Fig. 1. Laboratory anodizing system

Fig. 1. Laboratory anodizing system: 1) galvanostat, 2) ammeter, 3) voltmeter, 4) electrochemical
cell, 5) cathode, 6) working electrode, 7) coolant flow, 8) air-agitation system,
and 9) electrolytic solution.

Fig. 2. Micrograph acquired by an optical microscope on the cross section of an oxide coating:
the gasket/sample contact zone is useful to understand the depth reached by the
oxide below the initial level of the alloy: Al represents the depth of the converted alloy,
while Ox is the coating thickness.

Fig. 3. Micrographs acquired by an optical microscope showing the cross section
microstructure of oxides obtained using DC_1 (a), DC_2 (b) and MSDC_3 (c) procedures
(see Table 1). The sample obtained using MSDC_3 procedure was etched with Dix–Keller
reagent in order to highlight the correspondence between intermetallics and oxide
defects.

Fig. 4. Nano-hardness profiles measured along the oxide section.

Fig. 5. V vs t curves recorded during the anodizing treatments with different electric
techniques: direct current (DC), multistep direct current (MSDC) and pulsed current
(PC). In the case of PC anodizing the voltage reported was acquired during the time-on
intervals (so during the application of ion current).

Fig. 6. Micrographs acquired by an optical microscope showing the cross section microstructure
of oxides obtained using PC_2 (a), PC_5 (b) and PC_6 (c) procedures (see
Table 2).

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ 1. ห้องปฏิบัติการระบบอโนไดซ์: 1) galvanostat 2) แอมป์มิเตอร์, 3) โวลต์มิเตอร์, 4) ไฟฟ้า
เซลล์ 5) แคโทด 6) ขั้วไฟฟ้าทำงาน 7) การไหลของน้ำหล่อเย็น, 8) ระบบเครื่องกวน,
และ 9) วิธีการแก้ปัญหาด้วยไฟฟ้ามะเดื่อ 2. Micrograph ที่ได้มาโดยกล้องจุลทรรศน์ในภาคตัดขวางของการเคลือบออกไซด์: โซนติดต่อปะเก็น / ตัวอย่างจะเป็นประโยชน์ในการทำความเข้าใจเชิงลึกถึงโดยออกไซด์ต่ำกว่าระดับเริ่มต้นของโลหะผสม: อัลแสดงให้เห็นถึงความลึกของโลหะผสมแปลงในขณะที่วัวคือความหนาเคลือบ. รูป 3. กล้องจุลทรรศน์ที่ได้มาโดยกล้องจุลทรรศน์แสดงข้ามส่วนจุลภาคของออกไซด์ได้ใช้ DC_1 (a) DC_2 (ข) และ MSDC_3 (c) ขั้นตอน(ดูตารางที่ 1) ตัวอย่างที่ได้รับโดยใช้ขั้นตอน MSDC_3 ถูกกัดด้วย Dix-เคลเลอร์น้ำยาเพื่อเน้นความสอดคล้องระหว่าง intermetallics ออกไซด์และข้อบกพร่อง. รูป 4. รูปแบบนาโนความแข็งวัดพร้อมส่วนออกไซด์. รูป 5. V vs โค้งทีบันทึกไว้ในระหว่างการรักษาอโนไดซ์ด้วยไฟฟ้าที่แตกต่างกันเทคนิค: กระแสตรง (DC) multistep กระแสตรง (MSDC) และชีพจรปัจจุบัน(PC) ในกรณีที่เครื่องคอมพิวเตอร์ anodizing แรงดันไฟฟ้าที่มีการรายงานที่ถูกซื้อกิจการในช่วงเวลาในช่วงเวลา (ดังนั้นในช่วงการประยุกต์ใช้ไอออนปัจจุบัน). รูป 6. ไมโครได้มาโดยกล้องจุลทรรศน์แสดงจุลภาคตัดขวางของออกไซด์ได้ใช้ PC_2 (a) PC_5 (ข) และ PC_6 (c) ขั้นตอน (ดูตารางที่ 2)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 1 ห้องปฏิบัติการระบบ galvanostat anodizing 1 ) , 2 ) แอมมิเตอร์ , โวลต์มิเตอร์ , 3 ) 4 ) เซลล์ไฟฟ้าเคมี
5 ) , แคโทด , 6 ) ทำงานไฟฟ้า 7 ) 8 ) ระบบหล่อเย็นไหลปั่นป่วนอากาศ
9 ) โดยโซลูชั่น

รูปที่ 2 ลักษณะที่ได้มาจากกล้องจุลทรรศน์บนกางเขนส่วนของออกไซด์เคลือบ :
ปะเก็น / ตัวอย่างติดต่อเขตเป็นประโยชน์ที่จะเข้าใจลึกซึ้งถึงโดย
ออกไซด์ด้านล่างระดับเริ่มต้นของโลหะผสม : อัลแสดงถึงความลึกของแปลงผสม , ในขณะที่วัวคือความหนาผิวเคลือบ


รูปที่ 3 micrographs ได้รับแสงกล้องจุลทรรศน์แสดงรูปตัด
โครงสร้างจุลภาคของออกไซด์ที่ได้ใช้ dc_1 ( ) , dc_2 ( b ) และ ( c ) msdc_3 ขั้นตอน
( ดูตารางที่ 1 ) กลุ่มตัวอย่างที่ใช้ คือ กระบวนการ msdc_3 ฝังกับดิก – เคลเลอร์
ใช้เพื่อเน้นความสอดคล้องระหว่างอินเตอร์เมทัลลิก และออกไซด์
บกพร่อง .

รูปที่ 4 นาโนโปรไฟล์ความแข็งวัดได้ตาม มาตราออกไซด์

รูปที่ 5 V vs T เส้นโค้งที่บันทึกไว้ในระหว่างการรักษาด้วยเทคนิคไฟฟ้า
anodizing แตกต่างกัน : กระแสตรง ( ดีซี ) , multistep กระแสตรง ( msdc ) และพัลปัจจุบัน
( PC )ในกรณีของ PC anodizing แรงดันไฟฟ้ารายงานได้มาในระหว่างเวลา
ช่วง ( ช่วงการประยุกต์ใช้ไอออนในปัจจุบัน ) .

รูปที่ 6 micrographs ได้รับแสงกล้องจุลทรรศน์แสดงขวางจุลภาค
ออกไซด์ที่ได้ใช้ pc_2 ( ) , pc_5 ( b ) และ ( c ) pc_6 ขั้นตอน ( ดู
ตารางที่ 2 )