Contrast the electron and hole drif

Contrast the electron and hole drift velocities through
a 10-μm layer of intrinsic silicon across which a voltage of

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อิเล็กตรอนและหลุมตะกอนดริฟท์ผ่านความคมชัดชั้น 10 μm ของซิลิคอน intrinsic ผ่านไปแรงดันของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความคมชัดของอิเล็กตรอนและหลุมความเร็วลอยผ่านชั้น 10 ไมครอนของซิลิกอนที่แท้จริงทั่วซึ่งแรงดันไฟฟ้าของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความคมชัดอิเล็กตรอนและหลุมดริฟท์ความเร็วผ่าน
10 - μ M ชั้นของซิลิคอนข้ามซึ่งแรงดันไฟฟ้าจากภายใน