nanostructures and devices [168–175

nanostructures and devices [168–175]. ALD is based on sequential self-terminating surface reactions of gaseous precursors producing extremely thin,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

nanostructures และอุปกรณ์ [168-175] ALD ตามลำดับด้วยตนเองสิ้นสุดปฏิกิริยาผิวของ precursors เป็นต้นที่ผลิตมากบาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โครงสร้างนาโนและอุปกรณ์ [168-175] มรกตจะขึ้นอยู่กับลำดับการยกเลิกตนเองปฏิกิริยาพื้นผิวของสารตั้งต้นในการผลิตก๊าซบางมาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นาโนและอุปกรณ์ [ 168 – 175 ] ald ขึ้นอยู่กับลำดับตนเองพ้นผิวปฏิกิริยาของก๊าซตั้งต้นการผลิตบางมาก ,