Part of the processing sequence stu

Part of the processing sequence studied is the plasma-enhanced chemical vapor deposition Plasma-enhanced chemical vapor Deposition of a SiO2 layer in a capacitively coupled plasma (CCP) reactor.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเพิ่มพลาสม่าไอเคมีสะสมเพิ่มพลาสม่าเคมีไอสะสมของชั้น SiO2 ในเครื่องปฏิกรณ์พลาสมาควบคู่ capacitively (CCP) เป็นส่วนหนึ่งของลำดับการประมวลผลการศึกษาได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นส่วนหนึ่งของลำดับการประมวลผลการศึกษาเป็นพลาสม่าเพิ่มไอสารเคมีสะสมไอสารเคมีพลาสม่าเพิ่มการสะสมของชั้น SiO2 ในพลาสม่าคู่ capacitively (CCP) เครื่องปฏิกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วนของการประมวลผลลำดับซึ่งเป็นพลาสมาปรับปรุงตกสะสมไอเชิงเคมี ( chemical vapor deposition พลาสมาเพิ่มขึ้นของชั้นซิลิกอนไดออกไซด์ใน capacitively คู่พลาสมา ( CCP ) เครื่องปฏิกรณ์