The voltage multiplier circuit in t

The voltage multiplier circuit in this design uses zero bias Schottky diode HSMS-2850 from Agilent. The at- tractive feature of these Schottky diodes are low sub- strate losses and very fast switching but leads to a fabri- cation overhead. This diode has been modeled for the energy harvesting circuit which comes in a one-diode configuration. The modeling parameters for these diodes are given by Agilent in their data sheets. These parame- ters are used in Multisim for its own modeling purposes. The modeling is done by transforming the diode into an equivalent circuit using passive components which are described by the SPICE parameters in Table 1 [6].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วงจรคูณแรงดันในการออกแบบนี้ใช้ไดโอด Schottky HSMS โมจาก Agilent อคติเป็นศูนย์ การที่- tractive คุณลักษณะของไดโอดได้ Schottky เหล่านี้จะขาดทุนย่อย strate ต่ำ และสลับอย่างรวดเร็วมากแต่นำไปสู่ค่าใช้จ่ายใน fabri cation ไดโอดนี้ได้ถูกจำลองสำหรับวงจรที่มาในการกำหนดค่าไดโอดหนึ่งเก็บเกี่ยวพลังงาน พารามิเตอร์การสร้างโมเดลสำหรับไดโอดเหล่านี้ได้ถูกกำหนด โดย Agilent ในแผ่นข้อมูลของพวกเขา Ters parame เหล่านี้จะใช้ใน Multisim สำหรับวัตถุประสงค์ในการสร้างโมเดลของตัวเอง สร้างโมเดลโดยเปลี่ยนไดโอดในวงจรเทียบเท่าการใช้ส่วนประกอบแฝงที่อธิบาย โดยพารามิเตอร์เครื่องเทศในตารางที่ 1 [6]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วงจรคูณแรงดันไฟฟ้าในการออกแบบนี้จะใช้ไดโอด Schottky อคติศูนย์ HSMs-2850 จาก Agilent คุณลักษณะดึง AT-ไดโอด Schottky เหล่านี้เป็นความสูญเสียต่ำ strate ย่อยและการเปลี่ยนไปอย่างรวดเร็วมาก แต่จะนำไปสู่​​ค่าใช้จ่ายไอออนบวก fabri- ไดโอดนี้ได้รับการสร้างแบบจำลองสำหรับวงจรการเก็บเกี่ยวพลังงานที่มาในการกำหนดค่าหนึ่งไดโอด พารามิเตอร์สำหรับการสร้างแบบจำลองไดโอดเหล่านี้จะได้รับโดย Agilent ในแผ่นข้อมูลของพวกเขา พารามิเตอร์เหล่านี้จะถูกนำมาใช้ใน Multisim เพื่อวัตถุประสงค์ในการสร้างแบบจำลองของตัวเอง การสร้างแบบจำลองจะกระทำโดยการเปลี่ยนไดโอดเป็นวงจรสมมูลใช้ส่วนประกอบเรื่อย ๆ ซึ่งได้รับการอธิบายโดยพารามิเตอร์ SPICE ในตารางที่ 1 [6]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แรงดันไฟฟ้าวงจรคูณในการออกแบบนี้จะใช้ศูนย์อคติไดโอดชอทท์กี้ hsms-2850 จาก Agilent . ที่ - คุณลักษณะของไดโอดชอทท์กี้เกี่ยวกับการลากดึงต่ำย่อย ? ขาดทุนและเร็วมาก เปลี่ยนแต่นำไปสู่ค่าใช้จ่าย fabri - ไอออนบวก ไดโอดนี้ได้ถูกออกแบบเพื่อการเก็บเกี่ยวพลังงานวงจรที่มาในการกำหนดค่าหนึ่งไดโอดการสร้างแบบจำลองพารามิเตอร์สำหรับไดโอดเหล่านี้จะได้รับโดย Agilent ในแผ่นข้อมูลของพวกเขา เหล่านี้ parame - ters multisim เพื่อวัตถุประสงค์ใช้ในแบบของตัวเอง การทำโดยเปลี่ยนไดโอดเป็นส่วนประกอบวงจรสมมูลใช้เรื่อย ๆ ซึ่งจะอธิบายโดยเครื่องเทศพารามิเตอร์ตารางที่ 1 [ 6 ]