The PIN Modulator is a high-speed,

The PIN Modulator is a high-speed, current-controlled
absorption type attenuator. A simplified illustration
of the hp Model 8730A''B series PIN Modulators is
shown in Figure 1. Each PIN unit includes a low-pass
filter, two high-pass filters, a number of PIN diodes,
and a 50-ohm strip transmission line (ridged waveguide
in the higher frequency units).
The PIN diode is a silicon junction diode whose Pand
N trace regions are separated by a layer of intrinsic
(I) semiconductor (silicon). Thus the name PIN diode.
6730A-A-3
g Figure 1. Simplified Block Diagram of PIN Modulator
At frequencies below about 100 Me the PIN diode rectifies
as a junction diode. However, at frequencies
above 100 Me, rectification ceases due to stored charge
in the intrinsic (I) layer and the diode acts like a
resistance by conducting current in both directions.
This equivalent resistance is inversely proportional to
the amount of charge in the I layer. An increase in
forward bias current (current at a negative voltage) increases
the stored charge and decreases the equivalent
resistance of the PIN diodes. When reverse bias is
applied, reverse current flows until stored charge is
depleted at which time equivalent resistance becomes
a maximum, in the order of thousands of ohms.
To understand how a PIN Modulator works, consider
the following: the PIN diodes are mounted as shunt
elements between the RF transmission path and ground.
The transmission path has a characteristic impedance
of 50 ohms. When the PIN diodes are forward-biased
the equivalent diode resistance is about 30 ohms and
most of the RF energy is absorbed by the diodes instead
of propagating down the 50-ohm transmission path.
However, when the diodes are reverse- or back-biased
the equivalent diode resistance is in the order of thousands
of ohms and the microwave currents will flow
down the transmission path because diode resistance
compared to the 50-ohm path impedance is negligible.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

PIN Modulator จะมีความเร็วสูง ควบคุมปัจจุบันattenuator ชนิดดูดซึม ภาพประกอบง่ายของ hp รุ่น 8730A'' ชุด B ข้อขาแสดงในรูปที่ 1 แต่ละหน่วย PIN รวมต่ำผ่านกรอง กรองสูงสอง หมายเลข PIN ไดโอดและสาย 50 โอห์มแถบส่ง (เป็นแนว waveguideสูงกว่าความถี่หน่วย)PIN ไดโอดเป็นไดโอดเชื่อมต่อซิลิโคนมี Pandขอบเขตการสืบค้นกลับของ N จะถูกคั่น ด้วยชั้นของลักษณะ(I) สารกึ่งตัวนำ (ซิลิคอน) ดังนั้นชื่อ PIN ไดโอด6730A-A-3กรัมรูปที่ 1 ง่ายบล็อคไดอะแกรมของ PIN Modulatorที่ความถี่ต่ำกว่าประมาณ 100 ฉันไดโอด PIN rectifiesเป็นไดโอดแยก อย่างไรก็ตาม ที่ความถี่ด้านบน 100 ฉัน แก้ไขอีกต่อเนื่องจากการเก็บค่าธรรมเนียมในลักษณะ (I) เลเยอร์ และไดโอดที่ทำหน้าที่เหมือนตัวความต้านทาน โดยดำเนินการในทั้งสองทิศทางต้านทานนี้เทียบเป็นสัดส่วน inversely กับชั้นยอดในฉัน การเพิ่มขึ้นเพิ่มไปข้างหน้าอคติปัจจุบัน (ปัจจุบันที่แรงดันไฟฟ้าลบ)ค่าธรรมเนียมการเก็บ และลดลงเทียบเท่าความต้านทานของไดโอด PIN เมื่อเป็นรุนแรงย้อนกลับใช้ กลับกระแสปัจจุบันจนกว่าจะเก็บค่าธรรมเนียมที่ความต้านทานเทียบเท่าที่เวลาจะหมดสูงสุด ลำดับของโอห์มเข้าใจวิธีการทำงานของ PIN Modulator พิจารณาต่อไปนี้: มีการกำหนดใช้ไดโอด PIN เป็น shuntองค์ประกอบระหว่างเส้นทางส่งข้อมูล RF และพื้นดินเส้นทางส่งได้ที่อิมพีแดนซ์ลักษณะของโอห์ม 50 เมื่อไดโอด PIN มีลำเอียงไปข้างหน้าความต้านทานของไดโอดเทียบเท่าคือ ประมาณ 30 โอห์ม และของพลังงานของ RF จะถูกดูดซึม โดยไดโอดงานแทนการเผยแพร่ทางส่ง 50 โอห์มอย่างไรก็ตาม เมื่อไดโอดที่มีลำเอียง ย้อนกลับ หรือ กลับความต้านทานของไดโอดเทียบเป็นลำดับนับพันกระแสจะไหลโอห์มและไมโครเวฟลงเส้นทางส่งข้อมูลเนื่องจากความต้านทานของไดโอดเมื่อเทียบกับเส้นทาง 50 โอห์ม ความต้านทานเป็นเล็กน้อย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รหัส PIN Modulator เป็นความเร็วสูงในปัจจุบันที่มีการควบคุม
การดูดซึมชนิดลดทอน ภาพประกอบที่เรียบง่าย
ของ HP รุ่น 8730A''B ชุด PIN Modulators จะ
แสดงในรูปที่ 1 หน่วย PIN แต่ละห้องมี low-pass
กรองสองตัวกรองสูงผ่านจำนวนของไดโอด PIN,
และ 50 โอห์มแถบสายส่ง (ท่อนำคลื่นยับ
ในหน่วยความถี่สูง).
ไดโอด PIN เป็นไดโอดซิลิกอนที่มีทางแยก Pand
ไม่มีร่องรอยภูมิภาคจะถูกคั่นด้วยชั้นของภายใน
(I) เซมิคอนดักเตอร์ (ซิลิกอน) ดังนั้นไดโอดชื่อ PIN.
6730A-A-3
G แบบย่อรูปที่ 1 แผนภาพบล็อกของรหัส PIN Modulator
ความถี่ที่ต่ำกว่าประมาณ 100 ฉันไดโอดรหัส PIN rectifies
เป็นไดโอดสนธิ อย่างไรก็ตามที่ความถี่
สูงกว่า 100 Me, สัตยาบันสิ้นสุดลงเนื่องมาจากค่าที่เก็บไว้
ในที่แท้จริง (I) ชั้นและการกระทำไดโอดเหมือน
ต้านทานโดยการดำเนินการในปัจจุบันทั้งสองทิศทาง.
นี้ต้านทานเทียบเท่าเป็นสัดส่วนผกผันกับ
จำนวนเงินค่าใช้จ่ายในชั้นผมที่ . เพิ่มขึ้นในการ
ไปข้างหน้าอคติปัจจุบัน (ปัจจุบันที่แรงดันลบ) เพิ่ม
ค่าใช้จ่ายในการจัดเก็บและลดเทียบเท่า
ความต้านทานของไดโอดรหัส PIN เมื่ออคติกลับถูก
นำมาใช้ย้อนกลับไหลของกระแสจนค่าใช้จ่ายที่ถูกเก็บได้
หมดเวลาที่ต้านทานเทียบเท่ากลายเป็น
. สูงสุดในการสั่งซื้อของพันโอห์ม
เพื่อให้เข้าใจถึงวิธีการทำงานของรหัส PIN Modulator พิจารณา
ต่อไปนี้: ไดโอด PIN ที่มีการติดตั้งเป็นปัด
องค์ประกอบระหว่างเส้นทางการส่ง RF และพื้นดิน.
