4. ConclusionIn summary, we have pr

4. Conclusion
In summary, we have prepared CZTSe thin films on
Mo-coated glass substrates by selenization of co-electrodepositedelectrodeposited
Cu–Zn–Sn precursors. C6H8O7/Na3C6H5O7 was
adopted as complexing agent in the electrolyte to control
the cathodic potentials of Cu, Zn, and Sn cations and
reduce them at close potential. Two annealing processes,
rapid thermal annealing (RTA) and conventional furnace
annealing (CFA), were carried out for selenizing the precursors
at 500 C. It is found that the RTA process is conducive
to the formation of single phase CZTSe absorbers
with large grains. Possible mechanism was proposed based
on the XRD, Raman, SEM, and EDS results. The energy
band gap of the film is 0.98 eV and the optical absorption
coefficient is in the order of 104 cm1 in the visible region.
Finally, we have fabricated CZTSe solar cells with an efficiency
of 4.5% using the RTA–CZTSe absorbers. This
work demonstrates that a low-cost, non-vacuum process
using co-electrodeposition with subsequent RTA process
is a viable approach for the fabrication of CZTSe based
solar cells. Higher efficiency is expected when some part
of selenium is replaced by sulfur to increase its band gap.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

4. บทสรุปในสรุป เราได้เตรียมฟิล์มบาง CZTSe บนแก้วหม้อเคลือบพื้นผิว ด้วย selenization ของบริษัท electrodepositedelectrodepositedCu-Zn – Sn สารตั้งต้น แก้ไข C6H8O7/Na3C6H5O7นำมาใช้เป็นตัวแทนของ complexing ในอิเล็กโทรไลท์ในการควบคุมศักยภาพของแคทไอออน Cu, Zn, Sn และ cathodic และลดเวลาปิดศักยภาพ กระบวนการหลอมที่สองอย่างรวดเร็วความร้อนหลอม (RTA) และเตาทั่วไปการหลอม (CFA), ดำเนินออกสำหรับ selenizing เพื่อกระตุ้นที่ 500 c พบว่า กระบวนการ RTA เอื้อการก่อตัวของเฟสเดียว CZTSe absorbersมีเมล็ดขนาดใหญ่ กลไกที่เป็นไปได้ถูกนำเสนอตามผล XRD รามัน SEM และ EDS พลังงานช่องว่างวงของฟิล์มเป็น 0.98 eV และการดูดซึมแสงค่าสัมประสิทธิ์เป็นลำดับ 1 ในภูมิภาคเห็น 104 ซม.ในที่สุด เรามีประดิษฐ์ CZTSe เซลล์แสงอาทิตย์ มีประสิทธิภาพการ4.5% โดยใช้ absorbers RTA – CZTSe นี้งานแสดงที่เป็นกระบวนการที่ต้น ทุนต่ำ ไม่เป็นสูญญากาศใช้เคลือบร่วมกับกระบวน RTA ในภายหลังเป็นวิธีการทำงานสำหรับการผลิตของ CZTSe คะแนนเซลล์แสงอาทิตย์ คาดว่ามีประสิทธิภาพสูงเมื่อบางส่วนของซีลีเนียมถูกแทนที่ ด้วยกำมะถันเพื่อเพิ่มช่องว่างของวงการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

4. สรุป
โดยสรุปเราได้เตรียมฟิล์มบาง CZTSe บน
พื้นผิวแก้ว Mo-เคลือบผิวด้วย selenization ร่วม electrodepositedelectrodeposited
สารตั้งต้น Cu-Zn-SN C6H8O7 / Na3C6H5O7 ถูก
นำมาใช้เป็นตัวแทน complexing ในอิเล็กโทรไลในการควบคุม
ศักยภาพของ cathodic Cu, Zn และไพเพอร์ Sn และ
ลดพวกเขาที่มีศักยภาพใกล้ สองกระบวนการหลอม
หลอมความร้อนอย่างรวดเร็ว (RTA) และเตาธรรมดา
หลอม (CFA) ได้ดำเนินการสำหรับ selenizing สารตั้งต้น
ที่ 500 องศาเซลเซียส นอกจากนี้ยังพบว่ากระบวนการ RTA ที่เอื้อต่อ
การก่อตัวของเฟสเดียวโช้ค CZTSe
มีเมล็ดขนาดใหญ่ กลไกที่เป็นไปได้ถูกเสนอขึ้นอยู่
บน XRD, รามัน SEM และผล EDS พลังงาน
แถบช่องของหนังเรื่องนี้คือ 0.98 EV และการดูดซึมแสง
ค่าสัมประสิทธิ์อยู่ในลำดับที่ 104 ซม. 1 ในภูมิภาคที่มองเห็น.
สุดท้ายเราได้ประดิษฐ์ CZTSe เซลล์แสงอาทิตย์ที่มีประสิทธิภาพ
4.5% โดยใช้โช้ค RTA-CZTSe นี้
ทำงานแสดงให้เห็นว่ามีต้นทุนต่ำกระบวนการที่ไม่สูญญากาศ
ใช้ร่วมกับกระบวนการอิเล็กโทร RTA ต่อมา
เป็นวิธีการทำงานได้สำหรับการผลิตของ CZTSe ตาม
เซลล์แสงอาทิตย์ มีประสิทธิภาพสูงกว่าที่คาดไว้เมื่อบางส่วน
ของซีลีเนียมจะถูกแทนที่ด้วยกำมะถันเพื่อเพิ่มช่องว่างวง