As a result, the low-voltage-rating

As a result, the low-voltage-rating switching devices can be used. Low-voltage-rating switching devices usually have fast switching performance and low on-resistance features compared to high-voltage-rating devices. However, nowadays low-power-loss and high-voltage-rating switching devices, such as SiC-MOSFETs have been developed [6]. Thus, small capacitances such as from ceramics and films types
with high voltage capability can be considered together with high-voltage-rating switching devices. As a result, the volume of the flying capacitor can be reduced compared to conventional FCBCs. The 3-level FCBC with a small flying capacitor is discussed in Ref [7]. However, the minimum capacitance selection and its influence in the n-level FCBC have not been discussed [1-3,8,9].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นผล ต่ำแรงดันไฟฟ้าสลับอุปกรณ์ใช้ ต่ำแรงดันไฟฟ้าสลับอุปกรณ์มักจะมีประสิทธิภาพและคุณสมบัติในการต้านทานต่ำเมื่อเทียบกับอุปกรณ์สูงแรงดันไฟฟ้าสลับอย่างรวดเร็ว อย่างไรก็ตาม ในปัจจุบัน กระแสไฟฟ้าต่ำ และสูงแรงดันไฟฟ้าสลับอุปกรณ์ เช่น SiC MOSFETs ได้พัฒนา [6] ดังนั้น เล็ก capacitances ในเช่นชนิดเคลือบและภาพยนตร์ ความสามารถสามารถพิจารณาร่วมกับอุปกรณ์สลับสูงแรงดันไฟฟ้า ด้วยแรงดันสูง เป็นผล ระดับเสียงของตัวเก็บประจุบินสามารถลดเมื่อเทียบกับทั่วไป FCBCs FCBC 3 ระดับกับตัวเก็บประจุขนาดเล็กที่บินจะกล่าวถึงในอ้างอิง [7] อย่างไรก็ตาม การเลือกความจุขั้นต่ำและอิทธิพลใน FCBC n ระดับยังไม่ได้พูดถึง [1-3,8,9]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นผลให้แรงดันต่ำการจัดอันดับการเปลี่ยนอุปกรณ์ที่สามารถนำมาใช้ แรงดันต่ำการจัดอันดับการเปลี่ยนอุปกรณ์ที่มักจะมีประสิทธิภาพการทำงานที่เร็วสลับและต่ำที่ต้านทานคุณสมบัติเมื่อเทียบกับอุปกรณ์ไฟฟ้าแรงสูงการจัดอันดับ แต่ในปัจจุบันพลังงานต่ำการสูญเสียและแรงดันสูง-คะแนนเปลี่ยนอุปกรณ์เช่น SiC-MOSFETs ได้รับการพัฒนา [6] ดังนั้นประจุขนาดเล็กเช่นจากเซรามิกส์และภาพยนตร์ประเภท
ที่มีความสามารถแรงดันสูงได้รับการพิจารณาร่วมกับเปลี่ยนอุปกรณ์ไฟฟ้าแรงสูงการจัดอันดับ เป็นผลให้ปริมาณของตัวเก็บประจุบินจะลดลงเมื่อเทียบกับ FCBCs ธรรมดา FCBC 3 ระดับด้วยตัวเก็บประจุบินเล็ก ๆ ที่ถูกกล่าวถึงใน Ref [7] อย่างไรก็ตามการเลือกความจุต่ำสุดและมีอิทธิพลใน N-ระดับ FCBC ยังไม่ได้รับการกล่าวถึง [1-3,8,9]