Furthermore,the optical band gap of

Furthermore,
the optical band gap of three-dimensional (3D) hierarchical
flower-like CTS microspheres was evaluated to be 1.38 eV
by Chen et al.,6) who stated the potential application in solar
energy conversion and photocatalysis. Optical properties of
CTS sprayed thin film with 500 C annealing were measured
and the direct energy gap of the film was determined by
Bouaziz et al. to be 1.22 eV.7) The energy band gap of
tetragonal CTS with 500 C sulfurization temperature was
reported by Guan et al. to be 1.22 eV.8)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นอกจากนี้ช่องว่างของวงแสงของสามมิติ (3D) ตามลำดับชั้นเหมือนดอกไม้ CTS microspheres ถูกประเมินเป็น 1.38 eVโดย Chen et al., 6) ที่ระบุโปรแกรมประยุกต์อาจเกิดขึ้นในแสงอาทิตย์แปลงพลังงานและ photocatalysis คุณสมบัติของแสงCTS พ่นฟิล์มบาง ด้วยการอบเหนียว 500 C ถูกวัดและช่องว่างพลังงานทางตรงของฟิล์มถูกกำหนดโดยAl. et Bouaziz จะ 1.22 eV.7) ช่องว่างแถบพลังงานของCTS tetragonal กับอุณหภูมิ sulfurization 500 C ได้รายงานโดย al. et กวนจะ 1.22 eV.8)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นอกจากนี้
ช่องว่างแถบแสงของสามมิติ (3D) ลำดับชั้น
ดอกไม้เหมือน microspheres CTS รับการประเมินให้เป็น 1.38 eV
โดยเฉิน et al., 6) ที่ระบุแอพลิเคชันที่มีศักยภาพพลังงานแสงอาทิตย์ใน
การแปลงพลังงานและโฟโต คุณสมบัติทางแสงของ
CTS พ่นฟิล์มบางที่มี 500? C หลอมถูกวัด
และช่องว่างพลังงานโดยตรงของภาพยนตร์เรื่องนี้ถูกกำหนดโดย
Bouaziz และคณะ จะเป็น 1.22 eV.7) ช่องว่างแถบพลังงานของ
เตตระโกน CTS 500 องศาเซลเซียสอุณหภูมิ sulfurization ถูก
รายงานโดยกวนและคณะ จะเป็น 1.22 eV.8)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นอกจากนี้
แสงช่องว่างแถบสามมิติ ( 3D ) ลำดับชั้น
ดอกไม้เช่น CTS และถูกประเมินเป็น 1.38 EV
โดย Chen et al . , 6 ) ที่ระบุถึงความเป็นไปได้ในการใช้ในการแปลงพลังงานแสงอาทิตย์
กับ photocatalysis . สมบัติทางแสงของฟิล์มบาง
CTS พ่น 500  C อบวัด
และพลังงานโดยตรงช่องว่างของฟิล์มถูกกำหนดโดย
bouaziz et al . เป็น 1.22 EV7 ) วงช่องว่างพลังงานของ
เตตระโกนอล CTS 500  C sulfurization อุณหภูมิ
รายงานโดยกวน et al . 8 ) เป็น 1.22 EV