Ion implantation is one of the most

Ion implantation is one of the most suitable techniques for the synthesis of metallic nanoparticles in solid host matrix [1] and [2]. It can accurately control the thickness of the doped layer and the concentration of the metallic ions. Optical properties of nano-composite materials manufactured by ion implantation have been extensively studied [1], [2], [3], [4] and [5]. Previous studies general focus on corrosion resistance, abrasive resistance [6] and [7], surface modification [8] and [9] and magnetostriction. However, with respect to such material, the connection between the fluorescent effect and the microstructure of atoms has been seldom known. Single crystal sapphire is an oxide optical crystal and has been often used as window materials because of its high light transmittance. Researches on irradiation damage, magnetic property, and the formation of nano-crystal of ion-implanted sapphire doped with Fe/Cu/Ag have been widely reported, but further discussion is needed concerning how the implanted ions affect the substrates fluorescence effect. The electrons which are excited to high level transfer back to a relatively stable lower levels and fluorescence will be issued with energy liberation. This process is called fluorescence effect. Fluorescence analysis has been widely applied to material identification with the advantages of high sensitivity and strong selectivity. Many parameters can be provided, such as: emission spectrum, fluorescence intensity, and fluorescence polarization. What’s more, to figure out the aforementioned issue will be greatly benefit to comprehend Micro evolution mechanism during the process of ion implantation. We intend to inquire into the contribution of surface plasma resonance and the atomic electron shell [10], [11], [12] and [13].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไอออนเป็นเทคนิคเหมาะสมที่สุดสำหรับการสังเคราะห์โลหะเก็บกักในโฮสต์แข็ง [1] และ [2] ได้อย่างถูกต้องสามารถควบคุมความหนาของชั้นโลหะและความเข้มข้นของไอออนโลหะ คุณสมบัติแสงวัสดุนาโนคอมโพสิตที่ผลิต โดยฝังไอออนมีการศึกษาอย่างกว้างขวาง [1], [2], [3], [4] และ [5] ก่อนหน้านี้การศึกษาทั่วไปเน้นความต้านทานการกัดกร่อน ต้านทานขัด [6] และ [7], พื้นผิวการแก้ไข [8] และ [9] และ magnetostriction อย่างไรก็ตาม เกี่ยวกับวัสดุดังกล่าว การเชื่อมต่อระหว่างผลกระทบเรืองแสงและโครงสร้างจุลภาคของอะตอมได้รับแทบไม่รู้จัก แซฟไฟร์คริสตัลเป็นคริสตัลแสงออกไซด์ และมักใช้เป็นหน้าต่างวัสดุเนื่องจากการถ่ายทอดของแสงสูง ความเสียหายต่องานวิจัยบนวิธีการฉายรังสี คุณสมบัติแม่เหล็ก และการก่อตัวของผลึกนาโนของแซฟไฟร์ฝังไอออนเจือกับ Fe/Cu/Ag มีการแพร่หลายรายงาน แต่เพิ่มเติม สนทนาจำเป็นต้องเกี่ยวข้องกับวิธีฝังไอออนมีผลต่อผลกระทบเรืองแสงพื้นผิว อิเล็กตรอนซึ่งรู้สึกตื่นเต้นระดับสูงไปกลับค่อนข้างเสถียรระดับล่างและสารเรืองแสงจะออกกับปลดปล่อยพลังงาน กระบวนการนี้เรียกว่าผลกระทบสารเรืองแสง วิเคราะห์สารเรืองแสงได้ถูกใช้อย่างกว้างขวางในการระบุวัสดุพร้อมข้อดีของความไวแสงสูงและแข็งแรงวิธี พารามิเตอร์มากสามารถให้ เช่น: ปล่อยสเปกตรัม เรืองแสงเข้ม และเรืองแสงโพลาไรซ์ได้ มีอะไรเพิ่มเติม ทราบปัญหาดังกล่าวจะได้ประโยชน์มากจะเข้าใจกลไกวิวัฒนาการไมโครระหว่างกระบวนการฝังไอออน