In this work, the profile of the de

In this work, the profile of the deposited SiO2 layer and its variation across the wafer is investigated by means of simulation. To model the deposition process it is assumed that the adsorbed TEOS fragments are saturated on the surface and that the process is therefore governed by the local fluxes of oxygen ions and radicals [1].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในงานนี้ โพรไฟล์ของชั้น SiO2 นำฝากและความเปลี่ยนแปลงบนแผ่นเวเฟอร์ถูกสอบสวน โดยการจำลอง แบบการสะสมที่สันนิษฐานว่า บางส่วนของ TEOS adsorbed อิ่มตัวบนพื้นผิว และว่า กระบวนการดังนั้นควบคุม โดย fluxes ภายในประจุของออกซิเจนและอนุมูล [1]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในงานนี้รายละเอียดของชั้น SiO2 ฝากและการเปลี่ยนแปลงทั่วเวเฟอร์ที่มีการตรวจสอบโดยวิธีการจำลอง ในการจำลองกระบวนการสะสมมันจะสันนิษฐานว่าชิ้นส่วน TEOS ดูดซับอิ่มตัวบนพื้นผิวและว่ากระบวนการที่ถูกควบคุมโดยฟลักซ์จึงท้องถิ่นของไอออนออกซิเจนและสารอนุมูล [1]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในงานนี้ รายละเอียดของ SiO2 และความผันแปรของข้ามฝากชั้นเวเฟอร์ตรวจสอบโดยวิธีการจำลอง รูปแบบกระบวนการการดูดซับเอทมันจะสันนิษฐานว่าชิ้นส่วนจะอิ่มตัวบนพื้นผิวและกระบวนการจึงปกครองโดยต่อท้องถิ่นและอนุมูลของออกซิเจนไอออน [ 1 ]