In order to explain this,PC1D devic

In order to explain this,PC1D device modeling was performed as a function of
bulk lifetime(Fig. 7) which revealed that efficiency saturates after

250 ms bulk lifetime for our baseline cell design. Fig. 8 shows
that the implanted cells had lower Joe(70fA/cm2 vs 210fA/cm2 for
POCl3) compared to POCl3 diffused cells because of the in-situ
oxide passivation.ThelowerJoe of the implanted emitter
contributed to 6 mV higher Voc (Table1) accounting for the observed

0.3% increase in efficiency.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพื่อที่จะอธิบายนี้ ทำโมเดลอุปกรณ์ PC1D เป็นฟังก์ชันของกลุ่มอายุ (7 รูป) ซึ่งเปิดเผยว่า ประสิทธิภาพ saturates หลังตลอดชีวิตจำนวนมาก 250 ms สำหรับออกแบบเซลล์พื้นฐานของเรา รูป 8 แสดงว่า เซลล์ฝังมีล่างโจ (70fA/cm2 vs 210fA/cm2 สำหรับPOCl3) เปรียบเทียบกับ POCl3 กระจายเซลล์เนื่องจากในพื้นที่ฟิล์มออกไซด์ ThelowerJoe การยิงฝัง ส่วน 6 mV สูง Voc (Table1) บัญชีสำหรับการสังเกตเพิ่มขึ้น 0.3% ในประสิทธิภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อที่จะอธิบายเรื่องนี้แบบจำลองอุปกรณ์ PC1D ได้ดำเนินการตามหน้าที่ของ
อายุการใช้งานจำนวนมาก (รูปที่. 7) ซึ่งเผยให้เห็นว่าอิ่มตัวประสิทธิภาพหลังจาก
อายุการใช้งาน? 250 มิลลิวินาทีจำนวนมากสำหรับการออกแบบมือถือพื้นฐานของเรา มะเดื่อ. 8 แสดงให้เห็น
ว่าเซลล์ปลูกฝังมีต่ำกว่าโจ (70fA / cm2 VS 210fA / cm2 สำหรับ
POCl3) เมื่อเทียบกับ POCl3 กระจายเซลล์เพราะในแหล่งกำเนิด
ออกไซด์ passivation.ThelowerJoe ของอีซีแอลปลูกฝัง
ส่วนร่วมในการ 6 mV สูง Voc (Table1) การบัญชี สังเกต
? 0.3% เพิ่มประสิทธิภาพ