• Early phototransistors had a homo

• Early phototransistors had a homo-junction structure made of germanium or silicon (see photo below, left).
• Modern phototransistors may be composed of multiple material junctions of type III-V materials like gallium and arsenide (see photo below, right). The physical structure can be optimized to allow higher levels of light exposure by using an offset configuration

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

•ช่วง phototransistors มีโครงสร้างเชื่อมต่อกะเทยที่ทำจากซิลิกอนหรือเจอร์เมเนียม (ดูภาพด้านล่าง ด้านซ้าย) .
phototransistors •ทันสมัยอาจประกอบด้วยหลาย junctions วัสดุวัสดุชนิด III V เช่นแกลเลียมและ arsenide (ดูภาพด้านล่าง ด้านขวา) สามารถปรับโครงสร้างให้สูงกว่าระดับของแสงไฟ โดยใช้การกำหนดค่าออฟเซ็ต

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

• Phototransistors ต้นมีโครงสร้างตุ๊ดแยกที่ทำจากซิลิกอนหรือเจอร์เมเนียม (ดูรูปด้านล่างซ้าย)
• Phototransistors สมัยใหม่อาจจะประกอบด้วยแยกวัสดุหลายประเภทวัสดุ III-V เช่นแกลเลียมและ arsenide (ดูรูปด้านล่างขวา) โครงสร้างทางกายภาพสามารถเพิ่มประสิทธิภาพเพื่อให้ระดับที่สูงขึ้นของการเปิดรับแสงโดยใช้การกำหนดค่าชดเชย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

- ก่อน phototransistors มีโฮโมชุมทางโครงสร้างทำจากซิลิคอนเจอร์เมเนียมหรือ ( เห็นภาพด้านล่างซ้าย ) phototransistors
- สมัยใหม่อาจจะประกอบด้วยหลายประเภทต่างๆของวัสดุวัสดุ เช่น แกลเลียมอาร์เซไนด์และ iii-v ( เห็นภาพด้านล่างขวา ) โครงสร้างทางกายภาพที่สามารถเพิ่มประสิทธิภาพเพื่อให้ระดับที่สูงขึ้นของการเปิดรับแสงโดยการชดเชยค่า