เส้นทางการส่งที่มีความต้านทานลักษณะ
50 โอห์ม เมื่อไดโอด PIN ที่มีการคาดการณ์ล่วงหน้าลำเอียง
ความต้านทานไดโอดเทียบเท่าประมาณ 30 โอห์มและ
มากที่สุดของพลังงาน RF ถูกดูดซึมโดยไดโอดแทน
ของการแพร่กระจายลงเส้นทางการส่ง 50 โอห์ม.
แต่เมื่อไดโอดเป็นรีเวอร์สหรือสำรองลำเอียง
ความต้านทานไดโอดเทียบเท่าอยู่ในคำสั่งของพัน
ของโอห์มและกระแสไมโครเวฟจะไหล
ลงเส้นทางการส่งเพราะต้านทานไดโอด
เมื่อเทียบกับเส้นทางความต้านทาน 50 โอห์มเป็นเล็กน้อย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รหัสมอดูเลเตอร์มีความเร็วสูง ควบคุมกระแสการดูดซึม attenuator ประเภท ภาพประกอบง่ายของ HP รุ่นพิน 8730a ""b modulators คือชุดแสดงในรูปที่ 1 แต่ละหน่วยรวมถึงผ่านต่ํา พินกรองผ่านตัวกรองสูง 2 , หมายเลข PIN ไดโอด ,และ 50 โอห์ม ( สายอากาศสายส่งยับ แถบหน่วยความถี่สูง )พินไดโอดซิลิคอนไดโอดที่มีฟอสฟอรัสและชุมทางN ติดตามภูมิภาคจะถูกกั้นด้วยชั้นของภายใน( ผม ) สารกึ่งตัวนำ ( ซิลิคอน ) ดังนั้น ชื่อพินไดโอด6730a-a-3กรัมต่อ 1 รูป จีนบล็อกไดอะแกรมของขา โมดูเลเตอร์ที่ความถี่ต่ำกว่า 100 ผม rectifies พินไดโอดเป็นชุมทางไดโอด อย่างไรก็ตาม ความถี่สูงกว่า 100 ผมแก้ไขไม่ได้เนื่องจากเก็บค่าธรรมเนียมในตัว ( ผม ) และ ไดโอด ทำหน้าที่เหมือนชั้นความต้านทานโดยการดำเนินการปัจจุบันในทั้งสองทิศทางนี้เป็นปฏิภาคผกผันกับความต้านทานสมมูลปริมาณของประจุในชั้นของเลเยอร์ เพิ่มขึ้นในส่งต่อค่าปัจจุบัน ( ปัจจุบันแรงดันเชิงลบ ) เพิ่มขึ้นการจัดเก็บค่าใช้จ่ายและลดเทียบเท่าความต้านทานของขาไดโอด เมื่อไบอัสกลับ คือประยุกต์ กระแสย้อนกลับปัจจุบันจนเก็บค่าธรรมเนียมหมดลงในเวลาที่ความต้านทานสมมูล กลายเป็นสูงสุดในลำดับของพันของโอห์มเข้าใจว่า pin Modulator งานพิจารณาต่อไปนี้ : พินไดโอดจะติดเชื่อมต่อกันองค์ประกอบของเส้นทางการส่งผ่านระหว่าง RF และพื้นดินเส้นทางการส่งผ่านมีอิมพีแดนซ์ลักษณะ50 โอห์ม เมื่อขาไดโอดจะลำเอียงไปข้างหน้าเทียบเท่าไดโอดความต้านทานประมาณ 30 โอห์มและส่วนใหญ่ของพลังงาน RF ถูกดูดซึมโดยไดโอด แทนของเดิมลง 50 โอห์ม ส่งผ่านทางอย่างไรก็ตาม เมื่อไดโอดจะกลับหรือกลับ มีอคติเทียบเท่าไดโอดความต้านทานอยู่ในลำดับที่พันของโอห์มและไมโครเวฟ กระแสจะไหลลงเส้นทางการส่งผ่านเนื่องจากไดโอดความต้านทานเมื่อเทียบกับเส้นทางของความต้านทาน 50 โอห์มเป็นเล็กน้อย