During squeeze casting, two methods

During squeeze casting, two methods are used to restrict interfacial reaction. Firstly, preoxidation of SiC particles takes place at 1 000 °C. The extent of reaction is suppressed slightly, but the TC remains as low as 40–70 W/(m·K) [14]. Secondly, with the addition of Si, the TC is very low due to considerable reduction of the TC of copper. It is still a great challenge in SiC-Cu system to enhance TC during liquid infiltration route.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ระหว่างบีบหล่อ วิธีการสองวิธีที่ใช้จำกัดปฏิกิริยา interfacial ประการแรก preoxidation ของ SiC อนุภาคเกิดที่ 1 000 องศาเซลเซียส ขอบเขตของปฏิกิริยาจะถูกระงับเล็กน้อย แต่ TC ยังคงต่ำสุดที่ 40 – 70 พร้อม (m·K) [14] ประการที่สอง แห่งศรี TC ได้ต่ำมากเนื่องจากลด TC ของทองแดงมาก ก็สิ่งที่ท้าทายมากในระบบ SiC Cu เพื่อเพิ่ม TC ในระหว่างกระบวนการแทรกซึมของเหลว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในระหว่างการหล่อบีบสองวิธีที่ใช้ในการ จำกัด การเกิดปฏิกิริยาสัมผัส ประการแรก preoxidation ของอนุภาค SiC จะเกิดขึ้นวันที่ 1 000 ° C ขอบเขตของการเกิดปฏิกิริยาถูกระงับเล็กน้อย แต่ TC ยังคงต่ำเป็น 40-70 W / (ม· K) [14] ประการที่สองมีการเพิ่มของศรี, TC อยู่ในระดับต่ำมากเนื่องจากการลดลงมากของ TC ทองแดง มันยังคงเป็นความท้าทายที่ยิ่งใหญ่ในระบบ SIC-Cu เพื่อเพิ่ม TC ระหว่างเส้นทางการแทรกซึมของเหลว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตอนบีบหล่อ สองวิธีที่จะใช้ในการลดปฏิกิริยาระหว่าง . ประการแรก preoxidation SiC อนุภาคเกิดขึ้นใน 1 , 000 องศา ขอบเขตของปฏิกิริยา คือเก็บกดเล็กน้อย แต่ TC ยังคงเป็นต่ำเป็น 40 - 70 / w ( M ด้วย K ) [ 14 ] ประการที่สอง ด้วยการเพิ่มศรี , TC ต่ำมากเนื่องจากการลดลงอย่างมากของ TC ของทองแดงมันยังคงความท้าทายใน SIC CU ระบบเพื่อเพิ่ม TC ในระหว่างเส้นทางการซึมของของเหลว