวของ χsol โซลูชั่น ซึ่งเป็นค่าคง และพื้นผิวอาจเกิด ψo ซึ่งเป็นผลจากปฏิกิริยาเคมี ภายใต้มัก dissociation กลุ่มออกไซด์ผิว สมการแรงดันไฟฟ้า flatband ของ ISFET เกิดจึงถูกกำหนดโดย:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

และของเหลวและขั้วไฟฟ้าอ้างอิงในด้านอื่น ๆ ระยะหลังในความเป็นจริงการอ้างอิงอิเล็กโทรญาติมีศักยภาพที่จะสูญญากาศ Eref ซึ่งรวมถึงΦM อินเตอร์เฟซที่มีศักยภาพที่ประตูอินเตอร์เฟซออกไซด์อิเล็กโทรจะถูกกำหนดโดยพื้นผิวที่มีศักยภาพขั้วของχsolวิธีการแก้ปัญหาซึ่งเป็นค่าคงที่และพื้นผิวψoที่อาจเกิดขึ้นซึ่งเป็นผลมาจากปฏิกิริยาทางเคมีมักจะควบคุมโดยแยกออกจากกันในกลุ่มพื้นผิวออกไซด์ สมการที่เกิดขึ้นสำหรับแรงดันไฟฟ้า flatband ของ ISFET จึงจะได้รับโดย:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

และของเหลวและอิเล็กโทรดอ้างอิงที่ด้านอื่น ๆ ในระยะหลังในความเป็นจริงอ้างอิงศักยภาพขั้วเทียบกับ eref สุญญากาศซึ่งรวมถึงΦเมตร อินเตอร์เฟซที่มีศักยภาพในเกทออกไซด์อิเลคติดต่อจะถูกกำหนดโดยพื้นผิวมีศักยภาพของโซลูชั่นχโซลซึ่งเป็นค่าคงที่ และพื้นผิวที่อาจเกิดขึ้นψ O ซึ่งผลจากปฏิกิริยาทางเคมี มักจะควบคุมโดย การแตกตัวของกลุ่มผิวออกไซด์ ผลการ flatband สมการแรงดันไฟฟ้าของ isfet จึงให้ โดย :