using energy compensating lters. T

using energy compensating lters. These lters, which are usually some form of
metal [5], allow the incident radiation to be indirectly" detected. Eectively,
the photon interactions within the lter emit secondary electrons which can be
detected in the silicon semiconductor. This method gives a practical way of
measuring photon pulses over a large range of energies, but at the expense of the
energy information of the incident photons themselves.
17

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใช้พลังงานชดเชย lters Lters เหล่านี้ ซึ่งมักจะเป็นรูปแบบของ
โลหะ [5] อนุญาตให้ฉายรังสีเหตุการณ์จะ indirectly "ตรวจพบ อีectively,
เราโต้ตอบภายในและวัสดุเป็นกิ๊กรองอิเล็กตรอนซึ่งสามารถ
พบในสารกึ่งตัวนำซิลิคอน วิธีนี้ทำให้วิธีปฏิบัติ
วัดโฟตอนกะพริบผ่านช่วงใหญ่ ของพลังงาน แต่ที่ expense ของการ
ข้อมูลพลังงานของ photons แก้ไขปัญหาเอง
17

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ใช้ lters พลังงานชดเชย lters เหล่านี้ซึ่งมักจะมีรูปแบบของบาง
โลหะ [5] ให้รังสีเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นที่จะได้รับทางอ้อม "ตรวจพบ. อี ectively,
โฟตอนปฏิสัมพันธ์ภายใน lter ปล่อยอิเล็กตรอนทุติยภูมิที่สามารถ
ตรวจพบในสารกึ่งตัวนำซิลิคอน. วิธีการนี้จะช่วยให้ เป็นวิธีปฏิบัติของ
การวัดชีพจรโฟตอนในช่วงที่มีขนาดใหญ่ของพลังงาน แต่ค่าใช้จ่ายของ
ข้อมูลพลังงานของโฟตอนเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นกับตัวเอง
17

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การใช้พลังงานชดเชย  lters . lters  เหล่านี้ซึ่งมักจะมีรูปแบบบางส่วนของโลหะ
[ 5 ] ให้เหตุการณ์รังสีเป็นทางอ้อม " ตรวจพบ ectively
E  , โฟตอน ปฏิสัมพันธ์ภายใน  lter ปล่อยอิเล็กตรอนทุติยภูมิซึ่งสามารถ
ที่ตรวจพบในซิลิคอนเซมิคอนดักเตอร์ วิธีนี้จะเป็นวิธีปฏิบัติของการวัดแสงกะพริบ
ช่วงขนาดใหญ่ของพลังงาน แต่ที่ค่าใช้จ่ายของ
ข้อมูลพลังงานของโฟตอน
17 เหตุการณ์ตัวเอง