เราต้องการสอบถามของเสียงสะท้อนผิวพลาและอะตอมอิเล็กตรอนเชลล์ [10], [11], [12] และ [13]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไอออนเป็นหนึ่งในเทคนิคที่เหมาะสมที่สุดสำหรับการสังเคราะห์อนุภาคนาโนโลหะในเมทริกซ์โฮสต์ของแข็ง [1] และ [2] มันถูกต้องสามารถควบคุมความหนาของชั้นเจือและความเข้มข้นของไอออนโลหะที่ คุณสมบัติทางแสงของวัสดุนาโนคอมโพสิตที่ผลิตโดยไอออนได้รับการศึกษาอย่างกว้างขวาง [1], [2], [3] [4] และ [5] การศึกษาก่อนหน้าโฟกัสทั่วไปเกี่ยวกับความต้านทานการกัดกร่อน, ทนต่อการขัด [6] [7], ปรับผิว [8] และ [9] และ magnetostriction แต่ด้วยความเคารพต่อวัสดุดังกล่าวเชื่อมต่อระหว่างผลเรืองแสงและจุลภาคของอะตอมที่ได้รับการรู้จักกันไม่ค่อย คริสตัลแซฟไฟร์เดี่ยวเป็นออกไซด์คริสตัลแสงและได้รับมักจะใช้เป็นวัสดุหน้าต่างเพราะการส่งผ่านแสงสูง งานวิจัยเกี่ยวกับความเสียหายของการฉายรังสีคุณสมบัติแม่เหล็กและการก่อตัวของนาโนคริสตัลแซฟไฟร์ไอออนปลูกฝังเจือกับเฟ / ลูกบาศ์ก / เอจีได้รับการรายงานอย่างกว้างขวาง แต่การอภิปรายเพิ่มเติมเป็นสิ่งจำเป็นเกี่ยวกับวิธีการปลูกฝังไอออนส่งผลกระทบต่อผลกระทบพื้นผิวเรืองแสง อิเล็กตรอนซึ่งมีความตื่นเต้นในการถ่ายโอนระดับสูงกลับไปที่ค่อนข้างมีเสถียรภาพในระดับที่ต่ำกว่าและเรืองแสงจะออกมาพร้อมกับการปลดปล่อยพลังงาน กระบวนการนี​​้เรียกว่าผลเรืองแสง การวิเคราะห์การเรืองแสงได้รับการใช้กันอย่างแพร่หลายการระบุวัสดุที่มีข้อได้เปรียบของความไวสูงและการเลือกที่แข็งแกร่ง พารามิเตอร์มากสามารถให้บริการเช่นการปล่อยคลื่นความถี่, ความเข้มของการเรืองแสงและเรืองแสงโพลาไรซ์ มีอะไรมากกว่าที่จะคิดออกปัญหาดังกล่าวข้างต้นจะได้รับประโยชน์อย่างมากที่จะเข้าใจกลไกการวิวัฒนาการของไมโครในระหว่างขั้นตอนของการปลูกถ่ายไอออน เราตั้งใจที่จะสอบสวนการมีส่วนร่วมของเสียงสะท้อนพื้นผิวพลาสม่าและเปลือกอิเล็กตรอนอะตอม [10] [11] [12] และ [13]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไอออนปลูกฝังเป็นหนึ่งในเทคนิคที่เหมาะสมที่สุด สำหรับการสังเคราะห์อนุภาคนาโนของโลหะในเมทริกซ์ [ โฮสต์แข็ง 1 ] และ [ 2 ] มันถูกต้องสามารถควบคุมความหนาของชั้นด้วย และความเข้มข้นของไอออนโลหะ สมบัติทางแสงของนาโนคอมโพสิตวัสดุที่ผลิตโดยฝังไอออนได้รับอย่างกว้างขวางใช้ [ 1 ] , [ 2 ] , [ 3 ] , [ 4 ] และ [ 5 ] การศึกษาทั่วไปมุ่งเน้นในการต้านทานการกัดกร่อนทนต่อ Abrasive [ 6 ] [ 7 ] , การปรับผิว [ 8 ] และ [ 9 ] และแมกนีโทสติกชัน . อย่างไรก็ตาม ด้วยความเคารพต่อวัสดุเช่น การเชื่อมต่อระหว่างผลกระทบเรืองแสง และ โครงสร้างของอะตอมก็ไม่ค่อยรู้จัก คริสตัลแซฟไฟร์เดียวเป็นออกไซด์แสงคริสตัลและได้รับมักจะใช้เป็นวัสดุหน้าต่างเพราะส่งผ่านแสงสูงของ งานวิจัยเกี่ยวกับอันตรายจากรังสี คุณสมบัติแม่เหล็ก และการก่อตัวของนาโนคริสตัลแซฟไฟร์ของไอออนถูกเจือด้วยเหล็ก / ทองแดง / AG ได้รับการรายงานอย่างกว้างขวาง แต่การอภิปรายเพิ่มเติมเป็นสิ่งจำเป็นเกี่ยวกับวิธีการฝังไอออนมีผลต่อพื้นผิวเรืองผล อิเล็กตรอนซึ่งจะตื่นเต้นที่จะโอนระดับสูงกลับไปยังค่อนข้างคงที่ลดระดับนี้จะออกพร้อมกับปลดปล่อยพลังงาน กระบวนการนี้เรียกว่าการผล การวิเคราะห์นี้ได้ถูกใช้อย่างแพร่หลายในการระบุวัสดุกับข้อดีของการเลือกความไวสูงและแข็งแรง พารามิเตอร์หลายจะได้รับ เช่น การปล่อยสเปกตรัมฟลูออเรสเซนซ์ , ความเข้มและการโพลาไรซ์ . มีอะไรเพิ่มเติมที่จะคิดออกปัญหาดังกล่าวจะเป็นประโยชน์อย่างมากที่จะเข้าใจกลไกวิวัฒนาการไมโครในระหว่างขั้นตอนการฝังไอออน . เราตั้งใจจะสอบถามในส่วนของเรโซพลาสมาพื้นผิวและอะตอมอิเล็กตรอนเชลล์ [ 10 ] [ 11 ] [ 12 ] และ [ 13 ]