The major reason for the accelerati

The major reason for the acceleration of interest in plasma processing and production-type reactor has been for the use of plasma silicon nitride films as a final device passivation overcoat. Because these nitride films are a significant improvement over doped or undoped SiO2 films, their use is now rapidly becoming the standard within the semiconductor industry.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เหตุผลหลักสำหรับเร่งความเร็วน่าสนใจในเครื่องปฏิกรณ์การประมวลผลและชนิดการผลิตพลาสม่าแล้วใช้พลาสม่า silicon nitride ฟิล์มเป็นชุดเสื้อกัน passivation เป็นอุปกรณ์สุดท้าย เนื่องจากฟิล์ม nitride เหล่านี้มีการปรับปรุงที่สำคัญผ่านฟิล์ม SiO2 doped หรือ undoped ใช้ตอนนี้อย่างรวดเร็วกลายเป็น มาตรฐานในอุตสาหกรรมสารกึ่งตัวนำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เหตุผลที่สำคัญสำหรับการเร่งความเร็วของความสนใจในการประมวลผลและพลาสม่าเครื่องปฏิกรณ์ประเภทการผลิตที่ได้รับสำหรับการใช้งานของฟิล์มซิลิกอนไนไตรด์พลาสม่าเป็นอุปกรณ์สุดท้ายเสื้อฟิล์ม เพราะภาพยนตร์ไนไตรด์เหล่านี้มีการปรับปรุงที่สำคัญกว่าภาพยนตร์ SiO2 เจือโคบอลต์หรือการใช้ของพวกเขาอยู่ในขณะนี้อย่างรวดเร็วกลายเป็นมาตรฐานในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เหตุผลหลักสำหรับการเร่งความเร็วของความสนใจในการประมวลผลและการผลิตเครื่องปฏิกรณ์พลาสมาชนิดได้รับการใช้พลาสมาซิลิคอนไนไตรด์ฟิล์มเป็นอุปกรณ์สุดท้าย าระ เพราะหนังไนไตรด์เหล่านี้การปรับปรุงสําคัญมากกว่าหรือฟิล์ม SiO2 ด้วยเคมีไฟฟ้า , ใช้ของพวกเขาเป็นอย่างรวดเร็วกลายเป็นมาตรฐานในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์