As an n-type semiconductor, the mat

As an n-type semiconductor, the material can be
effectively doped with an appropriate donor. Both stoichiometry
and dopant impurities affect the electrical
and optical characteristics to the point that ZnO can
either be a near-insulator or a semi-metal. A potential
low-cost alternative to tin-doped indium oxide, ZnO
films could be used as less expensive transparent electrode
material for use as a window layer for solar cell
devices and a transparent conducting layer for electroluminescent
devices. For practical applications undoped
ZnO films are inferior to indium- or tin- based oxide
films.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในฐานะที่เป็นสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น,
วัสดุที่สามารถเจืออย่างมีประสิทธิภาพกับผู้บริจาคที่เหมาะสม ทั้งปริมาณสารสัมพันธ์และสิ่งสกปรกเจือปนไฟฟ้าส่งผลกระทบต่อลักษณะและแสงไปยังจุดที่ซิงค์ออกไซด์สามารถเป็นได้ทั้งที่อยู่ใกล้ฉนวนกันความร้อนหรือโลหะกึ่ง มีศักยภาพในทางเลือกที่ต้นทุนต่ำเพื่ออินเดียมดีบุกเจือออกไซด์, ซิงค์ออกไซด์ภาพยนตร์สามารถใช้เป็นอิเล็กโทรดที่ราคาไม่แพงโปร่งใสวัสดุสำหรับใช้เป็นชั้นหน้าต่างสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์อุปกรณ์และชั้นการดำเนินการโปร่งใสสำหรับelectroluminescent อุปกรณ์ สำหรับการใช้งานในทางปฏิบัติโคบอลต์ฟิล์มซิงค์ออกไซด์มีความด้อยกว่า indium- หรือดีบุกออกไซด์ตามภาพยนตร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นอุปกรณ์ทั่วไป , วัสดุสามารถเป็นผู้บริจาคที่เหมาะสมได้อย่างมีประสิทธิภาพด้วย
. ทั้งปริมาณสารสัมพันธ์และส่งผลกระทบต่อโดพันท์ปลอม

ลักษณะแสงและไฟฟ้าไปยังจุดที่สามารถเป็นฉนวนไฟฟ้า
ไม่ว่าจะใกล้หรือกึ่งโลหะ เป็นทางเลือกที่ต้นทุนต่ำเพื่อเจืออินเดียมออกไซด์ดีบุกศักยภาพ

ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ที่สามารถใช้ไฟฟ้า
แพงน้อยใสวัสดุสำหรับใช้เป็นหน้าต่างชั้น สําหรับอุปกรณ์เซลล์แสงอาทิตย์และความโปร่งใสการดำเนินการ
ชั้นสำหรับอุปกรณ์ Electroluminescent

สำหรับประโยชน์เคมีไฟฟ้า
ZnO ภาพยนตร์ด้อยกว่าอินเดียมดีบุกออกไซด์ฟิล์ม - หรือ - ตาม