Atoms of dopant materials -- such a

Atoms of dopant materials -- such as boron or arsenic -- are forced into an area by ion bombardment in a process called doping, aand are "activated" by a thermal annealing step. The resist material blocks the dopants from entering any areas where they are not intended to be. After ion implantation, the hardened resist is stripped off, and the process is repeated for other types of dopants implanted in different areas. In subsequent steps, a similar patterning process is used, but the resist acts as an etch mask.
----------------------------------------------------------------------------------------
Next, the gate of the transistor is formed by depositing and patterning a layer of silicon dioxide (which forms the gate oxide) and then a layer of polysilicon, which is then heavily doped. This polysilicon gate acts as a "faucet" to turn the flow of electrons between the source and drain on and off.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขั้นตอนที่อะตอม dopant วัสดุ - เช่นโบรอนหรือสารหนู - ถูกบังคับลงในพื้นที่ โดยการระดมยิงไอออนในกระบวนการเรียกว่ายาสลบ aand "เปิด" โดยการหลอมความร้อน วัสดุต้านทานบล็อก dopants เข้ามาในพื้นที่ใด ๆ ที่พวกเขาไม่ได้มีเจตนาจะ หลังจากฝังไอออน ต้านทานแข็งคือถอดเครื่อง และซ้ำกระบวนการสำหรับชนิดอื่น ๆ dopants ฝังในพื้นที่ต่าง ๆ ในขั้นตอนต่อไป ใช้กระบวนการสร้างคล้ายกัน แต่ต้านทานทำหน้าที่เป็นรูปแบบการ etch----------------------------------------------------------------------------------------ถัดไป ประตูของทรานซิสเตอร์จะเกิดขึ้นจากการฝาก และการเลียนแบบชั้นของซิลิกอนไดออกไซด์ (ซึ่ง gate ออกไซด์) และชั้นของ polysilicon ซึ่งเป็นแล้วหนักเจือ Polysilicon gate นี้ทำหน้าที่เป็น "ก๊อกน้ำ" เพื่อเปิดการไหลของอิเล็กตรอนระหว่างต้นทาง และท่อระบายน้ำ และปิด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อะตอมของวัสดุเจือปน - เช่นโบรอนหรือสารหนู - ถูกบังคับเข้ามาในพื้นที่โดยการระดมยิงไอออนในกระบวนการที่เรียกว่ายาสลบ aand เป็น "เปิดใช้งาน" โดยขั้นตอนการอบความร้อน ต่อต้านบล็อกวัสดุสารเจือจากการเข้าพื้นที่ใดที่พวกเขาไม่ได้มีเจตนาที่จะเป็น หลังจากไอออนแข็งต่อต้านถอดออกและกระบวนการซ้ำแล้วซ้ำอีกประเภทอื่น ๆ ของสารเจือฝังอยู่ในพื้นที่ที่แตกต่างกัน ในขั้นตอนต่อมากระบวนการเลียนแบบคล้าย ๆ กันคือใช้ แต่ต่อต้านการทำหน้าที่เป็นหน้ากากจำหลัก.
------------------------------ -------------------------------------------------- --------
ถัดไปประตูทรานซิสเตอร์จะเกิดขึ้นโดยการฝากและการเลียนแบบชั้นของซิลิกอนไดออกไซด์ (ซึ่งรูปแบบออกไซด์ประตู) และจากนั้นชั้นของโพลีซิลิคอนซึ่งเป็นแล้วเจืออย่างมาก นี้โพลีซิลิคอนประตูทำหน้าที่เป็น "ก๊อกน้ำ" เพื่อเปิดการไหลของอิเล็กตรอนระหว่างแหล่งที่มาและการระบายน้ำในและนอก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อะตอมของวัสดุโคบอลต์ - เช่นโบรอนหรือสารหนู -- ถูกบังคับเข้าไปในพื้นที่โดยไอออนโจมตีในกระบวนการที่เรียกว่าเป็น " เปิด " และการเติมด้วยการอบความร้อน ขั้นตอน การต้านทานบล็อกวัสดุคุณภาพจากการป้อนพื้นที่ใด ๆที่พวกเขาไม่ได้เป็น หลังจากฝังไอออน , แข็งกระด้างต้านทานไม่ได้ปิด และกระบวนการนี้ซ้ำสำหรับประเภทอื่น ๆในที่ฝังอยู่ในพื้นที่ต่างๆ ในขั้นตอนต่อมา คล้ายการเลียนแบบกระบวนการใช้ แต่ต้านทานการกัดกร่อนเป็นหน้ากาก----------------------------------------------------------------------------------------หน้าประตูของทรานซิสเตอร์ถูกสร้างขึ้นโดยการฝากและการเลียนแบบชั้นของซิลิคอนไดออกไซด์ ( ซึ่งรูปแบบประตูออกไซด์ ) และชั้นของ polysilicon ซึ่งก็หนักด้วย . นี้ Polysilicon ประตูทำหน้าที่เป็น " ก๊อก " เพื่อเปิดการไหลของอิเล็กตรอนระหว่างแหล่งที่มาและระบายน้ำในและนอก